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王广利; 濮林; 闾锦; 王泽瑞; 张荣; 郑有炓; 施毅;
中国物理学会;
纳米晶; 存储器件; 集成电路; 半导体材料;
机译:通过控制锗含量改善氢化纳米晶硅锗非易失性存储器件的存储特性
机译:包含纳米晶硅点的纳米机电非易失性存储器件
机译:纳米晶嵌入式栅介质和氮氧化物叠层介质GAA MOSFET非易失性存储器件的比较研究
机译:纳米晶硅锗器件的传输特性和缺陷密度分布的研究
机译:纳米晶锗对存储器件充电动力学的点尺寸影响
机译:纳米机电非易失性存储器件,包含纳米晶硅点
机译:硅器件中的载流子传输研究:用于存储器件应用的多层绝缘体的电学和光学研究
机译:利用等离子体沉积技术连续沉积纳米晶硅薄膜和多层绝缘层,非易失性存储器件及其形成方法的纳米晶硅层
机译:利用纳米晶硅膜结构的等离子体沉积技术,形成方法,具有纳米晶硅膜结构的非易失性存储器件及其形成方法
机译:具有硅纳米晶的电荷俘获层的制造方法,非易失性存储器件以及使用该器件制造非易失性存储器件的方法
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