公开/公告号CN112713188A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-04-27
原文格式PDF
申请/专利权人 西安电子科技大学芜湖研究院;
申请/专利号CN202011568133.0
申请日2020-12-25
分类号H01L29/778(20060101);H01L21/335(20060101);H01L29/06(20060101);H01L29/423(20060101);
代理机构34138 芜湖思诚知识产权代理有限公司;
代理人房文亮
地址 241000 安徽省芜湖市弋江区文津西路8号
入库时间 2023-06-19 10:44:55
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-08-23
著录事项变更 IPC(主分类):H01L29/778 专利申请号:2020115681330 变更事项:申请人 变更前:西安电子科技大学芜湖研究院 变更后:西安电子科技大学芜湖研究院 变更事项:地址 变更前:241000 安徽省芜湖市弋江区文津西路8号 变更后:241000 安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区科技产业园7号楼
著录事项变更
机译: GaN基半导体发光器件,发光器件组件,发光器件,用于制造GaN基半导体发光器件的方法,用于GaN基半导体发光器件的驱动方法和图像显示装置
机译: GaN基半导体光学器件,GaN基半导体光学器件的制造方法,外延晶片的生长方法和GaN基半导体膜
机译: 外延生长衬底,GaN基半导体层的制造方法,GaN基半导体层,发光器件的GaN基半导体制造方法和GaN基半导体发光元件