引线框架

摘要： 设计了一种方形扁平无引脚封装(QFN)引线框架全自动贴膜装置,可以满足半导体QFN引线框架生产企业和半导体后道封装测试企业的生产工艺需求。介绍了这一贴膜装置的设计要求、结构、工艺流程、人机界面,分析了上料存料机构模组、贴膜机构模组、上下料搬运机械手模组,并给出了贴膜塑封效果。应用这一贴膜装置,能够解决QFN产品在塑封工艺阶段的溢料问题。

摘要： 本文研究了引线框架在不同温度、不同时间对框架镀银表面与裸铜表面氧化的具体表现,通过对比框架分层情况,分析了铜框架表面不镀银和镀银对可靠性的影响。试验结果表明框架铜表面不镀银对提高集成电路封装产品的可靠性有显著的提升作用。

摘要： 蚀刻引线框架作为集成电路芯片载体的新发展方向,近年来在微电子行业逐步得到应用。由于蚀刻引线框架在制备中需要用到多层具有特定图形的非耐碱的光刻胶膜,而传统的氰化镀银无法满足这一工艺需求,因此发展弱碱性的无氰镀银工艺具有极大应用价值。本文研究了基于5,5-二甲基乙内酰脲(DMH)无氰镀银体系的弱碱性镀银工艺,利用循环伏安法和计时电流法考察了该体系的电沉积行为与银结晶的成核机理;通过改变系列工艺条件确定的该工艺的有效工作窗口;并在优化的工艺条件下表征了镀层性能与镀液性能。结果表明该镀银层结晶细腻,平均颗粒尺度在16.7±3.6 nm。XRD测试表明其等效的晶粒尺度在43.6±3.0 nm,且(200)晶面为择优取向晶面。该镀银层白度为7.2%,光亮度为117 Gs,硬度为74±4 Hv。镀液性能测试表明,该镀液电流效率达到了99.2%(30°C/0.6 ASD),30°C条件下的分散能力约为83%。上述测试及实际蚀刻引线框架样品的试镀均展示了该工艺在实际应用中的潜在价值。

摘要： 针对半导体封测领域方形扁平无引脚封装(QFN,Quad Flat No-leads Package)工艺中的引线框架贴膜工艺和装备,从QFN封装工艺制程、贴膜工艺、关键装备、应用及趋势进行了全面梳理和阐述。归纳总结了引线框架贴膜工艺的分类、国内外发展现状以及发展趋势,比较了主要半导体框架贴膜装备的主要参数,对贴膜工艺发展趋势进行了展望。研究结论对引线框架贴膜工艺在半导体框架贴膜的应用提供了参考,使半导体封测公司在选择相应贴膜装备时有了依据。

摘要： 采用具有不同显微组织的引线框架用C19400铜合金为基材进行电镀Ni,采用扫描电子显微镜(SEM)、光学显微镜(OM)、粗糙度测量仪等分析了铜合金的显微组织对Ni镀层形貌、厚度和表面粗糙度的影响。结果表明:镀层厚度随铜材中变形组织的增加而减小,退火态(O态)基材表面Ni镀层厚度达到了6.11μm,剧烈变形(SH态)基材表面Ni镀层厚度仅为3.73μm。Ni镀层会“复制”铜基材的表面形貌,变形量较大的基材电镀Ni后粗糙度的增幅小于变形量较小的基材。电镀时应结合基体材料的显微组织来调整工艺参数,以获得性能较优的镀层。

摘要： 针对传统引线框架排片机在生产过程中进料部件平稳性差、效率低,X、Y伺服主轴型机械手抓取效率低、入位精度不足等问题,提出一种基于Halcon的新型引线框架排片机。通过改进进料各部件导向结构和驱动形式,采用拉针结构替代传统的皮带式柔性输送结构,实现高效平稳的进料功能。采用SCARA机械臂替代传统X、Y伺服主轴,配合单气缸驱动的抓取机构,实现响应更快、整合性更高的排片功能。设计入位视觉检测模块,利用Halcon视觉库对封装托架边界特征和引线框架定位孔特征进行在线检测与分析。结果表明:该排片机误报率小于2%,漏报率为0,检测时间小于500 ms,满足生产现场实际的应用需求。

摘要： 采用三轧三退一次拉矫的生产工艺流程,进行引线框架用0.1 mm 4J42精密合金带材的生产。通过正交实验设定去应力退火工艺实验方案,对实验结果进行了对比分析,确定出对带材性能和板形影响最明显的因素是退火温度、其次是退火速度,最后是退火张力。并进行了相关系数计算,结果表明:去应力退火温度的变化对带材的硬度、抗拉强度、延长率影响较大,且相关度较高;而去应力退火的速度变化对带材的屈服强度影响较大,呈正相关,且相关度较高;分析了各工艺参数对带材性能的影响,并通过对板形进行对比分析,确定了最佳的去应力退火工艺:退火温度为400°C,退火速度2 m/min,张力8 kg/mm^(2),采用该生产工艺生产出来的冷轧带材板形平整。

摘要： 对近年来引线框架用铜镍硅合金种类和性能进行了综述,并阐述了铜镍硅合金相关强化机制.重点总结了铜镍硅合金力学性能和电导率与Ni、Si含量及不同微量元素添加之间的关系,同时简要介绍铜镍硅合金制备工艺及成形技术的发展现状.提出未来铜镍硅合金性能应满足强度达到750～840MPa,电导率达到35％IACS,其制备技术将向着高新技术集成化,规模化,绿色化方向发展.

摘要： 本文简述了集成电路引线框架的特性,分析了引线框架表面异常对集成电路封装过程及可靠性的影响.阐述了引线框架表面氧化及洁净度对工艺的影响机理,在此基础上说明了解决办法和改善措施.

摘要： 本文以SOP008L为例,通过对等离子清洗前后引线框架水滴角对比试验,工艺实验达到预期的效果,符合封装工艺的实际情况.研究结论对提高封装产品的可靠性提供了相应的参考依据.

摘要： 本文综述了引线框架铜合金材料的性能要求随集成电路的发展而不断提高,指出具有优良的导电导热和强度是引线框架铜合金材料的主要性能要求;同时通过研究国内外引线框架铜合金材料的市场应用和生产技术情况,发现中国自主研制生产的铜基引线框架材料无论是质量还是数量与工业发达国家相比差距巨大,并指出研制铜合金新的成分体系、新的制备工艺是开发高强高导引线框架铜基材料的方向.

摘要： 本文综述了引线框架铜合金材料的性能要求随集成电路的发展而不断提高,指出具有优良的导电导热和强度是引线框架铜合金材料的主要性能要求;同时通过研究国内外引线框架铜合金材料的市场应用和生产技术情况,发现中国自主研制生产的铜基引线框架材料无论是质量还是数量与工业发达国家相比差距巨大,并指出研制铜合金新的成分体系、新的制备工艺是开发高强高导引线框架铜基材料的方向.

摘要： 引线框架铜合金带是构成集成电路的关键材料,由于封装材料对引线框架铜合金的要求十分苛刻,带材生产难度大、质量不稳定、成材率低,笔者经过数万吨对该合金的生产实践与跟踪研究,系统总结了生产引线框架铜带的质量标准以及在生产过程中的质量缺陷预防,通过对该合金生产的过程质量分析,对国内引线框架用铜的质量控制指明了方向.

摘要： 本文综述了引线框架铜合金材料的性能要求随集成电路的发展而不断提高,指出具有优良的导电导热和强度是引线框架铜合金材料的主要性能要求;同时通过研究国内外引线框架铜合金材料的市场应用和生产技术情况,发现中国自主研制生产的铜基引线框架材料无论是质量还是数量与工业发达国家相比差距巨大,并指出研制铜合金新的成分体系、新的制备工艺是开发高强高导引线框架铜基材料的方向.

摘要： 蚀刻设备条件是影响蚀刻图形品质的重要因素,设备的优化在于解决"水池效应".以此原理,并针对集成电路引线框架的特殊要求,优化蚀刻喷架，改进喷嘴排列方案，改进喷架到板面的距离，更换喷嘴，计算喷嘴最佳喷淋角度后重新选型以减小侧蚀量，加大摆动幅度与摆动频率使新旧蚀刻液在板面上交换更迅速，调整蚀刻泵出水压力使水压更趋平稳无跳动。经过反复试验,达到了客户高精度要求.

摘要： 通过电镀槽中屏蔽板的相互补偿作用,改善了集成电路封装过程中新型引线框架表面镀层厚度的均匀性,同时也大大降低了镀层厚度超出规格限的风险.

摘要： 电子电镀中镀银是重要的一道工序，来自环保的压力要求发展和推进绿色的无氰镀银生产工艺。针对电子电镀中镀件形状相对稳定、工艺流程一致的特点，定制开发了电子电镀无氰镀银工艺，并对工艺条件做了初步优化。镀液包括络合剂、辅助络合剂、导电盐和添加剂，适用于集成电路引线框架的喷镀。经过工艺调整，开发了其它的镀银产品，特别是铜导线镀银和某些装饰镀银已经经过小试，正在向产业化方向迈进。

摘要： 铜镍硅系引线框架材料是一种良好的高强中导材料,其中C7025合金引线框架铜合金带是构成集成电路的关键材料,由于封装材料对引线框架铜合金的要求十分苛刻,带材生产难度大、质量不稳定、成材率低,笔者经过数年对该合金的生产实践与性能研究,系统总结了该合金的性能标准,通过对该合金生产的性能指标研究,对国内引线框架用铜的材料标准控制指明了方向.

摘要： 随着微电子行业无铅化进程的推进,纯锡镀层在集成电路引线框架和连接器行业已经成为一种广为接受的锡铅电镀层的替代材料.纯锡镀层的回流焊温度比锡铅镀层的同流焊温度高约40°C,当回流温度从235°C提高到260°C时会引起纯锡镀层的变色,从而影响镀层可靠性.本文在C194引线框架基材上制备了亚光纯锡镀层,采用扫描电子显微镜研究了不同电流密度和不同Sn2+浓度条件下镀层的微观结构.实验结果表明:随着电流密度升高和Sn2+浓度的降低,镀层结晶细化并且疏松,结晶致密度降低,电流效率下降,镀层容易回流焊变色.对回流样品的截面结构微观分析表明镀层致密度低的样品基材中铜元素更容易向锡镀层扩散形成金属间化合物,从而加速锡镀层的变色.

摘要： 研究了形变热处理对Cu-Ni-Si合金组织、性能的影响，试验表明，形变热处理可以显著提高Cu-Ni-Si合金的性能,通过形变热处理后的合金性能可以达到：抗拉强度Rm为700MPa、屈服强度Rp0.2为605MPa、延伸率A11.3为9.0％、显微硬度为210Hv、导电率为50.23％IACS，可以满足高性能框架材料的使用要求。

摘要： 本发明涉及一种引线框架，包括裸片焊盘以及具有被配置为电连接到裸片接触焊盘的内部部分和具有附接部分的外部部分的引线指。附接部分被配置为被焊接到外部焊盘，其中附接部分具有宽度、长度和厚度。开口延伸通过附接部分的厚度。

摘要： 本发明提供了引线框架和引线框架排，属于半导体制造领域，它解决了如何小型化封装结构的问题。该引线框架包括芯片座和分布在所述芯片座一侧的多根引线，所述多根引线包括芯片引线和接脚引线，所述芯片引线与所述芯片座连接，所述接脚引线与所述芯片座断开，所述多根引线为片状并在同一平面上，所述芯片座为片状且与所述引线所在平面平行而不共面。采用引线平面和芯片座平面不共面，则芯片可放置在芯片座的离引线平面更近的一表面上。则芯片的厚度不会额外增加整个封装后的芯片的厚度，有利于芯片封装结构的小型化。

摘要： 本申请涉及芯片载体制造的领域，具体公开了一种铜合金引线框架的后处理工艺以及铜合金引线框架。铜合金引线框架的后处理工艺，包括对铜合金引线框架进行喷砂处理、粗化处理、铜保护处理、密着剂处理、防银胶扩散处理以及烘干出料等步骤。其中，密着剂处理的方法为：将铜合金引线框架置于pH为4‑7的密着剂水溶液中浸泡；密着剂的分子结构中含有‑Si‑OR。铜合金引线框架，经过上述铜合金引线框架的后处理工艺处理而得。本申请在铜合金引线框架后处理中加入了密着剂处理工序，提高了铜合金引线框架的表面附着力，有利于提高铜合金引线框架与封装树脂之间的结合强度，进而提高了芯片、封装树脂和铜合金引线框架的结合紧密性，使芯片更好的发挥作用。

摘要： 本发明的实施例提供了一种引线框架制备方法、引线框架制备模具和引线框架，涉及半导体封装技术领域，该方法通过上模具和下模具对金属芯框架进行固定，然后在上模具和下模具之间形成塑封体，并对塑封体进行横向切片处理，得到多个基板框架，最后对基板框架进行镀层处理，得到多个引线框架。相较于现有技术，本发明避免了采用蚀刻工艺和冲压工艺，而是利用塑封料将金属型材按照排列方式进行塑封制作框架，从而避免了蚀刻工艺和冲压工艺带来的工艺问题，而且大量采用了物理加工方式，提升了引线框架的制造效率。并且引线框架上用于排布管脚的金属层可以直接根据金属型材确定，能够实现相同封装尺寸下排布更多管脚，从而提升了封装性能。

摘要： 本申请公开了一种引线框架、引线框架的形成方法及引线框架封装体。所述引线框架包括：用于承载半导体元件的基岛和围绕所述基岛设置的至少两个引脚；所述引脚的一个表面具有用于连接引线的打线区，其中，所述打线区设有第一金属部，至少所述第一金属部的上表面的材质与待连接引线的材质相同。本申请通过在引脚的打线区设置至少上表面的材质与待连接引线的材质相同的第一金属部，使得引线与引脚之间的结构应力降低，有效提高了引线与框架之间的结合力，从而改善了引线的剥离强度，提高了功率半导体器件的可靠性。

摘要： 本发明提供了引线框架和引线框架排，属于半导体制造领域，它解决了如何小型化封装结构的问题。该引线框架包括芯片座和分布在所述芯片座一侧的多根引线，所述多根引线包括芯片引线和接脚引线，所述芯片引线与所述芯片座连接，所述接脚引线与所述芯片座断开，所述多根引线为片状并在同一平面上，所述芯片座为片状且与所述引线所在平面平行而不共面。采用引线平面和芯片座平面不共面，则芯片可放置在芯片座的离引线平面更近的一表面上。则芯片的厚度不会额外增加整个封装后的芯片的厚度，有利于芯片封装结构的小型化。

摘要： 本发明涉及一种引线框架，包括裸片焊盘以及具有被配置为电连接到裸片接触焊盘的内部部分和具有附接部分的外部部分的引线指。附接部分被配置为被焊接到外部焊盘，其中附接部分具有宽度、长度和厚度。开口延伸通过附接部分的厚度。

摘要： 一种半导体元件(3)被安装在平坦引线框架(11、11A)上，引线框架设置有两个连接导体(4、5)，该元件(3)附着在两个连接导体之间，以及该元件(3)位于第一导体(4)上并且通过在引线框架(11、11A)平面之外的移动，使得第二连接导体处于该元件(3)上方的位置。第二导体(5)的端部位于第一导体(4)的纵向位置外的框架(11A)内，并且借助于沿着弯曲轴的弯曲，使得第二导体(5)的端部处于该元件(3)的位置的上方的位置。弯曲轴与端部的纵轴成斜角。在这种方式下，获得包括如至少一个二极管或者晶体管的半导体元件的半导体器件。

摘要： 本发明公开了一种引线框单元、引线框架及基于引线框单元的封装器件，这种封装结构又称不对称的引线框封装结构(简称为CPC4‑S)，包括一个芯片、一个引线框、多个引脚焊线以及用于包裹上述部分的塑封体。该引线框包含一个基岛、四个引线脚、两个与基岛相连且延伸出来的吊筋。该四个引线脚排布在与基岛相对的两侧，其中一个引线脚为加宽引脚并与基岛相连，另外三个为等宽的窄引脚且与基岛间隔一定的距离，形成不对称的结构。这种引线框单元、引线框架及基于引线框单元的封装器件结构新颖而独特，具有良好的可靠性和散热性能。

摘要： 本申请涉及芯片载体制造的领域，具体公开了一种铜合金引线框架的后处理工艺以及铜合金引线框架。铜合金引线框架的后处理工艺，包括对铜合金引线框架进行喷砂处理、粗化处理、铜保护处理、密着剂处理、防银胶扩散处理以及烘干出料等步骤。其中，密着剂处理的方法为：将铜合金引线框架置于pH为4‑7的密着剂水溶液中浸泡；密着剂的分子结构中含有‑Si‑OR。铜合金引线框架，经过上述铜合金引线框架的后处理工艺处理而得。本申请在铜合金引线框架后处理中加入了密着剂处理工序，提高了铜合金引线框架的表面附着力，有利于提高铜合金引线框架与封装树脂之间的结合强度，进而提高了芯片、封装树脂和铜合金引线框架的结合紧密性，使芯片更好的发挥作用。