机译:通过控制锗含量改善氢化纳米晶硅锗非易失性存储器件的存储特性
Charge Trap Flash; nc-SiGe:H; Nonvolatile Memory; Ge Content; Interface Trap Density;
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机译:核心壳锗 - 硅纳米粒子结构用于高k非易失性存储器应用
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机译:纳米晶锗对存储器件充电动力学的点尺寸影响
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