Investigation of High Q Factor GaN-based Microcavity Light-Emitting Devices

摘要

GaN基微腔发光器件主要包括垂直腔面发射激光器（VCSELs）和谐振腔发光二极管（RCLEDs）。它们除了具有一般的半导体发光器件拥有的体积小、发光效率高、能耗低、方向性强等特点外，还具有圆形对称光斑，高纯度光谱等优点，此外，其方向性更强，发光效率更高，因而在固态照明，光存储，光通讯和显示等领域有着更为广阔的应用前景。品质因子（Q值）是衡量微腔发光器件性能的一个重要参数，Q值代表微谐振腔存储能量大小的能力，反应其总损耗的大小，Q值越大，意味着损耗越小。实现高Q值微腔发光器件是实现VCSELs和RCLEDs器件的重要基础。本论文针对GaN基微腔发光器件制作的难点问题展开研究，以获得高Q值的氮化物...