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一种利用金属性过渡金属硫属化合物制备电子器件电极的方法

摘要

本发明属于纳米材料应用领域,具体地,本发明涉及一种利用金属性过渡金属硫属化合物制备电子器件电极的方法。本发明包括以下步骤:1)采用人工按压法或两步化学气相沉积法在带有SiO

著录项

  • 公开/公告号CN107452631A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-12-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京大学;

    申请/专利号CN201710317167.4

  • 发明设计人 张艳锋;杨鹏飞;纪清清;李聪;

    申请日2017-05-08

  • 分类号

  • 代理机构北京方安思达知识产权代理有限公司;

  • 代理人陈琳琳

  • 地址 100871 北京市海淀区颐和园路5号

  • 入库时间 2023-06-19 03:59:41

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-08-28

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L21/443 申请公布日:20171208 申请日:20170508

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2018-01-05

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/443 申请日:20170508

    实质审查的生效

  • 2017-12-08

    公开

    公开

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