混频器
混频器的相关文献在1980年到2023年内共计1963篇,主要集中在无线电电子学、电信技术、自动化技术、计算机技术、电工技术
等领域,其中期刊论文573篇、会议论文107篇、专利文献2874424篇;相关期刊254种,包括电子产品世界、电子器件、今日电子等;
相关会议78种,包括2005全国微波毫米波会议、第六届全国毫米波亚毫米波学术会议、2005年海峡两岸三地无线科技学术会议等;混频器的相关文献由3036位作者贡献,包括吴建辉、陈超、李红等。
混频器—发文量
专利文献>
论文:2874424篇
占比:99.98%
总计:2875104篇
混频器
-研究学者
- 吴建辉
- 陈超
- 李红
- 樊勇
- 张波
- 张萌
- 王志功
- 李智群
- 王旭东
- 黄成
- 张德海
- 张晓林
- 佟首峰
- 刘辉华
- 温俊峰
- 白春风
- 赵强
- 姜万顺
- 孟进
- 宋树祥
- 康凯
- 纪东峰
- 赵晨曦
- 郭本青
- 马凯学
- 南航
- 史生才
- 年夫顺
- 廖小平
- 张为
- 张鹏
- 杨朝栋
- 牛中乾
- 田茜
- 章国豪
- 赖宗声
- 邓建钦
- 郑阳
- 余益明
- 刘戈
- 时龙兴
- 蒋长宏
- 赵鑫
- 郑建平
- 钱骏
- 余少华
- 刘杰
- 吴晨健
- 宋丹
- 张勇
-
-
-
张超权;
郭本青;
李珂;
李磊;
周婉婷
-
-
摘要:
提出了一种采用电流源开关的低噪声开关跨导有源下变频混频器.使用正弦波本振大信号驱动可以避免因为脉冲本振谐波诱发的噪声叠加效应;利用LC谐振结构来缓解尾节点寄生电容充电和放电对电路高频工作时的限制.提出的混频器采用65 nm CMOS工艺实现,工作在5.2 GHz的RF频段下,最大转换增益为11.6 dB,输入三阶交调截取点(IIP3)为5.5 dBm。对于5.2 GHz的LO频率点,分别在fIF=10/200 MHz时测得4.3/3.3 dB的双边带噪声系数(NF).在1.2 V的供电电压下,所设计芯片功耗仅为8.4 mW.
-
-
李文军;
宋青娥;
杨保国
-
-
摘要:
噪声系数是表征接收机及其组成部件在有热噪声存在的情况下接收小信号能力的主要参数。各种通信系统中接收机前端的低噪声放大器、混频器和中放等的噪声系数往往决定了整个系统的性能,现代通信技术的发展对这些部件、组件和系统的噪声系数提出了更高的要求,噪声系数的精确测量对于这些产品的研发和制造都非常关键。噪声源作为噪声系数测量中的标准激励源,其校准精度对噪声系数的测量精度具有直接影响,噪声源的校准技术是噪声系数测试的重要技术之一。
-
-
何月;
田遥岭;
刘戈;
黄昆;
邓贤进;
苏伟
-
-
摘要:
基于太赫兹肖特基二极管的强非线性特性,采用多次谐波倍频和混频的方式,研制了可应用于连续波频率调制雷达探测的紧凑型220 GHz收发前端。为了使接收机实现高功率输出,220 GHz三倍频器的功放驱动采用4路功率合成的方式,实现70 GHz 300 mW高功率功率放大器模块,70 GHz高抑制度7阶腔体带通滤波器抑制高次谐波信号。为了使接收机具有高灵敏度,220 GHz谐波混频器采用hammer-head抑制结构和二极管精确噪声模型设计电路结构,接收中频链路采用开关控制来实现动态范围大于60 dB动态增益控制。220 GHz收发前端在215~225 GHz范围内实现了高于10 mW的最大功率输出,接收机最低噪声系数小于7 dB,增益动态范围大于60 dB(-7~54 dB)。
-
-
许旺文;
郑肇健
-
-
摘要:
基于混频器的交调原理,对宽带信号变频至一定工作频段内的任意频点并多路合成时产生的组合干扰情况进行分析。运用matlab辅助设计的方式,对单路1.8 GHz ±250 MHz带宽的信号两次上变频至27.5~30 GHz中任意频点的情况进行计算,方案在27.5~30 GHz的工作频段内组合干扰抑制结果良好,通过评估电路对理论设计进行验证,与理论计算结果吻合且满足设计预期。
-
-
钟辉;
宋树祥;
岑明灿;
蔡超波;
蒋品群;
刘振宇
-
-
摘要:
针对传统N通道滤波器中谐波选择性(HS)和谐波折返(HFB)的问题,本文设计一种基于采样计算的差分N通道滤波器结构。该结构不仅能够抑制偶次谐波以及第3、5个谐波,而且在不增加输入参考时钟频率的情况下,解决谐波折返问题。滤波器电路采用SMIC 110 nm工艺,仿真结果表明,该滤波器在3次和5次谐波时分别具有49 dB和67 dB的谐波抑制,电路中心频率f_(s)可调范围为0.3~1.0 GHz,总功耗为25.2 mW,输入回波损耗(S_(11))小于-10 dB,噪声系数(NF)为3.1~5.8 dB。
-
-
章玉珠;
孙哲煜;
郝广凯;
朱英玮;
陆格格
-
-
摘要:
为了提升宇航领域元器件自主可控能力,避免依赖进口元器件受制于人,文章从宇航产品实际应用出发,针对进口混频器HMC-C009国产化替代器件在功能性能、工艺装联适应性、力学及热学环境适应性、寿命可靠性等方面进行了应用验证研究,提供了合理可行的混频器HMC-C009国产化替代器件应用验证实施方案,为混频器HMC-C009国产化替代应用可用性和适用性提供依据,促进宇航用国产器件的应用和推广。
-
-
杨斌;
段誉;
梁健同
-
-
摘要:
文章介绍了5G毫米波混频器的频段范围、应用场景、工作原理、种类及技术指标,指出了毫米波混频器校准的意义,提出了毫米波混频器计量参数变频损耗、显示平均噪声、输入驻波比、1 dB压缩点的校准原理及校准方法。分析了变频损耗测量不确定度的来源,并进行了不确定分量的计算,对测量不确定度进行了评定。经评定,采用微波功率计和频谱分析仪作为主标准器的变频损耗校准结果扩展测量不确定度为1.3dB。
-
-
张柏玮;
童玲;
高博;
顾宗静;
梁胜利;
年夫顺
-
-
摘要:
基于二阶记忆效应机制研究了混频器交调分量的相位不对称性机理。该研究是基于时变调制函数(TVMF)和多盒行为混频器模型(MBBM)提出的,这种相位不对称性表现在三阶交调分量的上下边带的相位相对于双音间距具有反向变化趋势。研究表明,基带调制和二次谐波调制是导致三阶交调分量上下边带的相位不对称的原因。但是,基带调制产生的三阶交调分量的上下边带相位具有相反变化趋势的机制与二次谐波调制造成的三阶交调分量相位具有相反变化趋势的机制不同,可以以此加以区分。最后,利用ADS对混频器的三阶交调分量上下边带的相位进行仿真,并结合实测结果验证了上述分析。
-
-
宋威;
丁喜波;
刘国宏
-
-
摘要:
为了提高超声波测量系统的精度,加快检测速度,对超声波测量系统提出了一种混频检相方法并完成了混频检相器的设计。采用混频方法将两路有一定相位差的被测信号与另一路有较小频差的信号混频,混频后通过低通滤波电路滤除高频成分,得到保留原信号相位差的两路低频信号,通过整形电路获得两路方波信号,采用由D触发器设计的检相电路对两路方波信号进行相位差检测。对该混频检相方法进行了仿真和多组相位差实验验证。结果表明,该混频检相方法具有电路简单、测量精度高、成本低等优点。
-
-
MA Kai-wen;
马凯文;
YANG Man-fei;
杨漫菲;
WANG lei;
王磊;
YAN bo;
延波
- 《2016年全国军事微波、太赫兹、电磁兼容技术学术会议》
| 2016年
-
摘要:
本文设计了一种宽带高镜像抑制能力的MMIC混频器.其射频RF的工作频率在32GHz到38Ghz之间,本振LO工作在15GHz到20GHz频带之间,中频IF的工作范围从DC直流到3GHz.该镜像抑制混频器由两个谐波混频器,一个功分器以及一个90°兰格电桥(Lange Coupler)组成,具有两个中频端口(IF1、IF2分别对应IQ正交信号).该混频器均可实现上变频和下变频.采用0.15μm pHEMT的WIN半导体工艺,芯片面积为1.56mm×1.39mm.测试结果表明:在工作频带内,典型变频损耗小于14.5dB,镜像抑制大于30dB,射频输入功率P_1dB为0dBm.该混频器单片结构紧凑,性能良好,非常有利于作为单个器件使用或者集成到TR收发组件中.
-
-
钱骏;
张波;
樊勇
- 《第一届全国太赫兹科学技术学术年会》
| 2015年
-
摘要:
太赫兹谐波混频技术是太赫兹接收技术的核心,本文基于平面肖特基势垒二极管设计了一种工作于0.34THz的八次谐波混频器.该混频器采用石英基片,悬置微带传输线,滤波器选择CMRC结构.设计中先使用HFSS软件对无源结构进行仿真,然后导入ADS联合仿真优化,变频损耗在320-370GHz范围内小于25dB.
-
-
-
李全龙;
张波;
樊勇
- 《第一届全国太赫兹科学技术学术年会》
| 2015年
-
摘要:
本文基于反向并联肖特基势垒二极管对的四次谐波混频原理,设计出四次谐波混频器的电路结构,并对无源电路进行三维电磁分析,及整体电路的仿真优化,完成了220GHz四次谐波混频器的设计与仿真测试.在固定本振频率的条件下,混频器变频损耗在215~246GHz的频带范围内小于10dB,在204~256GHz的频带范围内小于15dB,在199~258GHz频带范围内小于20dB.
-
-
DING hao;
丁浩;
WANG zhigang;
王志刚
- 《2015年全国微波毫米波会议》
| 2015年
-
摘要:
本文设计了一款Ka波段32到36GHz四次谐波镜频抑制单片混频器.该混频器采用Lange电桥实现镜频抑制和集总Marchind巴伦实现端口间高隔离.仿真结果得到在整个工作频带内,变频损耗优于16dB,镜频抑制优于16dB,在33.6GHz处达到26dB.本振射频端口隔离度达到47dB,本振中频端口隔离度31dB.该单片混频器基于Win-semiconductor0.15um GaAs pHEMT,面积1.9x1.74mm2.
-
-
Liu Baohong;
刘宝宏;
Su Xiao;
苏晓
- 《2015年全国微波毫米波会议》
| 2015年
-
摘要:
本文提出了一种保持线性度恒定的可切换增益混频器.不同于传统的混频器通过改变跨导级MOS管尺寸或中频端负载电阻实现增益变换,本文可变增益混频器通过采用可切换的跨导支路来实现增益的切换.为避免增益切换时开关对射频性能产生影响,其增益切换通过控制跨导级的尾部电流源来实现.本文建议的混频器可以实现在增益切换过程中输出线性度恒定特点.电路采用TSMC0.18μm RFCMOS工艺进行了设计和仿真.结果表明,该可变增益混频器可在17.7dB和7.6dB两个增益切换,而输出线性度保持恒定,输出功率1dB压缩点为-5dBmW,在1.8V电源电压下,其工作电流为1.3mA,功耗为2.34mW.
-
-
Zhu Yueyue;
朱月月;
Chen Jixin;
陈继新
- 《2015年全国微波毫米波会议》
| 2015年
-
摘要:
本文研究了一种应用于40~50GHz三端口混频器的屏蔽结构.文章首先介绍了该频段屏蔽盒的结构并讨论了设计过程中的空腔谐振问题,然后,给出了屏蔽盒的腔体设计与同轴接口的具体设计,并分析了软件仿真时需要考虑的问题.最后,采用电磁仿真软件HFSS对所设计的屏蔽盒进行了反射特性和传输特性的仿真.仿真结果显示,在38~54GHz频段内,射频与本振端口的反射系数均小于15dB,射频与本振端口直连的传输损耗小于1dB,未发生寄生的谐振现象,整体性能良好.
-
-
-