Quantum size Nanocrystalline Tunneling Memory devices 85.30.Tv 85.35.-p 73.63.-b;
机译:量子耦合对纳米晶存储器件充电动力学的影响
机译:通过控制锗含量改善氢化纳米晶硅锗非易失性存储器件的存储特性
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机译:纳米晶硅点浮栅单电子存储装置的量子监禁效应观察
机译:量子点-多巴胺共轭物中的电荷转移相互作用:缓冲液pH,QD大小和分离距离的影响
机译:纳米晶体材料的尺寸对其热力学和机械性能的影响
机译:纳米晶锗对存储器件充电动力学的点尺寸影响