高功率密度
高功率密度的相关文献在1981年到2023年内共计1655篇,主要集中在无线电电子学、电信技术、电工技术、自动化技术、计算机技术
等领域,其中期刊论文595篇、会议论文16篇、专利文献501323篇;相关期刊248种,包括电源技术、电力电子技术、微电机等;
相关会议16种,包括中国电工技术学会电力电子学会第十三届学术年会、2011年中国兵工学会学术年会、2011年润滑油技术经济论坛等;高功率密度的相关文献由3105位作者贡献,包括王道涵、梁泊山、张勇等。
高功率密度—发文量
专利文献>
论文:501323篇
占比:99.88%
总计:501934篇
高功率密度
-研究学者
- 王道涵
- 梁泊山
- 张勇
- 张善端
- 程立明
- 魏广科
- 荆忠
- 韩秋漪
- 黄伟
- 宁仁霞
- 许媛
- 陈珍海
- 鲍婕
- 张强
- 占林松
- 孙玉凤
- 寇宝泉
- 王洋
- 赵强
- 张晓晨
- 毕磊
- 王晓俊
- 索双富
- 胡家培
- 胡民海
- 蔡合超
- 赵现伟
- 陈登峰
- 黄建
- 黄林森
- 刘政宇
- 包猛
- 吴宣东
- 孙逢春
- 张新华
- 张然治
- 成晓北
- 李勇
- 李德才
- 李成军
- 杨波
- 毕洪大
- 董玉刚
- 陈雷
- 刘成成
- 刘洋
- 孙建林
- 尚静
- 张旭东
- 李伟力
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李勇;
吴佳鑫;
马鹏程;
李德洪;
胡建辉;
王骞
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摘要:
针对飞行器电气化发展过程当中遇到的功率密度瓶颈问题,总结了现阶段电机系统在飞行器中的应用现状以及未来飞行器发展的总体趋势,探讨了未来飞行器电气化发展对电机系统提出的主要需求。以现阶段最具应用前景的永磁电机系统为研究对象,全面概述了飞行器用永磁电机系统的三个主要应用领域和特定要求。基于46台高功率密度电机系统数据,分析了永磁电机功率密度与电机电磁结构、转速范围和功率等级的关系,得到了外转子永磁电机和轴向磁通永磁电机相对更适合电机功率密度提升的结论。结合当下永磁电机的实际应用现状以及飞行器总体发展的技术规划,进一步分析了飞行器电气化发展趋势及对电机系统所提出的新技术需求,并对分布式电推进技术的未来应用寄予了厚望。
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摘要:
Analog Devices, Inc.(ADI)日前推出MAX77540降压型buck转换器,该器件为多节电池供电的应用提供单级电源转换方案,例如:增强现实/虚拟现实(ARVR)耳机、地面移动无线通信(LMR)设备、数字单反(DSLR)相机等。具有较高功率密度的MAX77540降压型转换器具有94%峰值效率,采用晶圆级封装,比传统方形扁平无引脚封装的尺寸减小61%。多节电池供电产品要求较长的电池寿命和尽可能小的方案尺寸,此类产品通常需要两级电源转换。
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舒友
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摘要:
2021年12月1日,国际认证机构DNV授予Zero Coaster氨燃料货运船舶“原则上批准”(AiP)资格,意味着由英国AFC能源公司研发的氢燃料电池和氨裂解装置提供动力的新款零排放船舶将很快进入挪威水域,欧洲海运业将迎来“里程碑时刻”。据外媒报道,虽然AFC公司带有氨裂解装置的碱性燃料电池可能不是最常用的绿色交通技术,但由于其超高功率密度胜过了当前市场上的其他清洁替代技术,该解决方案将在零碳交通领域开辟更多机会。AFC能源公司认为,带有氨裂解装置的碱性燃料电池技术获得批准,将为使用绿色氨气打开海运市场“脱碳大门”。
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金浩哲;
陈武
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摘要:
隔离型DC/DC变换器连接低压直流配电网和用户侧直流负荷,在低压直流配电系统中起着重要作用。文中采用具有原边开关管零电压开通和副边整流管零电流关断特性的LLC谐振变换器,首先分析变换器的工作原理,对其谐振参数进行选择。使用具有更低导通电阻和等效输出电容的氮化镓(GaN)器件作为原边开关管,进一步提高变换器工作频率和效率,降低磁性元件体积。在此基础上,对GaN器件驱动、同步整流和磁性元件进行优化设计。最后搭建了1台375 V/48 V/500 W的LLC谐振变换器样机,最高效率为97.6%,相比传统Si器件可以提升约1%的效率。实验结果验证了样机设计方案的正确性。
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摘要:
领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi,美国纳斯达克股票代号:ON),在PCIM Europe展会发布全球首款To-Leadless(TOLL)封装的碳化硅(SiC)MOSFET。该晶体管满足了对适合高功率密度设计的高性能开关器件迅速增长的需求。直到最近,SiC器件一直采用明显需要更大空间的D2PAK 7引脚封装。
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王文兵;
朱浩;
张华
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摘要:
文章主要研究应用于混合动力驱动车辆的盘式永磁无刷发电机,从基本的电磁关系出发,结合混合动力驱动车辆相关技术特点,做出了相应的设计。经过仿真验证得到其空载特性与负载特性。研究结果表明,盘式永磁无刷发电机具有电枢反应小,功率密度高,可靠性好的优点,满足混合动力驱动车辆发电机的要求。
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柳传友;
崔晔;
武天宜;
虞辉
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摘要:
高功率密度电机具有体积小、重量轻、输出功率大等诸多优点,因而广受国内外客户青睐,但其制造难度较大,国内许多电机厂还不具备生产能力。鉴于此,分析了吊入式定子结构高功率密度电机定子铁芯、机座、轴加工、定子装配、转子端环等部件的特点,强调了制造过程中需特别关注的定子铁芯、机座防变形措施,介绍了使用豪克能和激光跟踪仪分别进行轴表面加工和定子装配的新方法,详细总结了该类电机的制造难点及解决方法,对生产实践具有一定的借鉴意义。
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李明昊;
王辉;
张善端
- 《第六届上海照明科技及应用趋势论坛》
| 2016年
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摘要:
LED的散热问题是掣肘LED朝向高功率密度方向发展的关键问题之一.本文首先介绍了结温对LED光衰和寿命的影响,分析了热产生的原因以及影响热传导的因素;详细介绍了国内外关于高功率密度LED的封装热沉、散热基板设计以及散热方法优化几个方面的研究进展,分析了几种散热方法的优缺点,指出寻找经济和可靠性高的散热模式将成为主要研究方向.
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孙丹红;
张然治;
田永海
- 《2011年中国兵工学会学术年会》
| 2011年
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摘要:
为满足未来战争高机动性和快速部署的要求,大幅度提高柴油机的功率密度对坦克装甲车辆具有极为重要的意义.本文在侧重军用领域技术的基础上,对高功率密度柴油机的各项关键技术进行了简要介绍,并对其进展与应用情况作了简要陈述.
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刘钧;
胡伟;
温旭辉
- 《中国电工技术学会电力电子学会第十二届学术年会》
| 2010年
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摘要:
不管是纯电动、混合动力还是燃料电池汽车,电机驱动系统需求都应该满足高功率密度、高效、高可靠性和低成本的要求。为了满足这些要求,电动汽车多采用永磁同步电机和高功率密度集成控制器。在这边文章里,总结了中国自1996年以来电动汽车特别是电机驱动系统的发展。本文提出了高功率密度集成控制器的研发,重点研究控制器的性能设计、变工况母线支撑电容设计以及叠层母排设计。试验表明使用2个220uf膜电容并联的控制器能够驱动80kW的电机,其功体积比功率达到13.3kW/l,系统最大效率达到92%。
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杨海军;
陈为;
卢增艺
- 《2010’中国电子变压器、电感器第四届联合学术年会》
| 2010年
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摘要:
随着功率变换器向高效率和高功率密度方向的发展,如何缩小高频磁性元件的体积变得越来越重要。但高频磁性材科的饱和磁密限制了磁性元件,尤其是直流电感体积的减小,除了进一步开发高饱和磁通密度的磁性材料外,应用永磁材料的预偏磁抵消电感的直流电流偏磁已成为业界关注的热点。本文详细分析了目前的永磁体预偏磁方案,针对目前方案的不足,提出了新的永磁布置结构思路以及磁路参数设计要求,达到了增强电感器的抗饱和性能和减小体积的效果,同时又能克服永磁体的高频涡流损耗以及退磁的问题,通过仿真与实验测量,证明了理论分析的正确性以及方案的有效性。
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潘增富
- 《中国宇航学会飞行器总体专业委员会2006年学术研讨会》
| 2006年
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摘要:
介绍了国内外微小卫星的现状与发展趋势.针对微小卫星高功率密度和低热惯性给热控设计带来的新问题,讨论了微小卫星的热控制技术,提出了新的设计理念和方法.文章认为,必需尽快研发微机电技术,如何小型化、轻量化、智能化解决散热问题是微小卫星热控制的关键所在.
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杨凌;
贺强;
郝跃;
马晓华;
王冲
- 《第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》
| 2010年
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摘要:
本文主要对比研究了常规AlGaN/GaN MOS-HEMT器件与凹栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件,其界面态密度对器件性能的影响。通过进行槽栅刻蚀,制备出了1.02nm深的凹栅AlGaN/GaNMOS-HEMT器件,使界面态密度从1.25×1012cm12cV-1减少到5.47×1011cm-2eV-1,而器件阈值电压从-5.15V增加到-5.02V,跨导峰值从160mS/mm增加到173mS/mm,使输出饱和电流从974mA/mm增加到1010mA/mm。由于栅槽深度较浅,保证了凹栅MOS器件具有较高的击穿电压。在4GHz,30V的工作电压下,由于具有较低的界面态密度,100μm栅宽凹栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件能将最大输出功率密度和最高功率附加效率从3.4W/mm和33.17%提高到4.39W/mm和42.27%。
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杨凌;
贺强;
郝跃;
马晓华;
王冲
- 《第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》
| 2010年
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摘要:
本文主要对比研究了常规AlGaN/GaN MOS-HEMT器件与凹栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件,其界面态密度对器件性能的影响。通过进行槽栅刻蚀,制备出了1.02nm深的凹栅AlGaN/GaNMOS-HEMT器件,使界面态密度从1.25×1012cm12cV-1减少到5.47×1011cm-2eV-1,而器件阈值电压从-5.15V增加到-5.02V,跨导峰值从160mS/mm增加到173mS/mm,使输出饱和电流从974mA/mm增加到1010mA/mm。由于栅槽深度较浅,保证了凹栅MOS器件具有较高的击穿电压。在4GHz,30V的工作电压下,由于具有较低的界面态密度,100μm栅宽凹栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件能将最大输出功率密度和最高功率附加效率从3.4W/mm和33.17%提高到4.39W/mm和42.27%。
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杨凌;
贺强;
郝跃;
马晓华;
王冲
- 《第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》
| 2010年
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摘要:
本文主要对比研究了常规AlGaN/GaN MOS-HEMT器件与凹栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件,其界面态密度对器件性能的影响。通过进行槽栅刻蚀,制备出了1.02nm深的凹栅AlGaN/GaNMOS-HEMT器件,使界面态密度从1.25×1012cm12cV-1减少到5.47×1011cm-2eV-1,而器件阈值电压从-5.15V增加到-5.02V,跨导峰值从160mS/mm增加到173mS/mm,使输出饱和电流从974mA/mm增加到1010mA/mm。由于栅槽深度较浅,保证了凹栅MOS器件具有较高的击穿电压。在4GHz,30V的工作电压下,由于具有较低的界面态密度,100μm栅宽凹栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件能将最大输出功率密度和最高功率附加效率从3.4W/mm和33.17%提高到4.39W/mm和42.27%。