Department of Electrical Engineering, University of Padova, Padova, 35131, Italy;
Aluminum gallium nitride; Electric breakdown; Gallium nitride; HEMTs; Logic gates; Silicon; Substrates;
机译:AlN / Si界面上的反型沟道对GaN基器件垂直击穿特性的影响
机译:使用材料选择方法研究低泄漏AlGaN / GaN MIS-HEMT装置的高κ介电研究
机译:基于GaN的MIS-HEMT设备的故障调查
机译:透射电子显微镜探索GaN的电子器件的物理缺陷和降解机制
机译:使用极薄的栅极介电层综合电离剂量效应的全电离剂量效应
机译:高Q因数GaN基微腔发光器件的研究
机译:用光学探测技术研究半导体器件的表面击穿。