蚀刻

摘要： 随着印制电路板(PCB)的高速化及高密度的发展,PCB层数越来越高,线宽越来越小。目前常见路由器、服务器等产品线宽能力要求必须达到±8.89μm,Cpk≥1.33,其阻抗才能满足±8%要求。目前很多普通蚀刻线的线宽均匀性能力已达不到能力要求。文章主要针对外层线宽均匀性的能力提升方法进行探讨,主要是通过调整喷头设计和排布来改善线宽均匀性,提升蚀刻制程能力,来满足高速PCB产品的外层线宽均匀性。

摘要： 全氟丁二烯(六氟丁二烯,六氟-1,3-丁二烯,C_(4)F_(6),HFBD)是一种性能优异的新一代电子工业用蚀刻气,应用前景广阔。HFBD的合成工艺多样,基本上都是采用偶联法、脱卤法和格氏试剂法。原料中含有的主要杂质除氮气(N_(2))、氧气(O_(2))等不凝性气体能用精馏法轻松脱除外,其它的杂质均可以用吸附法脱除。通过使用沸石类分子筛、活性氧化铝、碳分子筛、硅铝酸盐分子筛、碱盐等进行吸附实验,能将HFBD产品中的氟化氢(HF)、水分(H_(2)O)、含有丁二烯的氟氯化物、丁烯的二聚体、少量的醇及醚等杂质均脱除到符合电子特气出货标准。实验结果表明,大部分吸附剂会引发不同程度的歧化反应,精制难度较大,故选用碱盐分子筛脱除HF,硅铝酸盐分子筛脱除醚,5 A分子筛脱除其余杂质。

摘要： 固体蒙砂粉的熟化质量是决定玻璃蚀刻效果的重要因素。用X射线衍射(XRD)、能谱仪(EDS)、拉曼光谱、粘度计、Zeta电位和碱滴定等方法研究了用柠檬酸和氟化氢铵为主要成分配制的蒙砂粉的理化性质随熟化时间的变化规律,考察和评价了熟化时间对GG6手机盖板玻璃蚀刻效果的影响。结果表明:熟化时间为36 h,得到的熟化液的黏度和氢离子浓度最大,GG6玻璃蚀刻后的粗糙度为265 nm、雾度为84%、透光率为92.4%、光泽度为11.7%,符合工业上手机玻璃盖板的蚀刻加工质量要求,蚀刻后的GG6玻璃表面形成一层微量的氟硅酸物晶体,构成的微纳蚀孔结构更均匀。测定蒙砂液的理化性质能有助于更好地了解蒙砂粉的熟化过程,对蒙砂粉蚀刻工艺具有指导作用,提高玻璃防眩工艺的生产效率。

摘要： 采用黄光湿法蚀刻工艺,调整过氧化氢和乙酸的比例,研究了不同蚀刻液配方对镀铜银纳米线导电薄膜的蚀刻效果及蚀刻时间对图案化镀铜银纳米线导电薄膜沟道的影响。结果表明,最佳蚀刻配方为去离子水90 g、过氧化氢2 g、乙酸7 g,最佳蚀刻时间为150 s。采用此蚀刻液配方蚀刻镀铜银纳米线导电薄膜,蚀刻前后光电性能无变化。

摘要： 制备JCC-6M-T合金带材时,水平连铸、轧制和去应力退火工艺对该合金的铸坯、带材组织、性能和质量均产生一定影响。试验结果表明:优化水平连铸铸造温度和拉铸速度,能改善铸坯的晶粒组织和结晶线;优化轧制工艺规程,能保证该合金带材较高的性能,有利于改善带材的轧制板型;优化去应力退火工艺,制备的合金带材在后续蚀刻时不会发生翘曲。

摘要： 海水淡化对人类社会的可持续发展至关重要。电容去离子技术是一种有前途的水处理技术,具有成本低、能效高和应用广泛等优势。MXene是一种新型的二维材料,具有高比表面积、卓越的化学稳定性和可亲水性等优势,在电容去离子脱盐中具有独特的应用前景。本文介绍电容去离子的双电层和赝电容离子存储机制,系统归纳MXene蚀刻制备和插层改性方法,评述近年来二维MXene作为法拉第电极材料在电容去离子脱盐过程中的应用前景。

摘要： 文章依托法国建筑标准、法国绿色建筑评价体系(HQE)、法国EGIS监理,对中铁建工集团承建的阿尔及利亚阿尔及尔的巴哈吉体育场施工的砾石表观控制、蚀刻深度控制、砾石掉落率控制、废水无害化处理四项施工控制关键点进行探究。

摘要： 不对称结构的高频高速多次压合盲埋孔工艺印制板受工艺流程影响一定存在面铜不均的问题,由于补偿不够,线宽75μm、线距60μm以下的细密线路产品蚀刻线细是行业内一直需要解决的技术难点。本文以1款2次压合盲孔不对称结构高速材料POFV产品为研究对象,通过优化CAM文件线宽补偿方式及大小、优化树脂塞孔陶瓷研磨、酸性蚀刻流程参数来满足产品质量与交付需求,供同行参考。

摘要： 专利申请号:CN201810996546公开号:CN109136925A申请日:2014.09.22公开日:2019.01.04申请人:易安爱富科技有限公司本发明涉及一种蚀刻铜及钼含有膜时,控制钼或钼合金膜的侧蚀,实现稳定的蚀刻工程,并可改善蚀刻锥角、蚀刻偏差和蚀刻直线度等蚀刻特性的蚀刻液组合物。所述蚀刻液组合物中,相对于总重量,过氧化氢的含量为10%~30%(质量分数,下同),蚀刻抑制剂的含量为0.1%~5%,螯合剂的含量为0.1%~5%,蚀刻添加剂的含量为0.1%~5%,氟化物的含量为0.01%~2%,侧蚀抑制剂的含量为0.01%~2%,及使总质量达到100%的水。

摘要： 凸盘技术将是下一代服务器CPU控制模块用PCB的主要应用技术之一,常见技术参数要求凸盘高度50 μm,此要求决定其PCB制作技术的重点在外层线路.文中阐述镀铜凸盘做外层线路方法,有先制作凸盘后制作线路,也有先制作出外层线路后再制作凸盘,比较了不同工艺的优缺点.

摘要： 文章以理论分析为基础,对孔阵列中孔数量、孔线间距、孔径大小、孔线排布的走向等因素在碱性蚀刻中对线宽的影响进行了初步分析,确定了孔阵列中对线宽影响的主要因素,为解决孔间线细问题提供了一定价值的参考.

摘要： 现今,电子产品向着短、小、薄、轻的方向发展,这就决定了线路越来越密度化、精细化发展,其线宽、间距越来越小,对线宽及间距的公差也随之要求的越来越严格。特别是产品表面铜厚在20Z时,对于蚀刻的难度是非困难的。针对此种问题，我司对此进行了相关的工艺性试验和研究。

摘要： 在厚铜板件的生产制作过程中,蚀刻一直是一个难点.为了达到蚀刻目的,制作上一般选择多次快速蚀刻或者一次性慢速蚀刻.本文通过对比不同面铜厚度的板进行蚀刻,分析比较不同蚀刻方式对蚀刻因子、线宽和线形的影响,并对其差异性进行原因分析.为生产和设计提供有价值的参考.

摘要： 在正常制作能力为5mil/5mil的设备的基础上，对3mil/3mil精细线路的制作进行了初步的研究，对其基铜的选择、线路的设计、电镀、图形转移和蚀刻的条件做了探讨。

摘要： 聚四氟乙烯(PTFE,Teflon)树脂具有很好的高频传输性能;PTFE基隐埋电阻电路板在高频微波通讯领域应用前景广阔.本论文主要研究PTFE基隐埋电阻电路板的工艺流程及为达到严格的线宽公差、高精度阻值的工艺控制方法.论文针对PTFE电路板蚀刻不均匀的特点,提出了"非均匀补偿"法.实验证明:采用不同于普通FR-4电路板的"非均匀补偿"法,线宽公差可以达到优于普通接受标准的±0.01mm公差;采用"非均匀补偿"的方法,在蚀刻线稳定情况下,对电阻为50欧姆和100欧姆的PTFE隐埋电阻双面板,电阻精度可以达到±3欧姆精度.本文通过理论分析指出隐埋电阻的阻值波动程度与蚀刻波动大小、电阻值的设计值都有关.

摘要： 随着电子产品向轻、薄、小的方向发展,PCB也推向了高密度、微细化发展,因此对精细线路的研究及制作己到了迫切时期,本文研究了表面处理、贴膜条件、曝光级数、显影条件、蚀刻条件、不同铜厚、干膜厚度等各种试验条件对细线路制作的影响.

摘要： 本文主要从PCB内层加工中出现的余铜缺陷现象进行分类,并探讨缺陷产生的原因和相应的改善措施。从覆铜板的来料状况开始进行分析,涵盖对来料、内层图形制作、内层蚀刻等制作流程对内层余铜的影响。在进行内层余铜的改善活动中,主要是控制减少来料的树脂点的影响及强化内层蚀刻的维护过程。文中还探讨了对于余铜检验用AOI的选型影响。

摘要： PCB板外层蚀刻中侧蚀一直是业界极为关注的问题。侧蚀作为衡量蚀刻好坏的一个最重要的因子,工程技术人员通过大量的试验,已形成了一套有效防止侧蚀的措施。但伴随着PTH中厚铜的引入,PTH层侧蚀较快,在导线的侧壁上形成空洞,严重影响了导线的可靠性和电性能。本文在防止侧蚀的基础上重点探讨中厚铜PTH板的凹蚀控制。

摘要： 本文针对电镀不均造成精细线路制作困难的问题,试验分析了不同电镀铜厚、不同最小间距板的线宽过蚀量,推算确定了不同电镀铜厚差异下的线宽大小差异值;并能根据线宽差异值反推出电镀铜厚差异的控制范围,为相关的生产指导和品质判定提供有价值、方便快捷的方法.

摘要： 本文针对电镀不均造成精细线路制作困难的问题,试验分析了不同电镀铜厚、不同最小间距板的线宽过蚀量,推算确定了不同电镀铜厚差异下的线宽大小差异值;并能根据线宽差异值反推出电镀铜厚差异的控制范围,为相关的生产指导和品质判定提供有价值、方便快捷的方法.

摘要： 本发明公开一种蚀刻装置及方法，能在挠性膜卷绕于滚筒式夹具的状态下进行蚀刻加工，以及一种利用所述蚀刻方法蚀刻的挠性膜。所述蚀刻装置包括:加工槽，所述加工槽中包括蚀刻剂；滚筒式夹具，可旋转地设置在所述加工槽中，在其上形成有薄膜的挠性膜卷绕于所述滚筒式夹具的状态下，所述滚筒式夹具浸泡于所述蚀刻剂中；以及滚筒式夹具驱动器，配置成用以旋转所述滚筒式夹具。所述蚀刻装置具有简洁的结构，能有效地在形成有薄膜的大面积挠性膜上进行蚀刻加工。

摘要： 一种蚀刻膏，各组分的质量分数百分比如下：双氧水：20%；醋酸：5%；二氧化硅：5%；羧甲基纤维素：4%；聚乙二醇：10%；丙二醇：15%；水：41%。本发明的蚀刻膏是一种新型的材料，并且能够直接用于例如纳米银导电薄膜或纳米银导电玻璃等蚀刻纳米银导电材料，填补了技术空白。另外，由于该蚀刻膏中不含有强酸及强碱，因此环境污染小。另外，本发明的工艺生产步骤简单，效率较高，适合产业化。

摘要： 一种蚀刻膏，能够直接用于蚀刻纳米银导电薄膜或纳米银导电玻璃，所述蚀刻膏包括酸性蚀刻剂、无机金属盐、酸性介质氧化剂、填料、水溶性聚合物、保湿稀释剂、水。另外，本发明还揭示了一种利用前述蚀刻膏蚀刻纳米银导电材料的方法，其包括如下步骤：(a).将前述蚀刻膏印制在纳米银导电材料上；(b).常温下放置2~15分钟；(c). 将所述纳米银导电材料在60°C~130°C的温度下烘烤10分钟；(d).冲洗去除所述纳米银导电材料上残余的蚀刻膏。本发明的有益效果是：蚀刻膏能够直接用于蚀刻纳米银导电材料，环境污染小；另外，相比传统的蚀刻工艺，本发明的方法生产步骤简单，效率较高，适合产业化。

摘要： 提供一种用于连续且稳定地进行处理的蚀刻方法以及该蚀刻方法中使用的组合物，该蚀刻方法能够抑制铜布线等其它金属的溶出而快速去除由钛和/或钛合金形成的晶种层。更详细而言，提供一种用于蚀刻钛和/或钛合金的组合物以及使用了该组合物的蚀刻方法，该组合物包含过氧化氢(A)、氟化物(B)、氟化物离子以外的卤化物离子(C)和水(D)，其中，以组合物的总量为基准，过氧化氢(A)的含量为0.01～0.23质量％；以组合物的总量为基准，氟化物(B)的含量为0.2～3质量％；以组合物的总量为基准，氟化物离子以外的卤化物离子(C)的含量为0.0005～0.025质量％。

摘要： 本发明公开一种蚀刻装置及方法，能在挠性膜卷绕于滚筒式夹具的状态下进行蚀刻加工，以及一种利用所述蚀刻方法蚀刻的挠性膜。所述蚀刻装置包括:加工槽，所述加工槽中包括蚀刻剂；滚筒式夹具，可旋转地设置在所述加工槽中，在其上形成有薄膜的挠性膜卷绕于所述滚筒式夹具的状态下，所述滚筒式夹具浸泡于所述蚀刻剂中；以及滚筒式夹具驱动器，配置成用以旋转所述滚筒式夹具。所述蚀刻装置具有简洁的结构，能有效地在形成有薄膜的大面积挠性膜上进行蚀刻加工。

摘要： 一种用于蚀刻铜与钼的金属蚀刻剂组合物，其包含过氧化氢及一种有机酸组分；该有机酸组分包含丁二酸及乙酸；其中，丁二酸与乙酸的重量比例范围为1：1.2～1：3。该金属蚀刻剂组合物在进行含有铜与钼的多层金属蚀刻时，能得到具有良好配线形状与均匀性的金属层，并有效避免底切现象产生。本发明还提供一种用于蚀刻铜与钼的金属蚀刻方法，其包括将如上所述的金属蚀刻剂组合物与一种多层金属薄膜接触，使该多层金属薄膜产生蚀刻，其中，该多层金属薄膜包括一个钼层及一个堆叠于该钼层上的铜层。

摘要： 一种蚀刻膏，各组分的质量分数百分比如下：双氧水：20%；醋酸：5%；二氧化硅：5%；羧甲基纤维素：4%；聚乙二醇：10%；丙二醇：15%；水：41%。本发明的蚀刻膏是一种新型的材料，并且能够直接用于例如纳米银导电薄膜或纳米银导电玻璃等蚀刻纳米银导电材料，填补了技术空白。另外，由于该蚀刻膏中不含有强酸及强碱，因此环境污染小。另外，本发明的工艺生产步骤简单，效率较高，适合产业化。

摘要： 本发明的课题是提供一种解决玻璃侵蚀性、面内不均一性、残渣、较长处理时间等问题，对含有Ti或Ti合金层的金属层压膜进行一并蚀刻的蚀刻液。本发明涉及一种用于对至少一层Ti或Ti合金层与至少一层其他金属层构成的金属层压膜进行一并蚀刻的蚀刻液，所述蚀刻液含有含氟酸或生成该含氟酸的氟化物，以及氟可配位的离子。本发明还涉及该蚀刻液的制造方法，以及使用该蚀刻液的蚀刻方法。

摘要： 一种蚀刻膏，能够直接用于蚀刻纳米银导电薄膜或纳米银导电玻璃，所述蚀刻膏包括酸性蚀刻剂、无机金属盐、酸性介质氧化剂、填料、水溶性聚合物、保湿稀释剂、水。另外，本发明还揭示了一种利用前述蚀刻膏蚀刻纳米银导电材料的方法，其包括如下步骤：(a)将前述蚀刻膏印制在纳米银导电材料上；(b)常温下放置2~15分钟；(c)将所述纳米银导电材料在60°C~130°C的温度下烘烤10分钟；(d)冲洗去除所述纳米银导电材料上残余的蚀刻膏。本发明的有益效果是：蚀刻膏能够直接用于蚀刻纳米银导电材料，环境污染小；另外，相比传统的蚀刻工艺，本发明的方法生产步骤简单，效率较高，适合产业化。

摘要： 本发明涉及蚀刻处理技术领域，公开了一种精密蚀刻模组及精密蚀刻装置及其装置的蚀刻工艺，包括模组框架、线性驱动组件、蚀刻喷射装置、蚀刻水槽、夹持装置；精密蚀刻模组实现对蚀刻基板如:PCB板竖直蚀刻，避免了水膜的产生，保证蚀刻的均匀性。本申请的喷管可近距离对基板进行喷射蚀刻,其蚀刻效果效率提高；竖直放置的方式最大的优势在于，可大大减少占地面积；而且同一个精密蚀刻装置内可以对不同蚀刻要求的基板进行蚀刻处理，使得蚀刻加工更加灵活。在实际生产中，某个基板蚀刻生产线的蚀刻处理出现问题，只需要对对应位置的精密蚀刻模组进行调整维修即可，并不会对其他的精密蚀刻模组造成影响，故可以保证其生产效率不会大受影响。