首页> 外国专利> - 2 Doped transition metal chalcogen compound patterned structure method of manufacturing the same and electrode having the same for two-dimensional planar electronic device

- 2 Doped transition metal chalcogen compound patterned structure method of manufacturing the same and electrode having the same for two-dimensional planar electronic device

机译:-2种用于二维平面电子器件的掺杂过渡金属硫族化合物图案化的结构及其电极的制造方法

摘要

The present invention is to provide a doped transition metal-chalcogen compound pattern structure having high electrical conductivity. The doped transition metal-chalcogen compound pattern structure according to an embodiment of the present invention includes a transition metal-chalcogen compound patterned structure including a first transition metal and having a layered structure; And a second transition metal intercalated between the layers of the transition metal-chalcogen compound.
机译:本发明提供了一种具有高电导率的掺杂过渡金属-硫属元素化合物图案结构。根据本发明实施方式的掺杂的过渡金属-硫属元素化合物图案结构包括:过渡金属-硫属元素化合物图案结构,其包括第一过渡金属并具有层状结构。第二过渡金属插在过渡金属-硫属元素化合物的层之间。

著录项

  • 公开/公告号KR102162010B1

    专利类型

  • 公开/公告日2020-10-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 울산과학기술원;

    申请/专利号KR20190055794

  • 发明设计人 권순용;송승욱;심여선;왕재원;

    申请日2019-05-13

  • 分类号H01L21/3213;H01L21/02;H01L21/027;H01L21/324;H01L21/768;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 11:03:40

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