SiGe

摘要： 目的探讨布地奈德喷鼻联合灌洗对鼻窦炎患者功能性内窥镜鼻窦术的临床效果观察及对变应原特异性IgE(sIgE)、外周血嗜酸粒细胞(Eos)水平的影响。方法选取2019年9月至2021年3月新乡医学院第三附属医院收治的72例鼻窦炎患者,所有患者均行功能性内窥镜鼻窦术治疗,按照数字随机表达法分配为对照组与观察组,每组各36例,对照组给予布地奈德喷鼻治疗,观察组在对照组基础上联合鼻腔灌洗,比较两组术前术后鼻黏膜纤毛功能、改良Lund-Mackay内镜评分系统(MLMES)鼻窦内镜评分及血清sIgE、Eos评分。结果术前,两组鼻黏膜纤毛功能水平、MLMES、sIgE、Eos均相近(P>0.05);术后,两组各项指标均有改善,而观察组均优于对照组(P<0.05)。结论行功能性内窥镜鼻窦术的鼻窦炎患者治疗中采用布地奈德喷鼻及灌洗的联合治疗,疗效显著,对患者鼻黏膜功能、黏膜形态以及血清sIgE、Eos水平均有积极的影响,值得推广。

摘要： 随着传统的平面金属-氧化物半导体场效应管(MOSFET)特征尺寸逐渐缩小到20nm以下,栅极氧化物厚度减小,栅极对沟道区域的控制能力减弱。而非传统的多栅结构器件对电荷有很好的控制能力,改善因等比例缩小所引起的各种效应。本文基于GTS TCAD仿真软件,对SiGe Core-shell FinFET器件的内外层沟道Si_(x)Ge_(1-x)组分配比进行仿真。仿真结果表明,当inner Ge组分为0,outer Ge组分为0.5时,器件性能获得最大收益,并将SiGe Core-shell FinFET器件与Si-FinFET、Ge-FinFET器件进行比较。研究结果表明,SiGe Core-shell FinFET器件I_(dsat)相比于Si-FinFET有2.3倍的提升,亚阈值摆幅(Subthreshold swing,SS)大约有30mV/dec的下降。

摘要： 随着无线通信技术的高速发展,对高频率高带宽的频率源需求愈加迫切。在高频大带宽频率源中,高性能的分频器是一个重要的部分。为满足高频宽带通信的应用需求,设计实现了基于电流模逻辑结构的高频宽带除8/9、16/17前置分频器。通过分析CML锁存器工作原理与性能,设计了优化参数的集合与门的CML结构D触发器、双路选择器、逻辑或门结构,并基于该D触发器、选择器、或门设计了除8/9、16/17前置分频器。前置分频器使用0.18μm SiGe BiCMOS工艺流片并测试,测试结果表明,在3.3 V电源电压下,分频器工作频率可达20 MHz~8 GHz,带宽约8 GHz,功耗6.6 mW。与其他设计相比,设计的分频器功耗低同时还具有较高的工作频率和大的带宽。

摘要： 目的 探讨特应性皮炎(atopic dermatitis,AD)患儿血清半乳糖凝集素-10(galectin-10)和特异性IgE(sIgE)之间的关系.方法 检测137例AD患儿及137例健康体检儿童血清galectin-10、3种血清sIgE、外周血嗜酸粒细胞.结果 血清galectin-10水平、外周血嗜酸粒细胞计数AD组高于健康对照组,P0.05;血清galectin-10水平随着患儿年龄增长有逐渐下降的趋势,P<0.05.结论 血清galectin-10水平与AD发生和病情相关,可作为疾病活动性的参考指标之一,尤其与AD食物过敏有关.

摘要： 随着器件特征尺寸进入5 nm及以下技术节点,SiGe高迁移率沟道FinFET或GAA三维器件成为了研究热点。总结了适用于三维器件的SiGe高迁移率沟道导入集成、钝化及低阻接触技术的挑战及潜在解决方案。对于FinFET器件,STI last沟道导入方案更利于获得高质量的SiGe沟道导入集成。而对于GAA器件,通过优化牺牲层/沟道层叠层外延及湿法释放工艺可实现SiGe沟道导入集成。同时,O3钝化技术及与高阶前驱体源漏选择性外延相结合的Ga/B共掺杂技术成为了最有潜力的钝化和低阻接触技术。

摘要： 目的:调查广西桂中地区过敏性鼻炎(AR)患者的主要过敏原,了解年龄、性别、季节及环境因素与疾病之间的相关性. 方法 应用免疫印迹法检测 1892 例临床疑为过敏性鼻炎患者血清中 20 种过敏原特异性 IgE(sIgE). 结果 1892 例患者中,sIgE阳性率为 74.26%,前 5 位排序吸入性过敏原依次为尘螨组合(58.19%)、屋尘(23. 52%)、蟑螂(17.07%)、艾蒿(13.58%)、猫毛(12.20%),食物性过敏性依次为牛奶(11.31%)、蟹(8.83%)、海鱼组合(7.51%)、黄豆(5.66%)、鸡蛋白(4.12%).不同性别、年龄、季节及生活环境过敏原阳性率差异有统计学意义.结论 桂中地区过敏性鼻炎主要由吸入性过敏性引起,以尘螨组合最为常见.不同性别、年龄、季节及生活环境对过敏原的分布有显著差异.

摘要： 目的 探讨呼出气一氧化氮(FeNO)测定在不同病原体婴幼儿反复喘息疾病中的临床意义.方法 选择2016年1月～2018年12月480例石家庄地区反复喘息(既往1年内喘息≥3次)婴幼儿,于喘息急性期、缓解24 h后、出院1月测定FeNO,对不同时期FeNO水平进行横向研究比较,结合呼吸道病原检测,了解呼吸道病原体感染的流行情况,对血清过敏原特异性IgE(sIgE)水平进行相关性分析.结果 急性期FeNO水平最高,其次为缓解期,出院后1月最低(P＜0.05).同时检测出病毒与细菌者124例(25.83％),只检测出病毒、细菌者分别有152例(31.67％)、144例(30.00％),病毒与细菌均未检出者60例(12.50％).(3)同时检测出病毒与细菌患儿急性期、缓解期、出院后1月FeNO水平最高,其次为只检出病毒或细菌的患儿,病毒与细菌均未检出的患儿最低(P＜0.05);而只检出病毒与只检出细菌患儿无显著差异(P＞0.05).Pearson相关分析发现,FeNO水平与sIgE水平呈正相关.结论 FeNO水平可反映出气道炎症反应及程度,同时合并病毒与细菌感染的气道炎症反应更严重,且FeNO与sIgE有很好的相关性,有利于指导临床治疗.

摘要： 本文介绍仅需0 dBm LO驱动的宽带3 GHz至20 GHz SiGe无源混频器。新巴伦结构是实现宽RF带宽的关键创新。针对IF频段应用也采用相同的巴伦拓扑,支持300 MHz至9 GHz的宽IF。该高性能双平衡混频器可用于上变频或下变频。该混频器采用2 mm×3 mm、12引脚小型QFN封装,提供23 dBm IIP3和14 dBm P1dB。采用3.3 V电源供电时,混频器功耗为132 mA。

摘要： 成功研制出具有非均匀发射极条间距结构的多发射极功率SiGe异质结双极晶体管(HBT),用以改善功率器件热稳定性。实验结果表明,在相同的工作条件下,与传统的均匀发射极条间距结构HBT相比,非均匀发射极条间距结构HBT的峰值结温降低了15.87K。对于同一个非均匀发射极条间距结构SiGe HBT,在不同偏置条件下均能显著改善有源区温度分布。随着偏置电流I的增加,非均匀发射极条间距结构SiGe HBT改善峰值结温的能力更为明显。由于峰值结温的降低以及有源区温度分布非均匀性的改善,非均匀发射极条间距功率SiGe HBT可以工作在更高的偏置条件下,具有更高的功率处理能力。

摘要： 成功研制出具有非均匀发射极条间距结构的多发射极功率SiGe异质结双极晶体管(HBT),用以改善功率器件热稳定性。实验结果表明,在相同的工作条件下,与传统的均匀发射极条间距结构HBT相比,非均匀发射极条间距结构HBT的峰值结温降低了15.87K。对于同一个非均匀发射极条间距结构SiGe HBT,在不同偏置条件下均能显著改善有源区温度分布。随着偏置电流I的增加,非均匀发射极条间距结构SiGe HBT改善峰值结温的能力更为明显。由于峰值结温的降低以及有源区温度分布非均匀性的改善,非均匀发射极条间距功率SiGe HBT可以工作在更高的偏置条件下,具有更高的功率处理能力。

摘要： 成功研制出具有非均匀发射极条间距结构的多发射极功率SiGe异质结双极晶体管(HBT),用以改善功率器件热稳定性。实验结果表明,在相同的工作条件下,与传统的均匀发射极条间距结构HBT相比,非均匀发射极条间距结构HBT的峰值结温降低了15.87K。对于同一个非均匀发射极条间距结构SiGe HBT,在不同偏置条件下均能显著改善有源区温度分布。随着偏置电流I的增加,非均匀发射极条间距结构SiGe HBT改善峰值结温的能力更为明显。由于峰值结温的降低以及有源区温度分布非均匀性的改善,非均匀发射极条间距功率SiGe HBT可以工作在更高的偏置条件下,具有更高的功率处理能力。

摘要： 本文设计了工作在12GHz基于Gilbert单元为核心的BiCMOS有源双平衡下混频器.通过采用了一种改进型的Gilbert双平衡混频器结构,这种结构可以实现射频信号功率和噪声的同时匹配以达到提高噪声性能指标的目的。该混频器的RF、LO和IF分别为12.5GHz、11.3GHz和1.2GHz,其设计基于JAZZ 60-GHz ft SiGe BiCMOS工艺.仿真结果表明该混频器的变频增益(Gc)为7.96dB、单边带噪声系数(SSB NF)为7.35dB、输入1dB压缩点(P1dB)为-14.4dBm、三阶输入截止点(IIP3)为-3.5dBm.3V供电电压下功耗为49.2mW.

摘要： 本文设计了工作在12GHz基于Gilbert单元为核心的BiCMOS有源双平衡下混频器.通过采用了一种改进型的Gilbert双平衡混频器结构,这种结构可以实现射频信号功率和噪声的同时匹配以达到提高噪声性能指标的目的。该混频器的RF、LO和IF分别为12.5GHz、11.3GHz和1.2GHz,其设计基于JAZZ 60-GHz ft SiGe BiCMOS工艺.仿真结果表明该混频器的变频增益(Gc)为7.96dB、单边带噪声系数(SSB NF)为7.35dB、输入1dB压缩点(P1dB)为-14.4dBm、三阶输入截止点(IIP3)为-3.5dBm.3V供电电压下功耗为49.2mW.

摘要： 本文设计了工作在12GHz基于Gilbert单元为核心的BiCMOS有源双平衡下混频器.通过采用了一种改进型的Gilbert双平衡混频器结构,这种结构可以实现射频信号功率和噪声的同时匹配以达到提高噪声性能指标的目的。该混频器的RF、LO和IF分别为12.5GHz、11.3GHz和1.2GHz,其设计基于JAZZ 60-GHz ft SiGe BiCMOS工艺.仿真结果表明该混频器的变频增益(Gc)为7.96dB、单边带噪声系数(SSB NF)为7.35dB、输入1dB压缩点(P1dB)为-14.4dBm、三阶输入截止点(IIP3)为-3.5dBm.3V供电电压下功耗为49.2mW.

摘要： 本文设计了工作在12GHz基于Gilbert单元为核心的BiCMOS有源双平衡下混频器.通过采用了一种改进型的Gilbert双平衡混频器结构,这种结构可以实现射频信号功率和噪声的同时匹配以达到提高噪声性能指标的目的。该混频器的RF、LO和IF分别为12.5GHz、11.3GHz和1.2GHz,其设计基于JAZZ 60-GHz ft SiGe BiCMOS工艺.仿真结果表明该混频器的变频增益(Gc)为7.96dB、单边带噪声系数(SSB NF)为7.35dB、输入1dB压缩点(P1dB)为-14.4dBm、三阶输入截止点(IIP3)为-3.5dBm.3V供电电压下功耗为49.2mW.

摘要： 本文设计了工作在12GHz基于Gilbert单元为核心的BiCMOS有源双平衡下混频器.通过采用了一种改进型的Gilbert双平衡混频器结构,这种结构可以实现射频信号功率和噪声的同时匹配以达到提高噪声性能指标的目的。该混频器的RF、LO和IF分别为12.5GHz、11.3GHz和1.2GHz,其设计基于JAZZ 60-GHz ft SiGe BiCMOS工艺.仿真结果表明该混频器的变频增益(Gc)为7.96dB、单边带噪声系数(SSB NF)为7.35dB、输入1dB压缩点(P1dB)为-14.4dBm、三阶输入截止点(IIP3)为-3.5dBm.3V供电电压下功耗为49.2mW.

摘要： 本文设计了工作在12GHz基于Gilbert单元为核心的BiCMOS有源双平衡下混频器.通过采用了一种改进型的Gilbert双平衡混频器结构,这种结构可以实现射频信号功率和噪声的同时匹配以达到提高噪声性能指标的目的。该混频器的RF、LO和IF分别为12.5GHz、11.3GHz和1.2GHz,其设计基于JAZZ 60-GHz ft SiGe BiCMOS工艺.仿真结果表明该混频器的变频增益(Gc)为7.96dB、单边带噪声系数(SSB NF)为7.35dB、输入1dB压缩点(P1dB)为-14.4dBm、三阶输入截止点(IIP3)为-3.5dBm.3V供电电压下功耗为49.2mW.

摘要： 本文结合低温生长Si缓冲层与Si间隔层方法.利用化学腐蚀,观察不同外延层厚度处位错的形貌.研究了不同温度下生长的Si间隔层对SiGe外延层中位错形成,传播及其对应变弛豫的影响.研究表明Si间隔层的引入,显著改变了外延层中位错的攀沿滑移,进而使得样品表面形貌也呈现出较大的差异.Si间隔层还使得MFR位错增殖及应变释放机制出现在低温Si缓冲层外延层生长SiGe的样品中.

摘要： 本发明涉及一种SiGe‑Si‑SiGe异质Ge基固态等离子体PiN二极管的制备方法及其器件，该制备方法包括：(a)选取GeOI衬底；(b)在所述GeOI衬底内设置隔离区；(c)利用光刻工艺在所述GeOI衬底内形成P型沟槽和N型沟槽；(d)利用离子注入工艺，在所述GeOI衬底的顶层Ge内形成P型有源区和N型有源区；(e)光刻引线孔并钝化处理以完成所述异质Ge基固态等离子体PiN二极管的制备。本发明实施例利用深槽隔离技术及离子注入工艺能够制备并提供适用于形成固态等离子天线的高性能Ge基固态等离子体PiN二极管。

摘要： 本发明公开了一种SiGe/Ge/SiGe双异质结激光器及其制备方法。方法包括：在Si衬底的表面形成p型Si

摘要： 本发明公开了一种SiGe BiCMOS工艺中的SiGe PNP双极晶体管，其有源区是利用浅槽场氧化层隔离，包括集电区、基区和发射区。集电区由位于浅槽底部的P型埋层构成，通过在场氧化层上制作深阱接触引出所述集电区；基区通过在有源区进行N型离子注入形成，基区的周侧为浅槽场氧化层，基区宽度和浅槽的深度相当，基区底部和集电区相连接；在集电区对侧的浅槽底部形成一N型埋层，基区和该N型埋层相连并通过在所述N型埋层上的场氧化层上制作深阱接触引出所述基区；发射区由形成于所述基区上方的一P型SiGe外延层构成。本发明能缩小SiGe PNP晶体管的面积和提高SiGe PNP晶体管的电流放大系数。

摘要： 本发明涉及一种SiGe‑GeSn‑SiGe结构的深槽保护PiN二极管及其制备方法，包括步骤：选取GeOI衬底，并在GeOI衬底内掺杂形成顶层GeSn区；刻蚀衬底顶层GeSn区形成有源区深槽；有源区四周平坦化处理并利用原位掺杂形成P区和N区；在所述衬底上形成GeSn合金引线，以完成所述制备；本发明通过深槽结构的引入，极大的改善了固态等离子体PiN二极管的微波特性；SiGe半导体材料中引入Ge使基区能带变窄，大大提高了载流子的注入效率，本征GeSn区通过动态控制顶层Ge中Sn组分的含量使得本征区禁带宽度进一步降低，SiGe‑GeSn‑SiGe异质结构的引入极大提高了载流子注入效率和迁移率。

摘要： 本发明涉及一种SiGe‑GeSn‑SiGe异质结构高注入比PiN二极管阵列的制备方法及其器件，包括：选取某一晶向的GeOI衬底，并在GeOI衬底内掺杂形成顶层GeSn区；在衬底顶层GeSn区内设置深槽隔离区；刻蚀GeSn区形成P型沟槽和N型沟槽；在P型沟槽和N型沟槽内采用离子注入形成P型有源区和N型有源区；在衬底上形成GeSn合金引线并将二极管进行相互串联；本发明通过动态控制顶层Ge中Sn组分的含量以及GeSn合金引线的引入等技术能够制备并提供适用于形成硅基可重构对称偶极子天线的具有SiGe‑GeSn‑SiGe异质结构的高注入比PiN二极管阵列。

摘要： 本发明公开了一种SiGe/Ge/SiGe双异质结激光器及其制备方法。方法包括：在Si衬底的表面形成p型Si

摘要： 本发明涉及一种SiGe‑Si‑SiGe异质Ge基固态等离子体PiN二极管的制备方法及其器件，该制备方法包括：(a)选取GeOI衬底；(b)在所述GeOI衬底内设置隔离区；(c)利用光刻工艺在所述GeOI衬底内形成P型沟槽和N型沟槽；(d)利用离子注入工艺，在所述GeOI衬底的顶层Ge内形成P型有源区和N型有源区；(e)光刻引线孔并钝化处理以完成所述异质Ge基固态等离子体PiN二极管的制备。本发明实施例利用深槽隔离技术及离子注入工艺能够制备并提供适用于形成固态等离子天线的高性能Ge基固态等离子体PiN二极管。

摘要： 本发明公开了一种SiGe BiCMOS工艺中的SiGe PNP双极晶体管，其有源区是利用浅槽场氧化层隔离，包括集电区、基区和发射区。集电区由位于浅槽底部的P型埋层构成，通过在场氧化层上制作深阱接触引出所述集电区；基区通过在有源区进行N型离子注入形成，基区的周侧为浅槽场氧化层，基区宽度和浅槽的深度相当，基区底部和集电区相连接；在集电区对侧的浅槽底部形成一N型埋层，基区和该N型埋层相连并通过在所述N型埋层上的场氧化层上制作深阱接触引出所述基区；发射区由形成于所述基区上方的一P型SiGe外延层构成。本发明能缩小SiGe PNP晶体管的面积和提高SiGe PNP晶体管的电流放大系数。

摘要： 本发明公开了一种NPN功率SiGe双极晶体管及其制作方法，主要解决传统双极晶体管击穿电压不高、耐压值低且制作工艺复杂的问题。方案为：双极晶体管器件自下而上包括衬底(1)、漂移区(2)、圆筒状外延层(3)，圆筒内漂移区上为重掺杂集电区(4)、孔径层(5)和电流阻挡层(6)、基极接触区(7)、基区(8)以及发射区(9)；首先在N+型SiGe衬底上外延N‑型SiGe半导体材料形成漂移层，然后在其上通过化学气相垫积形成外延层，再采用离子注入形成重掺杂集电区，外延N型SiGe半导体材料形成孔径层并利用掩膜在其左右两侧制作电流阻挡层，最后在基极接触区通过注入不同离子形成基区与发射区，在其上表面制作电极并使用等离子体增强化学气相沉淀技术形成保护层，得到SiGe双极晶体管。本发明能够有效提高集电结的耐压特性、器件的击穿电压及频率特性，且制作工艺简单、易于实现。

摘要： 本发明公开了一种SiGe结构制造方法，包括以下步骤：提供一SOI衬底；注入Ge离子；执行热退火。本发明通过离子注入在SOI衬底上注入Ge，在再进行退火工艺，使SOI衬底的顶层Si与Ge反应生成SiGe，增加沟道应力，提升载流子迁移速率，最终实现PMOS性能的提升。