通过基底工程调控二硫化钼晶体生长

摘要

二维过渡金属硫族化合物(TMDCs)由于其独特的性质,而受到了人们的广泛关注。其中,二硫化钼作为一种典型的过渡金属硫族化合物,它具有优异的光电性能,其在光电子器件和柔性电子器件等方面有巨大的应用潜力。到目前为止,控制二硫化钼的尺寸、形态、层数和晶格取向仍然是一个巨大的挑战。化学气相沉积(CVD)是一种制备过渡金属硫化物的重要方法,研究人员发现生长基底对其横向尺寸、成分、厚度,晶体取向和晶体质量都有着很大的影响。本文首先介绍了二维过渡金属硫化物的性质,然后总结了使用各种基底在CVD体系中合成二硫化钼的物理及化学性质。