AlGaN/GaN异质结2DEG迁移率的研究

摘要

近年来GaN及相关的Ⅲ-N族化合物半导体由于具有宽禁带、高电子迁移率和高击穿电压，GaN基电学器件的研制受到越来越多的关注，其微波大功率应用的前景已逐渐显现。与同为宽禁带半导体的其他材料不同，GaN基材料易于制作异质结，在GaN基材料制作的晶体管中，目前研究最多的是调制参杂的AlGaN/GaN HEMT。本文就针对A1GaN/GaN异质结界面2DEG的散射机制对迁移率的影响在理论上进行研究，主要包括界面粗糙散射、电离杂质散射、声学形变势散射、压电声子散射、极化光学声子散射和位错散射。并阐述了温度和2DEG浓度对其迁移率的影响。