基于水溶性聚合物媒介的二维过渡金属硫族化合物的转移方法研究

摘要

化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition,CVD)是目前应用最广泛的制备半导体薄膜材料的方法之一,通过CVD法合成的过渡金属硫族化合物(Transition Metal Chalcogenides,TMDCs)具有厚度均匀、纯度高、缺陷少、结晶性好等优点.然而,实现CVD生长TMDCs的高产率、无损转移仍是这类材料在电子器件领域实用化上面临的主要问题.本文以水溶性聚合物聚乙烯吡咯烷酮(PVP)和聚乙烯醇(PVA)的复合结构作为二维材料的转移媒介,并首次实现了CVD生长MoS2和其他二维材料的物理转移,产率高达90％,转移前后的形貌、光谱性质和电学性能得以良好保持.这一转移方法的建立,对这类二维材料的基础研究和实际应用具有重要的科学意义.