机译:包含纳米晶硅点的纳米机电非易失性存储器件
Quantum Nanoelectronics Research Center and Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology, and SORST, Japan Science Technology Agency (JST), 2-12-1 O-okayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8552, Japan;
机译:利用无锚纳米机电非易失性存储器件的存储阵列的设计和可扩展性
机译:通过控制锗含量改善氢化纳米晶硅锗非易失性存储器件的存储特性
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机译:高速非易失性纳米机电(NEMS)存储设备的可移动纳米线的机械性能仿真
机译:硒化锌镉包覆的量子点电致发光和非易失性存储器件。
机译:纳米晶锗对存储器件充电动力学的点尺寸影响
机译:纳米机电非易失性存储器件,包含纳米晶硅点