The University of Texas at Austin.;
机译:高k栅极介电FET中电荷陷阱引起的阈值电压不稳定性建模
机译:Ni_xSi_y栅电极的Si / Ni组成比和Hf基高k绝缘子的Hf / Si组成比对金属氧化物半导体场效应晶体管的阈值电压可控性和迁移率的影响
机译:耗尽层的半分析建模及其对包括结陷电荷的无结双栅极MOSFET阈值电压的影响
机译:电荷俘获对金属栅/高k n沟道MOSFET中TDDB电压加速的影响
机译:基于氮化物的局部电荷陷阱非易失性存储器件的阈值电压不稳定性。
机译:钠通道α亚基的结构域II中的门控电荷的中和增强了β-蝎毒素的电压传感器捕获。
机译:寄生内部边缘电容效应的紧凑建模 高K栅介质纳米级sOI mOsFET的阈值电压