IC封装

摘要： 介绍一款自主研发的非BT型IC载板基材,并在此产品的研发、生产和应用中,设计开发出对薄型载板基材弹性模量、韧性及强度等关键性能进行评价和改善的测试方法。该产品已成功应用于储存芯片、Mini-LED芯片等领域。

摘要： 近年来,微电子制造业得到了快速发展,对集成电路(Integrated Circuit)的需求也逐日提升,IC封装表面质量的优劣将决定芯片品质,因此制造企业对IC封装表面质量检测要求也越加重视。但碍于国内相关技术发展起步晚,大多数企业对于IC封装表面的检测还停留在人工和半自动检测阶段,这些方式存在检测效率低下、检测结果不稳定等问题,难以满足自动化生产需求。机器视觉技术能够有效解决上述问题,但是这项技术还未广泛应用于IC封装检测行业,因此,基于HALCON软件平台的IC封装自动目检系统研究具有重要应用研究价值。HALCON是德国MVtec公司开发的一套完善的标准的机器视觉算法包。它拥有应用广泛的机器视觉集成开发环境,它节约了产品成本,缩短了软件开发周期———HALCON灵活的架构便于机器视觉和图像分析应用的快速开发。在欧洲以及日本的工业界已经是公认具有最佳效能的机器视觉软件。MVtec公司是一家全球领先的机器视觉软件制造商,其产品可用于所有要求苛刻的成像领域,如半导体行业、表面检测、自动化光学检测系统等领域。

摘要： 随着微电子技术的发展,电子封装技术也日益趋于成熟,集成电路(IC)芯片变薄,凸起和间距变小将成为必不可少的发展方向,这对封装技术也提出了更加严格的要求.本文总结回顾了IC封装的发展历史并分析了各类IC封装的优劣及存在的经济价值,同时对未来IC封装发展和应用前景进行了展望.

摘要： 1.PCB阻焊工序生产技术现状1.1 PCB、IC载板类产品阻焊工艺,目前国内载板阻焊主要生产方式以油墨为主工序,主工序流程见图1。此工艺最大技术亮点为解决PCB表面油墨平整性(≤3μm),便于IC封装,见图2。

摘要： 贴片机(iineo+)由于受设备托盘限制,无法一次贴装3种以上IC封装元器件,影响了生产效率及焊接质量。提出了一种解决贴片机贴装IC封装类型受限制的经济型措施,该措施合理利用原托盘,根据自身需求对托盘进行剪切,再根据需求选择性拼接,自由组合成一个托盘,便解决了3种以上IC封装一次贴片,保证了产品质量,提高了生产效率及焊接质量。

摘要： 贴片机(iineo+)由于受设备托盘限制,无法一次贴装3种以上IC封装元器件,影响了生产效率及焊接质量.提出了一种解决贴片机贴装IC封装类型受限制的经济型措施,该措施合理利用原托盘,根据自身需求对托盘进行剪切,再根据需求选择性拼接,自由组合成一个托盘,便解决了3种以上IC封装一次贴片,保证了产品质量,提高了生产效率及焊接质量.

摘要： BAW是一种微型谐振器技术,它支持把高精度和超低抖动时钟直接集成到包含其他电路的IC封装中。因此,采用BAW技术的设备比外置石英晶振的设备更加小巧,同时可提供更高质量的有线和无线网络信号。在TI发布的两款全新的基于BAW谐振器的产品中,微型计时器的尺寸仅有100微米,比头发的直径还小,但它们的运行频率却远高于石英晶体。

摘要： 针对IC(集成电路)芯片烘箱在温度控制中因腔体均匀性差导致调节效率低的问题,在烘箱温度控制程序中引入了对初始条件不敏感、能够寻求全局最优解的自适应在线遗传算法PID控制策略.通过对改进前后两种设备的算法模型进行实测数据对比分析,证明采用遗传PID控制方案的设备性能要远优于采用传统PID方案的设备,其温度调节速率明显提高,并具有良好的动态特性和鲁棒性.

摘要： 随着MEMS制造及3D-IC封装技术的发展,喷胶技术的应用越来越广泛。本文结合实验论述了喷胶技术的发展、应用、优点;分析了影响喷胶工艺质量的因素;并对未来喷胶技术的前景作了一定的展望。实验采用AZ4620光刻胶,对375μm深的TSV孔进行雾化喷胶。引言:随着微电子机械系统(MEMS)与3D-IC封装技术应用的发展,为了满足不断发展的小尺寸和高集成度的器件要求,需要在非平整的表面上(具有沟道、V型槽以及深孔)覆盖共形的光刻胶。

摘要： 集成电路芯片不断向高密度、高性能和轻薄短小方向发展，为满足IC封装要求，图形硅片的背面减薄成为半导体后半制程中的重要工序。随着大直径硅片的应用，硅片的厚度相应增大，而先进的封装技术则要求更薄的芯片，超精密磨削作为硅片背面减薄主要工艺得到广泛应用。本文分析了几种常用的硅片背面减薄技术，论述了的基于自旋转磨削法的硅片背面磨削的加工原理、工艺特点和关键技术，介绍了硅片背面磨削技术面临的挑战和取得的新进展。

摘要： 集成电路芯片不断向高密度、高性能和轻薄短小方向发展，为满足IC封装要求，图形硅片的背面减薄成为半导体后半制程中的重要工序。随着大直径硅片的应用，硅片的厚度相应增大，而先进的封装技术则要求更薄的芯片，超精密磨削作为硅片背面减薄主要工艺得到广泛应用。本文分析了几种常用的硅片背面减薄技术，论述了的基于自旋转磨削法的硅片背面磨削的加工原理、工艺特点和关键技术，介绍了硅片背面磨削技术面临的挑战和取得的新进展。

摘要： 集成电路芯片不断向高密度、高性能和轻薄短小方向发展，为满足IC封装要求，图形硅片的背面减薄成为半导体后半制程中的重要工序。随着大直径硅片的应用，硅片的厚度相应增大，而先进的封装技术则要求更薄的芯片，超精密磨削作为硅片背面减薄主要工艺得到广泛应用。本文分析了几种常用的硅片背面减薄技术，论述了的基于自旋转磨削法的硅片背面磨削的加工原理、工艺特点和关键技术，介绍了硅片背面磨削技术面临的挑战和取得的新进展。

摘要： 集成电路芯片不断向高密度、高性能和轻薄短小方向发展，为满足IC封装要求，图形硅片的背面减薄成为半导体后半制程中的重要工序。随着大直径硅片的应用，硅片的厚度相应增大，而先进的封装技术则要求更薄的芯片，超精密磨削作为硅片背面减薄主要工艺得到广泛应用。本文分析了几种常用的硅片背面减薄技术，论述了的基于自旋转磨削法的硅片背面磨削的加工原理、工艺特点和关键技术，介绍了硅片背面磨削技术面临的挑战和取得的新进展。

摘要： 集成电路芯片不断向高密度、高性能和轻薄短小方向发展，为满足IC封装要求，图形硅片的背面减薄成为半导体后半制程中的重要工序。随着大直径硅片的应用，硅片的厚度相应增大，而先进的封装技术则要求更薄的芯片，超精密磨削作为硅片背面减薄主要工艺得到广泛应用。本文分析了几种常用的硅片背面减薄技术，论述了的基于自旋转磨削法的硅片背面磨削的加工原理、工艺特点和关键技术，介绍了硅片背面磨削技术面临的挑战和取得的新进展。

摘要： 提出了扩晶装置的结构.该装置可完成片盒、内圈和外圈的输入和取片动作,实现扩晶过程张紧力的调节控制、分离晶圆和衬架、排出空片盒和废弃的衬架等.特别讨论了取片和扩晶动作的结构和原理.各零件和动作相互配合,能用内外圈将晶圆箍牢.该装置可取代手动装置,为各种粘片机提供配套设备.

摘要： 提出了扩晶装置的结构.该装置可完成片盒、内圈和外圈的输入和取片动作,实现扩晶过程张紧力的调节控制、分离晶圆和衬架、排出空片盒和废弃的衬架等.特别讨论了取片和扩晶动作的结构和原理.各零件和动作相互配合,能用内外圈将晶圆箍牢.该装置可取代手动装置,为各种粘片机提供配套设备.

摘要： 提出了扩晶装置的结构.该装置可完成片盒、内圈和外圈的输入和取片动作,实现扩晶过程张紧力的调节控制、分离晶圆和衬架、排出空片盒和废弃的衬架等.特别讨论了取片和扩晶动作的结构和原理.各零件和动作相互配合,能用内外圈将晶圆箍牢.该装置可取代手动装置,为各种粘片机提供配套设备.

摘要： 提出了扩晶装置的结构.该装置可完成片盒、内圈和外圈的输入和取片动作,实现扩晶过程张紧力的调节控制、分离晶圆和衬架、排出空片盒和废弃的衬架等.特别讨论了取片和扩晶动作的结构和原理.各零件和动作相互配合,能用内外圈将晶圆箍牢.该装置可取代手动装置,为各种粘片机提供配套设备.

摘要： 提出了扩晶装置的结构.该装置可完成片盒、内圈和外圈的输入和取片动作,实现扩晶过程张紧力的调节控制、分离晶圆和衬架、排出空片盒和废弃的衬架等.特别讨论了取片和扩晶动作的结构和原理.各零件和动作相互配合,能用内外圈将晶圆箍牢.该装置可取代手动装置,为各种粘片机提供配套设备.

摘要： 公开了用于封装体叠层（PoP）组件的下集成电路（IC）封装结构的实施例。下IC封装结构包括具有与上IC封装的端子配合的焊盘的插入体。将密封剂材料设置到下IC封装中，可以将这一密封剂设置为邻近一个或多个IC管芯。可以使上IC封装与下IC封装耦合以形成PoP组件。可以将这种PoP组件设置到主板或其他电路板上，或者其可以形成计算系统的部分。还描述了其他实施例，并要求对其进行保护。

摘要： 本申请的实施例提供了一种IC封装射频结构和IC封装射频结构制作方法，涉及射频天线结构技术领域，IC封装射频结构包括基板、芯片、发射天线和反馈天线，所述基板内设置有一腔体；所述发射天线设置在所述基板的一侧；所述反馈天线设置在所述基板远离所述发射天线的一侧；所述芯片设置在所述腔体内且远离所述发射天线的一侧，所述芯片分别与所述发射天线和所述反馈天线电连接；通过反馈天线接收反馈信号并传输给所述芯片，能够使所述芯片根据所述反馈信号调整通过所述发射天线发射的发射信号，提高IC封装射频结构的性能。

摘要： 本申请提供了一种IC射频天线封装结构制作方法和IC射频天线封装结构，涉及半导体封装技术领域。该制作方法包括分别提供第一基材和第二基材，在第一基材上贴装功能芯片，在第一基材上开设第一半球槽，在第一半球槽内设置第一介质层，形成第一封装件；在第二基材上贴装射频芯片，塑封并露出射频芯片的第二线路焊盘；在第二线路焊盘设置射频连接端；在射频连接端设置天线；在第二基材上开设第二半球槽，在第二半球槽内设置第二介质层，形成第二封装件；压合第一封装件和第二封装件，以使第一半球槽的槽口与第二半球槽的槽口相对合成球体，以使天线的信号经球体向外传输，实现天线信号的定向传输。

摘要： 本发明的实施例提供了一种IC封装结构和IC封装方法，涉及芯片封装领域，该IC封装结构包括：基板、贴装在基板上的应力缓冲片、贴装在应力缓冲片上的封装芯片、以及包覆在封装芯片外的塑封体，其中，封装芯片与基板电连接，应力缓冲片用于缓冲作用在封装芯片上的应力。相较于现有技术，本发明提供的IC封装结构，将应力缓冲片通过银胶贴装在基板上，封装芯片通过银胶贴装在应力缓冲片上。应力缓冲片具有一定的形变能力，利用应力缓冲片来缓冲作用在封装芯片上的应力，避免将封装芯片直接贴装在基板上，从而避免了由热膨胀系数不匹配导致的应力作用在正装封装芯片上，避免了应力引起封装芯片性能下降。

摘要： 本申请的实施例提供了一种IC射频封装结构制作方法和IC射频封装结构，涉及IC射频天线技术领域，IC射频封装结构制作方法包括：提供一基板，在基板的一侧设置多个管脚连接点；在基板上多个管脚连接点所在的一侧设置第一塑封体；在基板上第一塑封体所在的一侧设置保护膜；在第一塑封体上设置天线；除去保护膜，并在基板上天线结构所在的一侧设置芯片；对芯片进行塑封形成第二塑封体；在基板内部设置基板线路层，第一管脚连接点和第二管脚连接点通过基板线路层电连接，IC射频封装结构包括基板、天线结构和芯片结构，能够得到具备稳定天线的IC射频封装结构。

摘要： 公开了用于封装体叠层（PoP）组件的下集成电路（IC）封装结构的实施例。下IC封装结构包括具有与上IC封装的端子配合的焊盘的插入体。将密封剂材料设置到下IC封装中，可以将这一密封剂设置为邻近一个或多个IC管芯。可以使上IC封装与下IC封装耦合以形成PoP组件。可以将这种PoP组件设置到主板或其他电路板上，或者其可以形成计算系统的部分。还描述了其他实施例，并要求对其进行保护。

摘要： 本发明提供了一种IC射频封装结构和IC射频封装结构的制备方法，涉及半导体封装技术领域，通过在基板上设置芯片，并且在基板上通过打线形成横跨芯片两侧的线弧天线，然后通过塑封体对芯片和线弧天线进行包覆，并且线弧天线与基板电连接，线弧天线的顶端外露于塑封体，实现发射或接受信号。相较于现有技术，本发明通过打线结构形成立体三维形状的天线结构，从而能够实现多向的无线发射/接收结构，提升天线的适用范围，同时天线横跨芯片设置，能够起到波导信号聚集的作用，从而实现天线发射增益。并且打线结构成本低廉，结构稳定性好，能够有效地实现散热和增强结构强度的作用，避免了传统印刷或溅射方式带来的一系列问题。

摘要： 一种IC封装件，包括：第一管芯，包括正面和背面，正面包括第一信号路由结构，背面包括第一配电结构；第二管芯，包括正面和背面，正面包括第二信号路由结构，背面包括第二配电结构。IC封装件包括第三配电结构，位于第一配电结构和第二配电结构之间，并且电连接至第一配电结构和第二配电结构中的每一个。本申请的实施例提供了IC封装件及其形成方法以及在IC封装件中分配电源的方法。

摘要： 本申请提供了一种IC射频天线封装结构制作方法和IC射频天线封装结构，涉及半导体封装技术领域。该制作方法包括分别提供第一基材和第二基材，在第一基材上贴装功能芯片，在第一基材上开设第一半球槽，在第一半球槽内设置第一介质层，形成第一封装件；在第二基材上贴装射频芯片，塑封并露出射频芯片的第二线路焊盘；在第二线路焊盘设置射频连接端；在射频连接端设置天线；在第二基材上开设第二半球槽，在第二半球槽内设置第二介质层，形成第二封装件；压合第一封装件和第二封装件，以使第一半球槽的槽口与第二半球槽的槽口相对合成球体，以使天线的信号经球体向外传输，实现天线信号的定向传输。

摘要： 本发明提供一种IC封装基板及其制作方法，制作方法包括：提供具有相对第一面和第二面的芯板，自第一面在芯板中进行第一次开孔，形成若干个第一孔，在第一孔内填充第一导电材料，自第二面在芯板中进行第二次开孔，形成若干个第二孔，在第二孔内填充第二导电材料，第一孔内的第一导电材料构成第一导电柱，第二孔内的第二导电材料构成第二导电柱，以进行散热。本发明的IC封装基板制作中，通过高密度通孔实现印刷线路板的散热，基于通孔填孔的方式替代现有埋铜块的制作方法，还可以将散热结构与线路层制备结构，提高线路板散热效果，提高结构的稳定性，简化制备工艺，提高工艺效率，适于批量生产。