Influence of p-GaN annealing on the properties of GaN-based LED wafers and devices

摘要

GaN基宽禁带半导体材料具有优异的物理和化学性质，已被广泛用于全彩显示、信息指示和照明领域，成为当今半导体技术发展的热点。目前，GaN及GaN基器件的研究已经取得了巨大的进展，但是GaN的生长和器件制备方面还存在一些困难。p型掺杂困难是限制GaN基材料和器件发展的主要因素之一。热退火是用于提高p型GaN空穴浓度的常用方法，但具体的实验条件还有待进一步优化。本文针对GaN基材料的p型掺杂问题，将GaN基LED样品分别在800℃，N2氛围下退火20min和500℃，O2氛围下退火6min，并对N2退火和O2退火的发光二极管（LED）样品进行光学性能和电学性能的系统研究与分析，基于这些研究本文的主要...