QFN封装

摘要： 【2022年7月6日,德国慕尼黑讯】凭借其众多优点,三相无刷直流(BLDC)电机正在成为设计现代化电池供电型电机产品的首要选择。然而,为了让产品符合人体工学设计并延长电池的使用寿命,需要缩小产品的尺寸并减轻重量,这给产品设计带来了巨大挑战。为了帮助设计师满足终端市场的需求,英飞凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)推出了完全可编程的电机控制器MOTIX™IMD700A和IMD701A。它们采用9x9 mm264引脚VQFN封装,能够让无线电动工具、园艺用品、无人机、电动自行车以及自动导引车拥有更高的集成度以及功率密度,从而满足用户需求。

摘要： 在经济和科技发展的大力加持下,SMT 制造工艺已经取得了长足进步,这主要也得益于工业发达所带来的大量电子产品需求。将 SMT 技术应用于电子行业中,不仅能够在提高产品可靠性方面发挥积极作用,同时也能够有效节约成本,使企业获得利益最大化。然而,尽管当前 SMT 技术的应用优势已经越发凸显,但在实际制造过程中仍有一系列问题亟待解决,尤其是 SMT 制造工艺中关于焊接缺陷的问题,给电子装配产品的最终质量带来了极度不利的影响。基于此,本文就 SMT 制造工艺的焊接缺陷进行分析,进而提出以下相关内容。

摘要： 针对半导体封测领域方形扁平无引脚封装(QFN,Quad Flat No-leads Package)工艺中的引线框架贴膜工艺和装备,从QFN封装工艺制程、贴膜工艺、关键装备、应用及趋势进行了全面梳理和阐述。归纳总结了引线框架贴膜工艺的分类、国内外发展现状以及发展趋势,比较了主要半导体框架贴膜装备的主要参数,对贴膜工艺发展趋势进行了展望。研究结论对引线框架贴膜工艺在半导体框架贴膜的应用提供了参考,使半导体封测公司在选择相应贴膜装备时有了依据。

摘要： 意法半导体推出了新一代汽车智能开关模块VN9D30Q100F和VN9D5D20FN,这是市场上首款在片上全数字诊断功能中增加了数字电流检测回路的驱动芯片,为12V电池供电汽车系统高边连接专门设计,可简化电控单元(ECU)的硬件和软件设计,并增强系统可靠性。新器件利用意法半导体新一代的VIPower*M0-9技术,在6mm x 6mm QFN封装中整合一个带3.3V数字逻辑电路的高效40V沟槽垂直MOSFET和高精度模拟电路,其紧凑尺寸和高集成度比市场上现有类似驱动器芯片节省电路板面积高达40%。

摘要： QFN封装芯片体积小、重量轻,它特殊的底部PAD能有有效的散热,具有卓越的电性能和热性能[1].然而如果芯片管脚与芯片散热PAD存在内部短路的问题时,在FT测试将无法准确的筛选出来.部分芯片在终端客户无法正常使用从而引发客户投诉和质量问题.针对此问题,对FT测试方案在硬件设计上进行了优化改善,能够准确的筛选出封装异常芯片.

摘要： 儒卓力推出高功率密度紧凑型电源模块,该器件采用薄型QFN封装和集成式屏蔽电感器,很适合空间受限的应用.带有降压稳压器的Recom RPX-2.5电源模块采用集成的倒装芯片技术,提供高功率密度和优化的散热管理功能.该器件采用薄型QFN封装(4.5mm×4mm×2mm)和集成式屏蔽电感器,非常适合空间受限的应用.

摘要： 本文介绍仅需0 dBm LO驱动的宽带3 GHz至20 GHz SiGe无源混频器。新巴伦结构是实现宽RF带宽的关键创新。针对IF频段应用也采用相同的巴伦拓扑,支持300 MHz至9 GHz的宽IF。该高性能双平衡混频器可用于上变频或下变频。该混频器采用2 mm×3 mm、12引脚小型QFN封装,提供23 dBm IIP3和14 dBm P1dB。采用3.3 V电源供电时,混频器功耗为132 mA。

摘要： QFN封装成为CTP触控模组主流IC封装之一.阐述CTP-IC的FPC设计、焊盘开窗及钢网设计等上游优化方案.关注焊膏工艺参数的内在联系,SMT制程特控点及QFN焊点检测方法,从而提升CTP触控模组SMT生产直通率和焊点可靠性.

摘要： 本发明涉及引线框架、QFN封装体、及形成QFN封装体的方法。一种适于QFN封装的引线框架包括第一芯片座和相邻的第二芯片座、第一引脚阵列和第二引脚阵列。第一、第二引脚阵列配置为连接位于其各自近侧的第一、第二芯片座的电路。第一引脚阵列和第二引脚阵列通过连筋连接在一起，且在曝露表面具有凹槽，该凹槽在去除连筋后仍会部分保留，该凹槽的保留部分的深度在引脚厚度的1／3～2／3的范围之内，开口宽度在引脚宽度的1／4～2／3的范围之内，在引脚长度方向上延伸至1／6～1／2的范围之内。凹槽的该保留的部分在单独的芯片封装体中曝露在外，在表面贴装程序中，融化的焊料更容易沿凹槽浸润以使得表面贴装更为牢固。

摘要： 本发明提供一种用于QFN封装件镀膜的临时载板和QFN封装件镀膜方法，临时载板在镀膜工艺中临时承载QFN封装件，所述临时载板包括底板和覆盖在所述底板上的柔性胶层，所述底板上设有至少一个贯穿所述底板的避让腔，用于在镀膜时配合所述QFN封装件的接地引脚焊盘，所述底板于所述避让腔之外的部分用于承载所述QFN封装件主体部分及其功能引脚焊盘。通过使用形成有避让腔的临时载板以及柔性胶层，只需通过一次压合及镀膜操作即可在QFN封装件上镀覆形成与接地引脚焊盘电性连接的电磁屏蔽层，无需额外的预先和镀后处理，工艺流程简单，且电磁屏蔽镀层屏蔽效果优良，可靠性高。

摘要： 本发明提供了一种增强QFN封装焊接效果的方法及QFN封装，在QFN封装底部形成一个內缩式的结构层，最底部比正常封装尺寸稍小，然后在最底部结构层和次底层形成一个高度差，形成爬锡的通道，焊接时，除了最底部结构层有锡焊接住之外，锡还可以爬升到次底层和次底层的侧面，额外增加焊接面积和锡的含量，增强QFN封装的零件焊接的质量。本发明解决了因QFN封装类的零件由于引脚全部在底部引起的焊接不良的问题，保证了QFN封装零件的焊接的质量和可靠性，从而保证了产品的稳定性和安全性。

摘要： 本发明涉及引线框架、QFN封装体、及形成QFN封装体的方法。一种适于QFN封装的引线框架包括第一芯片座和相邻的第二芯片座、第一引脚阵列和第二引脚阵列。第一、第二引脚阵列配置为连接位于其各自近侧的第一、第二芯片座的电路。第一引脚阵列和第二引脚阵列通过连筋连接在一起，且在曝露表面具有凹槽，该凹槽在去除连筋后仍会部分保留，该凹槽的保留部分的深度在引脚厚度的1／3～2／3的范围之内，开口宽度在引脚宽度的1／4～2／3的范围之内，在引脚长度方向上延伸至1／6～1／2的范围之内。凹槽的该保留的部分在单独的芯片封装体中曝露在外，在表面贴装程序中，融化的焊料更容易沿凹槽浸润以使得表面贴装更为牢固。

摘要： 本发明涉及半导体器件封装技术领域，尤其涉及一种QFN框架结构、一种QFN封装结构以及它们的制作方法。QFN框架结构的制作方法包括：对基板背面焊盘以外的区域进行半蚀刻，形成凹陷的半蚀刻区；封装半蚀刻区形成第一封装体；对基板正面焊盘以外的区域进行全蚀刻，形成凹陷的全蚀刻区，制得QFN框架结构。QFN封装结构的制作方法包括：在QFN框架结构上进行半导体器件装配和打线；对QFN框架结构进行封装形成第二封装体，第二封装体包埋QFN框架结构的正面。采用“半蚀刻—封装—全蚀刻‑封装”的工艺方法可解决焊盘不可悬空的问题，无需将焊盘引出至框架结构四周即可以实现支撑，从而可降低QFN器件的面积及焊盘布局的难度。

摘要： 本发明提供一种QFN芯片的PCB封装设计方法及QFN芯片，所述QFN芯片的PCB封装设计方法包括：在所述QFN芯片的接地焊盘上增加至少三个通孔，所述通孔与所述QFN芯片PCB背面外层铜箔相连。本发明的技术方案只在产品内部的QFN芯片上作处理，不影响产品外观。同时本技术方案可以使用在任何数量脚位的QFN芯片散热，设计简单，操作方便，散热效果明显。与现有技术相比，本技术方案在PCB layout设计时减少了接地焊盘上的via孔数，从而有效的节约PCB生产成本；同时增加了QFN芯片的使用寿命时间，也大大的节约了成本。

摘要： 本发明公开了一种晶圆级QFN封装结构及其封装方法，晶圆级QFN封装方法包括：提供临时衬底；在临时衬底上形成互连层，互连层具有第一连接层；提供芯片，芯片具有相对的第一表面和第二表面，芯片第二表面具有第一衬垫；将芯片设置在互连层上，使芯片第一表面与互连层相对；将第一连接层与第一衬垫连接；在临时衬底上形成塑封层，塑封层覆盖芯片和互连层；去除临时衬底。本发明通过在临时衬底上形成互连层，使芯片的第一衬垫与第一连接层连接，实现芯片与互连层的电连接，同时去除临时衬底之后，在晶圆级实现芯片的封装，从而替代QFN基板，实现更小的封装体积。

摘要： 四方扁平无引线(QFN)封装包括半导体管芯，引线框架和模塑料。引线框架包括：管芯附着垫，其具有大致矩形的内部；以及围绕其外围并与其邻接并从其向外延伸的多个突起；以及围绕管芯附着垫的四个侧面的多个引线。模塑料密封半导体管芯并形成封装。模塑料在管芯附着垫的每一侧和相应的一组引线之间具有相应的壕沟。管芯附着垫具有至少在管芯附着垫的内部中从管芯附着垫的第二表面朝向第一表面延伸的多个沟槽。多个沟槽中的至少一个横穿突起延伸至壕沟。

摘要： 本实用新型提供了一种QFN封装导热焊盘，其包括焊盘部，所述焊盘部上设置有若干凹槽，至少部分的所述凹槽相互交叉。本实用新型还提供了一种具有上述导热焊盘的QFN封装结构，本实用新型的QFN封装导热焊盘及具有其的QFN封装结构，在焊盘部设置有凹槽，该凹槽能够为回流焊过程中助焊剂分解气体提供了有效的逸出通道，降低散热焊盘的焊点空洞问题。

摘要： 本实用新型提供一种QFN封装结构，包括位于所述封装结构底侧且裸露的芯片座，芯片座顶面设置有芯片，芯片座四周设置有若干引脚，所述若干引脚在所述封装结构的底侧和侧面裸露；所述芯片的外接端子通过金属导线连接到相对应的引脚；塑封体将所述芯片、引脚和金属导线密封；还包括：从所述封装结构的底面沿着所述封装结构的侧面，由下而上切削而成的凹槽，所述凹槽的深度大于等于在侧面裸露的所述引脚的厚度，且小于所述封装结构的侧面的厚度。在焊接该QFN封装结构时，如果锡过量，多余的锡会被引导到该槽中，因此，就不会增加QFN封装在PCB板上所占据的面积，提高焊接质量。