硅片

摘要： 超细硅晶圆磨床是半导体集成电路(IC)生产的重要设备。主要应用于IC制程芯片的制作与处理,以及IC后处理芯片的粘接。国外超精密硅片研磨设备的生产技术得到了快速的发展,其特点是精度高、集成化、自动化。文中主要阐述了超细研磨技术在超细硅片(Φ300 mm)上的应用。对国外超细铣床的性能进行了全面的综述。最后,提出了大尺寸硅晶圆超精密制造技术的发展方向。

摘要： 树脂金刚石线切割机理在制造领域得到一定程度的研究,但对其磨损情况和磨损机理方面研究较少。采用自制的树脂金刚石线对硅晶体进行切割试验,用扫描电镜观察树脂金刚石线的磨损形貌,并对磨损机理进行初步分析。研究表明:切割完成后,没有明显的树脂层脱落现象;树脂金刚石线的磨损主要表现为金刚石轻微破碎、开裂及整体破碎、金刚石和树脂层间的离隙和脱落。金刚石的轻微破损主要是在机械应力作用下产生,不存在热磨损的过程;金刚石开裂及整体破碎主要是因为金刚石内部本身存在微小的裂纹以及反复作用的切割力而造成的;树脂层的开裂是造成树脂层和金刚石产生离隙的主要原因,产生离隙的金刚石在切割力作用下发生脱落现象。根据树脂金刚石线的磨损形貌及机理分析,应选择内部裂纹少的金刚石,并尽量提高树脂层的强度及硬度。

摘要： 固体表面的浸润性是自然界普遍存在的一种性质,在人们的日常生活、工业和农业中具有重要的作用。液体对在固体界面的浸润行为源于固体的表面能和微纳米结构。基于自然界生物的浸润行为,人们对特殊浸润性的功能表面产生了极大地兴趣。近几年来,有关特殊浸润性表面的研究取得了不错的进展。在此,我们讨论了硅片基底表面修饰及其浸润性的变化。通过在超亲水的硅片基底上依次修饰氨基、含3A链的deoxyribonucleic acid(DNA)分子及含氟荧光基团的DNA分子,基底表面的浸润性发生变化。通过侧向力和原子力显微镜测试,表明具有疏水性的表面,侧向力会变小;而当表面具有亲水性时,侧向力变大。

摘要： 根据中国光伏行业协会对“十四五”时期全球光伏发电年新增装机容量的预测数据,利用产业链的生产关系推导出了多晶硅、硅片、太阳电池和光伏组件环节的需求量,同时基于光伏产业链各环节的产能变化趋势,预测出了“十四五”时期各环节的产能和产量情况。通过对比以上需求量和产量,并结合市场规律及相关政策,分析了“十四五”时期中国光伏产业链各环节的供需情况。

摘要： 《动态》:公司近期发布两则新签订单合同公告,截至目前长单情况如何?孔铭:近期公司新签订两项合同:(1)与东方日升签订三年硅片销售长单:2022-2024年公司向东方日升销售硅片共15.72亿片。其中2022年销售不低于0.72亿片,初定2023年销售6亿片,2024年销售9亿片。(2)与华陆工程、新特硅基新材料有限公司(新特能源全资子公司)签订还原炉设备买卖三方协议,合同总金额为3.24亿元,2022年8月31日前交货完毕。

摘要： 在太阳电池制备过程中,采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺对硅片背面镀膜是其重要工序之一,但石墨舟卡点处的硅片在镀膜后常出现瑕疵,且制备的太阳电池进行电致发光(EL)测试时石墨舟卡点处存在EL发黑的情况,严重影响太阳电池的品质。基于此,以利用二合一管式PECVD设备进行硅片背面镀膜时出现的石墨舟卡点处硅片瑕疵及单晶硅太阳电池EL发黑的异常现象为研究对象,分析了此种PECVD设备镀膜时,射频电流、石墨舟卡点形状及石墨舟清洗液配方对石墨舟卡点处硅片和单晶硅太阳电池品质异常的影响,并提出了解决方案。结果表明:利用二合一管式PECVD设备进行硅片背面镀膜时,采用低射频电流、石墨舟采用与硅片接触面积大的卡点形状、石墨舟清洗液配方选择单纯的氢氟酸溶液,能有效解决石墨舟卡点处硅片和单晶硅太阳电池品质异常的情况,显著提升硅片使用该PECVD设备镀膜时的品质及太阳电池良品率。

摘要： 太阳能硅片在金刚线切割和打磨过程中会受到严重沾污,需要采用物理或化学方法去除其表面的污染物,以符合洁净度和表面状态的要求。为了减少对硅片的过度腐蚀以及保持硅片清洗工作液的持久性,通过正交试验,确定了表面活性剂A组分和碱剂B组分的最佳配比。表面活性剂A组分的最佳配比为:乙二胺二邻苯基乙酸钠、PO嵌段FMEE、FMES、伯烷基磺酸钠(PAS)和烷基糖苷(APG)的质量比为7:8:3:5:3。碱剂B组分的最佳配比为:氢氧化钾、氢氧化钠、偏硅酸钠和碳酸钠的质量比为3:1:2:2。以A组分和B组分组成的硅片清洗剂环保、无磷、碱性适中,清洗时间短,对硅粉和金属氧化膜去除效果好,洗后的硅片表面光滑无凹坑、线痕等现象。

摘要： 在对颗粒物理化学性质研究和受力分析基础上,研究了片状硅片和多面体玻璃混合颗粒在震荡分离过程中的动力学规律。开展颗粒震荡分离过程动力学研究对退役光伏组件回收中优化硅玻分离设备结构和工艺参数等具有重要意义。

摘要： 围绕集成电路测试标准数字化建设,结合标准数字化深层需求,以硅片测试标准数字化建设进程为例进行分析,提出集成电路测试标准数字化不仅体现在标准形式的数字化,还应将标准方法数字化。

摘要： 继尺寸之后,厚度开始成为硅片厂商交锋的主战场。中环股份正在试图通过看似寻常的技术创新实现对隆基股份的逆袭。3月1日,中环股份上调硅片报价,引发行业格外关注。而放眼整个光伏产业链,自开年以来就涨声一片。这一次行业的关注点主要落在了硅片厚度上。根据公示,目前中环股份G1、M6、G12等三种规格的硅片,均可以提供从160μm到175μm的产品。

摘要： 本文阐述了支撑高效电池的高品质硅片，铸锭技术和直拉单晶技术均可以做出更高品质的硅片满足PERC高效电池的需求，高效多晶硅片和黑硅技术及PERC电池相结合产生超过300Wp的多晶组件，CCZ单晶技术可以做电阻率和氧含量均匀一致的硅片。

摘要： 对光伏电池硅片表面进行平滑处理，可以降低硅片表面粗糙度降低，修饰硅片表面形貌;同时优化钝化界面，减少界面缺陷态，提高少子寿命，从而使硅片表面钝化效果得到提高。一定条件下的平滑工艺对于硅片表面粗糙度的减小和钝化界面优化有着明显的作用，但是需要在陷光效果和界面性能之间需要找到一个平衡点，所以适当的平滑处理时间是这个工艺的关键。

摘要： 集成电路制造过程中,采用金刚石砂轮的超精密磨削技术是硅片平整化加工和图形硅片背面减薄的重要加工方法,但金刚石砂轮磨削加工不可避免会在硅片的表面/亚表面产生损伤.本文提出针对采用软磨料砂轮的机械化学磨削技术,根据机械化学磨削原理和单晶硅的材料特性,研制了用于硅片磨削的MgO、CeO2和Fe2O3三种软磨料砂轮.通过测量硅片表面粗糙度、表面/亚表面损伤、砂轮修整间隔、主轴电机电流、磨削比及材料去除率等参数,研究了软磨料砂轮的磨削性能,并与同粒度金刚石砂轮的磨削性能以及化学机械抛光(CMP)的加工效果进行了对比分析.结果表明,软磨料砂轮机械磨削硅片的表面/亚表面质量远好于金刚石砂轮,接近于CMP的加工效果;三种软磨料砂轮中,MgO软磨料的磨削性能优于CeO2和Fe2O3软磨料砂轮.

摘要： 介绍了中国电子科技集团公司第四十五研究所自主研发的国内首台300mm硅片化学机械抛光(CMP)设备(PG1201型CMP),简述其结构、功能和工艺流程.根据客户提出的工艺指标,针对CMP过程中出现的硅片加工偏差现象,分析了残余真空、区域压力和保持环力对硅片表面几何参数的影响,并通过具体实验优化工艺参数,提出相应地解决方案.实验结果表明,通过消除残余真空、合理控制区域压力分布和调整保持环力大小,可有效改善硅片的全局平整度和局部平整度.基于PG1201型CMP设备技术,简述了正在研究开发面向集成电路的IC CMP设备情况.

摘要： 由于硅片内部含有杂质以及晶体缺陷,其制备的太阳电池存在着不同程度的光致性能衰减现象.本文用WT-2000测试仪分别对单晶多晶物理提纯硅的原片,去损减薄片,热氧化钝化片,用PECVD沉积双面SiNx:H膜钝化片,碘酒钝化片的少子寿命进行测量,用solar cells IV测试仪对由其制备的太阳电池的各种IV特性参数进行测试,记录这些参数随光照时间的变化情况,找寻这些参数随光照时间的变化规律,从而为寻找硅太阳电池光致衰减的其他根源以及找到抑制和克服光衰的措施提供依据.

摘要： 银直接与硅片接触会形成复合，会直接损失效率0.1-0.2%，形成全铝背场理论上可提高效率。接下来要提高银浆固含，增强银浆致密性，控制中间层玻璃材料对银浆的渗透，解决可焊性及拉力问题。

摘要： 基质介导基因转染是以材料基质作为基因的承载平台,将基因/载体复合物通过物理吸附、静电相互作用、自组装等方式固定在基质表面.与传统转染方法相比,基质介导基因转染可实现基因在细胞周围环境的浓缩,具有细胞毒性小,时空可控性等优点,因此在基因治疗及基因功能研究领域有广阔的应用前景.选择具有光电效应的硅片作为固定基因的基质，希望利用可见光场作用下空穴对吸附在P区表面正电性的阳离子脂质体/基因的复合物的静电排斥作用促进基因的释放，从而增强基质介导基因转染。

摘要： 介绍了湿法黑硅与研究进展，总结和展望，湿法黑硅与CSPV历年CSPV中的湿法黑硅报告，常规HNO3/HF制绒属于各项同性刻蚀,有赖于硅片表面切割损伤层.金刚线切硅片表面损伤层浅并有线痕,导致刻蚀后有线痕残留、绒面浅,从而陷光性能差,最终影响效率。

摘要： 超细正银栅线印刷、德国制造，中国服务、设备高产能与硅片低速度、超高二次叠印精度、运动网版保证恒定的印刷角度。

摘要： 随着TSV加工工艺出现,TSV填充后的硅的结构变化引起了人们越来越多的关注。由于微机械加工工艺(如溅射、光刻等)会在微结构中造成应力分布。已有的实验力学测量方法,难以适应微尺度领域所涉及的微器件或复合结构无损测量问题。微拉曼光谱法在微尺度测量方面具有独特的优势:无损、无接触、空间分辨率高,光谱范围大且频移不受激光光源频率限制等。拉曼实验对测量微结构的应力具有重要意义。

摘要： 本发明公开一种硅片交接精度控制装置、硅片吸附台、硅片传输系统及硅片交接方法，所述硅片交接精度控制装置包括：一摩擦垫，具有用于与所述硅片接触的粗糙表面；一弹簧单元以及位于所述摩擦垫和所述弹簧单元之间的微行程单元，所述微行程单元受到向下的重力时，压缩所述弹簧单元发生形变。与现有技术相比，本发明能够有效地解决硅片交接过程中精度失控的问题，确保硅片交接精度。

摘要： 本发明提供了一种硅片刻蚀的方法、在硅片表面制备减反射绒面的方法和在硅片表面刻蚀特定图形的方法，属于半导体刻蚀技术领域。本发明以固体MnO2作为氧化剂，而HF和其他非氧化性酸用于提供可增强固体MnO2氧化性的酸性环境，在酸性环境中，固体MnO2表现出氧化性，与硅片接触可以将硅氧化，生成的SiO2被HF酸刻蚀，露出新的硅表面与固体MnO2接触，继续被氧化，随着反应进行，在硅片与固体MnO2接触的位置形成刻蚀结构，固体MnO2最终被还原成可溶性的Mn2+离子。该方法可在硅片表面需要刻蚀的地方定点刻蚀，还可用于多晶硅片表面减反射绒面的制备，不需要使用贵金属，也不需要使用硝酸，即可得到反射率低的绒面。

摘要： 本发明实施例公开了一种用于夹取储存在硅片盒中的硅片的装置、方法及硅片传送设备，该装置可以包括：驱动轴，驱动轴能够绕自身的纵向轴线旋转；设置在驱动轴上的多个夹取手臂，所述多个夹取手臂沿着垂直于驱动轴的纵向轴线的方向延伸以便在驱动轴靠近硅片盒移动时伸入到硅片盒中并对硅片进行夹取；设置在每个夹取手臂与驱动轴之间的卡扣机构，卡扣机构能够在锁定状态和解锁状态之间转换，在锁定状态下，驱动轴对夹取手臂进行驱动使得在驱动轴旋转时夹取手臂与驱动轴一起旋转，在解锁状态下，驱动轴无法对夹取手臂进行驱动使得在驱动轴旋转时夹取手臂保持固定不动。

摘要： 本发明提供了一种硅片吸附装置、硅片传送装置、硅片传输系统及传送方法，所述硅片吸附装置安装在所述硅片传送装置上，所述硅片吸附装置包括吸附装置本体和第一吸盘装置，其中：所述吸附装置本体具有第一开口；所述第一吸盘装置包括第一裙边结构，所述第一裙边结构位于所述吸附装置本体的一侧，并与所述第一开口相连接，所述第一裙边结构与所述第一开口的连接处具有一凹槽结构，所述凹槽结构位于所述第一裙边结构的外侧。本发明通过所述第一裙边结构与所述第一开口的外侧连接处具有一凹槽结构，释放了第一裙边结构变形时第一吸盘装置根部的应力。

摘要： 本发明公开一种硅片交接精度控制装置、硅片吸附台、硅片传输系统及硅片交接方法，所述硅片交接精度控制装置包括：一摩擦垫，具有用于与所述硅片接触的粗糙表面；一弹簧单元以及位于所述摩擦垫和所述弹簧单元之间的微行程单元，所述微行程单元受到向下的重力时，压缩所述弹簧单元发生形变。与现有技术相比，本发明能够有效地解决硅片交接过程中精度失控的问题，确保硅片交接精度。

摘要： 本发明实施例提供一种硅片标识的识别方法，包括：通过距离感应装置扫描硅片的标识区域，得到表征硅片标识的起伏结构特征的距离信息，其中，起伏结构为硅片表面的凹陷和/或凸起；将距离信息反馈给处理模块，以使处理模块根据距离信息识别硅片标识。本发明实施例还提供一种硅片打标方法以及硅片。本发明实施例提供的硅片标识的识别方法、硅片打标方法以及硅片，解决了流水线造价昂贵、成本较高的问题。

摘要： 本发明提出了一种硅片的工艺腔体、硅片加工设备和硅片加工方法，其中，工艺腔体包括：壳体，内有腔室；真空门阀，载板，通过真空门阀进出腔室，载板用于承载硅片；传输组件，用于传输载板；在载板进出方向上，腔室的两侧，分别设有多个顶升装置。通过本发明的技术方案，将顶升装置设置在腔室的两侧，并设置了的传输组件，便于载板在工艺腔体内往复传输，减少了载板的传输时长和周转时长，有利于缩短非工艺时间，还减少了载板和大气的接触，提升了载板温度的稳定性和载板的洁净度，有利于提升生产效率和产品质量。

摘要： 本发明公开了硅片清洗装置、硅片双面清洗设备及硅片的清洗方法，硅片清洗装置均包括传送机构、固定装置和清洗机构；固定装置为真空吸附装置，真空吸附装置包括真空吸附平台和真空发生装置；清洗机构包括喷淋结构、吹气烘干结构以及滚刷；滚刷包括转轴、驱动装置和控制器；硅片清洗装置还包括硅片检测装置；辅助传送装置包括第三传送机构和翻转轮；硅片双面清洗设备包括第一清洗装置、第二清洗装置和辅助传送装置。与现有技术比较，本发明大大增加了生产效率，减轻了人工成本。

摘要： 本发明实施例公开了一种用于夹取储存在硅片盒中的硅片的装置、方法及硅片传送设备，该装置可以包括：驱动轴，驱动轴能够绕自身的纵向轴线旋转；设置在驱动轴上的多个夹取手臂，所述多个夹取手臂沿着垂直于驱动轴的纵向轴线的方向延伸以便在驱动轴靠近硅片盒移动时伸入到硅片盒中并对硅片进行夹取；设置在每个夹取手臂与驱动轴之间的卡扣机构，卡扣机构能够在锁定状态和解锁状态之间转换，在锁定状态下，驱动轴对夹取手臂进行驱动使得在驱动轴旋转时夹取手臂与驱动轴一起旋转，在解锁状态下，驱动轴无法对夹取手臂进行驱动使得在驱动轴旋转时夹取手臂保持固定不动。

摘要： 本实用新型公开了一种硅片上料装置、硅片下料装置及硅片翻转输送系统，属于太阳能硅片生产领域。本实用新型的硅片上料装置，其叠放机构包括输入轨道，叠放机构内设有花篮；硅片被上料输送轨道沿第一方向上输送至输入轨道后，花篮的多个硅片放置槽能够依次在第三方向上与输入轨道位置对应，从而将硅片叠放在花篮，从而方便将硅片进行成批翻转。本实用新型的硅片下料装置，其抽放机构包括输出轨道，抽放机构内设有花篮；花篮的多个硅片放置槽能够依次在第三方向上与输出轨道位置对应，使得硅片被输出轨道沿第一方向输送至上料输送轨道上，从而方便将完成翻转后的花篮内的硅片依次取出，并继续输送至下游工序，提高了硅片的翻转和输送效率。