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水溶性盐辅助转移CVD二维过渡金属硫族化合物的方法

摘要

本发明公开了一种水溶性盐辅助转移CVD二维过渡金属硫族化合物的方法。该方法首先将过渡金属物粉末和水溶性盐粉末混合后放入生长炉进行生长,利用水溶性盐的加热挥发,在生长衬底上生长一层水溶性盐层,再根据过渡金属物粉末的加热挥发与硫源物气体或硫源物固体加热挥发后进行化学反应得到过渡金属硫族化合物沉积在生长衬底上,最终在生长衬底上生长一层水溶性盐层和单层过渡金属硫族化合物。然后将其添加支撑层后,放入水中溶解掉水溶性盐层,再将支撑层和单层过渡金属硫族化合物转移至成品衬底上,之后再用支撑层溶解液溶解掉支撑层得到最终的单层二维过渡金属硫族化合物。

著录项

  • 公开/公告号CN107021524B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-12-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 南京大学;

    申请/专利号CN201710350595.7

  • 申请日2017-05-18

  • 分类号C01G39/06(20060101);

  • 代理机构32242 江苏银创律师事务所;

  • 代理人孙计良

  • 地址 210001 江苏省南京市鼓楼区汉口路22号

  • 入库时间 2022-08-23 10:22:04

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-12-04

    授权

    授权

  • 2017-09-01

    实质审查的生效 IPC(主分类):C01G39/06 申请日:20170518

    实质审查的生效

  • 2017-09-01

    实质审查的生效 IPC(主分类):C01G 39/06 申请日:20170518

    实质审查的生效

  • 2017-08-08

    公开

    公开

  • 2017-08-08

    公开

    公开

  • 2017-08-08

    公开

    公开

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