Syracuse University, Department of Electrical Engineering and Computer Science, USA;
机译:N极GaN / AlGaN MIS-HEMT上高纵横比T型栅的设计
机译:具有n-GaN / i-AlN / n-GaN三层盖层和高栅极电介质的增强模式GaN MIS-HEMT
机译:具有5nm GaN通道,510mS / mm和0.66的增强模式N极性GaN MOS-HFET
机译:增强模式N极GaN单通道和双通道MIS-HEMTS的设计与仿真
机译:N极GaN MIS-HEMTS具有氮化硅钝化MM波应用
机译:面向增强模式特性的具有双AlGaN势垒设计的嵌入式栅AlGaN / GaN MIS-HEMT研究
机译:具有自排列源/漏区的增强型ALN / GAN / ALN N极MISFET的数值研究