电镀铜

摘要： 以常见整平剂健那绿(JGB)为参照,研究了亚甲基紫(MV)对铜沉积的电化学行为和填盲孔效果的影响。电化学分析结果表明,在不含PEG的镀液中,MV和JGB均表现为加速铜沉积;加入PEG后,二者均表现为抑制铜沉积,并且JGB对铜沉积的速率控制步骤(Cu^(2+)+e^(−)→Cu^(+))的抑制作用强于MV。哈林槽电镀实验结果表明,以MV和JGB作为整平剂在相同的条件下电镀铜填盲孔时面铜的厚度相同,但采用MV时孔口处出现凸起,采用JGB时孔口则出现凹陷。微观结构分析表明,采用上述2种整平剂时所得铜镀层的择优取向均为(111)晶面,但以JGB作为整平剂时表面更平整。

摘要： 当前铜镀层已经应用在诸多领域,特别是应用在电子领域。随着时代的进步,人们对电子产品精细化程度的要求越来越高,也促使电镀铜工艺需要进一步优化。而电镀铜工艺的铜镀层质量与工艺过程、电镀液添加剂等密切相关,因此电镀铜工艺优化势在必行。基于电镀铜工艺研究现状,简要介绍了电镀铜工艺原理及应用,深入分析了电镀铜工艺的研究进展,并结合实际应用,重点论述了酸性硫酸盐镀铜添加剂的作用及研究进展,最后对电镀铜添加剂的研究进行了展望,以期为电镀铜工艺技术人员提供可借鉴的理论和未来研究方向。

摘要： FPC导杆垂直连续镀上下夹设备提升线路AOI良率。在监控软件的作用下可以实现自动化+智能化生产,节约人工成本,来实现生产效率与品质的提升,达到节能减排的目标。0前言可挠性印刷电路板(FPC)由于其外型柔软、稳定性佳、具有可挠曲、可折叠、可任意弯曲变形、盘绕半径小,可沿X、Y、Z三个方向自由移动;且可供三度立体空间布线之特性使仪器仪表的狭窄空间得到充分利用,满足了电子产品微型轻小之发展趋势,FPC已成为未来电子工业不可或缺的基本元件。

摘要： 研究了HEDP(羟基乙叉二膦酸)体系电镀铜溶液中添加剂A对铜镀层光泽、结合力、防渗碳性能和抗疲劳性能的影响。结果表明,镀液中加入添加剂A后,铜镀层的光泽和结合力均提高。随添加剂A质量浓度的增大,铜镀层的光泽提高,结合力的变化则无规律。添加剂A的质量浓度为0.4 g/L时,15μm厚的铜镀层就能对基体起到良好的渗碳保护作用。此外,该铜镀层在长循环周期下的疲劳性能优于氰化物体系铜镀层。

摘要： 甲基橙具有两种基团,可以同时起到加速和抑制作用,可作为特殊的整平剂应用与通孔电镀铜实验中。通过分子动力学模拟和量子化学计算来表征甲基橙在通孔电镀铜中的作用,结果表明甲基橙可以很好地吸附在阴极表面并抑制铜的电沉积。通过恒电流测试和循环伏安测试结果显示,甲基橙由于同时具有磺酸基的去极化和其分子结构部分的极化作用,形成协同分子内对铜加速还原和阻碍传质的竞争效应,所以几乎不影响电位。在板厚孔径为10:1的通孔电镀铜实验中,仅以甲基橙和环氧乙烷和环氧丙烷嵌段共聚物作为添加剂,TP值可达到92.34%。

摘要： 在由100 g/L CuSO_(4)·5H_(2)O、200 g/L浓硫酸、60 mg/L Cl^(−)、200 mg/L聚乙二醇(PEG-6000)和10 mg/L聚二硫二丙烷磺酸钠(SPS)组成的镀液中加十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)或2−巯基−5−甲基−1,3,4−噻二唑(MMTD)作为整平剂。通过计时电位曲线测试和热冲击试验,研究了不同整平剂对通孔电镀铜的影响。结果表明,镀液中添加2~4 mg/L CTAB或MMTD时都能够在一定程度上抑制铜电沉积,镀液的深镀能力均符合≥80%的要求。但只有采用4 mg/L MMTD作为整平剂时所得电镀铜层的抗热冲击性能合格。

摘要： 本文研究了电镀添加剂聚二硫二丙烷磺酸钠(SPS)、3-巯基-1-丙烷磺酸钠(MPS)和整平剂(L)对通孔电镀的均镀能力(TP)影响。借助多物理场耦合方法,计算出不同厚径比通孔内外的流场和电场分布,结合电化学测试手段和通孔电镀实验,研究不同厚径比通孔电镀TP与电镀添加剂体系的相对关系。结果表明,厚径比越大,孔内外的对流差距越大;对于低厚径比(1∶5)通孔,MPS得到的TP最大(2.85);对于高厚径比(6∶1)通孔,整平剂得到的TP最大(0.9)。

摘要： 为提高印制电路板电镀铜的镀层均匀性,采用多物理场耦合的有限元方法构建电镀铜模型,探讨了阴极板间距、液面高度、阳极挡板对镀层均匀性的影响,并设计正交实验获得了优化的电镀铜工艺参数。结果表明,阴极板间距越小,镀层越均匀。较低的液面、增加阳极挡板,有利于获得均匀的镀层。采用优化的参数电镀铜,阴极COV(镀层均匀性)值为4.7%。这些结论为工业电镀铜工艺的优化提供了一定的理论与实践指导。

摘要： 将咪唑、2-苯基咪唑、4-苯基咪唑和苯并咪唑作为原料,与仲胺化合物和1,4-丁二醇二缩水甘油醚反应分别得到咪唑季铵盐化合物(IABDGE)、2-苯基咪唑季铵盐化合物(TPIABDGE)、4-苯基咪唑季铵盐化合物(FPIABDGE)和苯并咪唑季铵盐化合物(BIABDGE)。通过循环伏安、线性扫描伏安、电化学阻抗谱和计时电位曲线测试,研究了它们对盲孔电镀过程中铜电沉积行为的影响。结果表明,BIABDGE的整平能力最好,将其用于盲孔电镀铜时填充率高达98.91%。

摘要： 通过霍尔槽试验、电化学测试、扫描电镜分析和X射线衍射,研究了氨基三亚甲基膦酸(ATMP)作为辅助配位剂时对羟基乙叉二膦酸(HEDP)镀铜体系中铜电沉积行为及镀层结构的影响。结果表明,ATMP可以显著阻碍铜的电沉积,细化镀层晶粒,且具有一定的整平作用,但不会改变Cu的形核方式。ATMP主要作用在高电流密度区,适量ATMP的加入有助于拓宽光亮电流密度范围,降低铜阳极的钝化,但ATMP过量会导致高电流密度区镀层烧焦。镀液中加入9 g/L ATMP时,所得的铜镀层结晶细致均匀,平均晶粒尺寸约为37.5 nm。

摘要： 采用恒电流(GM)电化学方法研究了电镀铜添加剂的相互作用及其对铜沉积的影响,讨论了添加剂在电极表面吸附的时间与速度依赖效应.借助多物理场耦合平台,建立了高厚径比通孔电镀铜模型,探讨了不同镀液流动方式下高厚径比通孔铜电沉积特征,获得了与实验一致的结论.

摘要： 对超声波条件下的电镀铜和化学镀铜的结构和性能进行研究,结果表明,超声波能够提高电镀铜和化学镀铜的沉积速率,促进铜的形核过程,同时使铜晶粒表面能减小,控制晶粒的生长,使电镀铜晶层晶粒的择优取向程度更强,同时在细晶强化的作用下,提高电镀铜层的抗拉强度和伸长率,另外,超声波能减少化学镀铜层表面由于氢气泡造成的空隙;在盲孔电镀中引入超声波,可以增强盲孔内溶液的传质作用,有效提高盲孔内镀层的均匀性.

摘要： 挠性板有较佳的耐弯折性能,故经常采用镀孔的电镀工艺流程生产.但是镀孔位形成凸台的打磨不良已成为制约挠性键合板发展的瓶颈.文章通过采用高延展性电镀铜及不同厚度的电镀层对压延铜和电解铜挠性材料的弯折性机理影响研究,为业界挠性键合板解决镀孔凸台问题提供了一种思路和处理方法.

摘要： 本研究开发了一种以5,5-二甲基乙内酰脲(DMH)和柠檬酸为配位剂的无氰电镀铜工艺:0.1mol/L硫酸铜、0.2mol/L DMH、0.3mol/L柠檬酸钾和0.3mol/L碳酸钾,pH9,温度50°C,电流密度0.5～2.5A/dm2,该电镀工艺可以在钢铁基体上得到平整致密、结合力良好的铜镀层.分子动力学模拟揭示了DMH分子在Fe(111)和Cu(111)上的吸附行为,电位～时间曲线表明吸附在铁基体上的DMH分子可能在铜沉积之前先脱附,这有利于电活化过程,增强镀层的结合力.溶液组分浓度和pH对铜镀层的微观形貌和结合力都有较大的影响.

摘要： 随着客户需求的不断变化,树脂塞孔的工艺流程在印制电路板产业的应用越来越广泛,但是经过陶瓷研磨后的印制电路板,电镀可能因为铜晶核生产不均衡出现铜粒、粗糙.文章以此为研究对象,简述产生的影响因素,并提出可行性建议,提供改善思路和方向.

摘要： 传统的利用导电胶填充通孔的方式已经不能满足高密度互连应用中芯板的制造要求,而为提高高密度互连的可靠性、导电性能、散热性能,提高生产效率,降低制造成本,通孔电镀填孔工艺应运而生.本文在基于一系列整平剂筛选的基础上,选出一种目标整平剂,将其应用于通孔电镀填孔中.同时,本文对通孔填孔的影响因素进行了详尽的研究.分别研究了气流量高低、硫酸浓度、氯离子浓度、整平剂浓度、抑制剂浓度对通孔填充效果的影响.通过研究结果发现,气流量高低是影响通孔填充效果的关键性因素,过高的气流量将直接导致通孔无法填充起来.而为了更好地了解通孔填充过程,文章还对不同时间段的通孔填充情况进行了分析.最终实现了良好的通孔电镀填充效果.

摘要： 在PCB电镀生产过程中主要缺陷有以下几种,铜粒,凹痕﹑凹点﹑板面烧焦﹑层次电镀﹑表面氧化等;在这几种表面缺陷中铜粒的影响极为严重,且难以修理和返工的,如果漏检,大多数时候会带来报废的后果.针对全板电镀后出现的一种有规律的板面铜颗粒的产生原因进行深入的分析,找到其产生的根本原因,并对其反应机理进行简单的分析,为此类问题的预防与控制提供理论依据.通过试验发现，沉铜时挂篮若不剥挂干净及去除残留的活化液，将会使得板面出现严重的铜颗粒。通过模拟试验找到此类铜颗粒发生的原因和规律，并且对其形成机理进行了较为合理的假设，为今后此类问题的预防与控制提供理论依据。为预防此类现象，应保持沉铜槽药水活性，使其维持在正常沉积速率范围内。挂蓝需要依照使用次数，规定剥挂(使用硝酸浸泡)的频率。

摘要： 电镀铜层具有良好的延展性、导电性、导热性，易于抛光，而且与铁及其它金属亲和力强、结合力好，因此获得广泛应用。本文推荐一种新的无氰碱性光亮镀铜新工艺.在KOH溶液中,以柠檬酸为Cu2+的主配位剂、丁二酰亚胺为Cu2+的辅助配位剂;并使用了超分子化学物葫芦脲(CB-n)作为防止铜在钢铁件上产生置换的添加剂以及含有聚氨脲、吲哚类、乙氧基醇类等物质的光亮剂.通过小槽实验、Hull Cell实验、阴极极化曲线测量、机械弯曲、锉刀等方法的研究,结果表明,镀液的性能稳定,可得到阴极电流效率在70％～85％、深镀能力为100％的光亮、均匀、结合力好的铜镀层.推荐的溶液组成和操作条件为:CuSO4·5H2O25～30g/L,C6H8O775～90g/L,C4H5O2N5～10g/L,KNAC4H4O6·4H2O2～5g/L,H3BO325～30g/L,KOH90～120g/L,化学置换铜抑制剂(CB-n)0.01～0.05mg/L,光亮剂8～20ml/L,pH值9.0～11,Dk:0.2～3.0A/dm2,T:45～55°C;阳极纯铜.

摘要： 本文研究开发了一种通盲孔匹配的电镀铜添加剂CPP108,此添加剂既可以用于板面电镀又可以用于图形电镀.通过长时间试验线的小批量测试,于2010年5月成功用于生产,在美维电了图形电镀线量产.本文研究了该体系的盲孔性能和通孔性能,并对其可靠性进行了测试.该体系具有高的通孔及盲孔贯孔能力,药水稳定可靠,易于控制.

摘要： 为了验证环保镀铜质量的可靠性,本文选择了SF-638无氰碱铜替代本公司卫浴锌合金件电镀中的氰化预镀铜和焦磷酸盐加厚镀铜,进行了6个月的工业中试,试验工作按成型工艺(锌重铸和锌压铸)的不同,选择了本公司有代表性的12种卫浴锌合金件进行了三轮结合力试验,CASS4-8-12Hrs、ASS24-48Hrs、SO2和清洁剂长期浸泡进行试验.本文报告质量验证的结果.试验结果表明卫浴锌合金件用无氰碱铜代替氰化预镀铜和焦磷酸盐镀铜加厚,各项试验达到卫浴锌合金件电镀质量要求.

摘要： 本发明涉及电镀铜方法，其特征在于，进行电镀铜时使用含磷铜作为阳极，且使用下面的阳极进行电镀铜：当电解时的阳极电流密度为3A/dm2或更高时，使所述的含磷铜阳极的结晶粒径为10至1500μm，当电解时的阳极电流密度低于3A/dm2时，使所述的含磷铜阳极的结晶粒径为5至1500μm。本发明提供一种电镀铜方法和用于这一电镀铜方法的含磷铜阳极，该方法可抑制粒子的产生，如电镀浴中阳极一侧所产生的淤渣，且可防止粒子附着于半导体晶片，并涉及用前述方法和阳极电镀的具有低粒子附着的半导体晶片。

摘要： R-T-B系磁铁(R为至少一种包括Y的稀土元素，T为Fe或Fe和Co)具有电镀被膜，该被膜在用CuKα1线进行X射线衍射分析中，(200)面的X射线衍射峰强度I(200)和(111)面的X射线衍射峰强度之比[I(200)/I(111)]为0.1～0.45，该电镀被膜是使用含有20～150g/L硫酸铜及30～250g/L螯合剂、并且不含铜离子还原剂、pH调节至10.5～13.5的电镀液，以电镀铜方法形成的。

摘要： 本发明涉及电镀技术领域，尤其涉及一种用于电子电路电镀铜填孔的电镀铜浴及其使用方法。其原料包括：硫酸铜200‑280g/L，硫酸32‑57g/L，聚季铵盐0.001‑0.01mg/L，SPS0.00001‑0.0005mg/L，聚醚组合物0.02‑0.1mg/L，Cl‑45‑82ppm，溶剂为水。采用本发明技术方案得到的电镀铜浴具有优异的填孔性能，对于盲孔的填充效果好，无包孔现象，且镀层的延展性和抗拉强度高，耐冲击性强，300°C冲击后无裂纹或孔壁分离等现象，具有广阔的应用前景。

摘要： 当通过电镀铜向存在微细的沟或孔(下文有时简称为沟槽)的被镀基体的沟槽中嵌入铜时，存在产生空隙和铜向沟槽以外析出的问题。本发明为了解决上述问题，提供一种电镀铜浴用添加剂，其含有选自下述通式(1)或下述通式(2)表示的高分子化合物中的至少1种的、重均分子量为20,000～10,000,000的高分子化合物。(式中，X表示选自由特定结构表示的单元中的至少1个单元，a和b的比例为a:b＝10:90～99:1的范围)。

摘要： 本发明的一实施方式涉及的电镀铜用有机添加剂，其添加到用于在形成有图案的基板上通过电镀方式形成铜膜的镀铜液中，其中，包含至少两种整平剂，以提高形成于所述图案上的所述铜膜的均匀度以及平整度。

摘要： 本发明属于电镀技术领域，提供了电镀铜溶液添加剂、电镀铜溶液以及电镀方法，电镀铜溶液添加剂包括加速剂1‑10份、抑制剂150‑300份以及整平剂1‑20份，加速剂为聚二硫二丙烷磺酸钠，抑制剂为聚乙二醇‑6000、聚乙二醇‑8000、聚乙二醇‑10000中的任意一种或几种的任意比例组合，整平剂为5‑氨基‑1,3,4‑噻二唑‑2‑硫醇，该整平剂价格低廉、毒性小且稳定。电镀铜溶液含有本发明的电镀铜溶液添加剂，电镀方法使用了该电镀铜溶液，所以电镀效果较好，从而使得盲孔镀层深镀能力较好，填孔率较高、凹陷度低、填孔效果好，铜层表面平整性好，无明显铜瘤产生，形成超填充，无空洞，无夹缝，表面光亮，可以有效防止因为盲孔空洞传输不稳定等缺点，进一步提高电子产品的可靠性。

摘要： 本发明公开了一种电镀铜用抑制剂、其用途及含其的电镀铜电镀液，该抑制剂为二甲基胺衍生物取代的聚丙烯酰胺类聚合物，其结构通式为：其中，R代表烷基或烷氧基，n取自n≥2的整数。本发明提供的抑制剂用于制备电镀铜溶液，进而应用于印制线路板图形电镀，能够显著降低图形电镀线路的圆弧度，实现良好的图形电镀效果。

摘要： 本发明涉及电镀铜方法，其特征在于当进行电镀铜时采用纯铜作为阳极，和采用晶粒直径为10μm或更小、或为60μm或更大、或为非再结晶阳极的纯铜阳极进行电镀铜。本发明提供了电镀铜方法和在这种电镀铜方法中使用的电镀铜用纯铜阳极，在进行电镀铜时，使用所述方法能抑制电镀浴内阳极一侧产生粒子如淤渣，能防止粒子附着到半导体晶片上；本发明还涉及使用上述方法和阳极进行电镀而得到的粒子附着少的半导体晶片。

摘要： 本发明涉及电镀铜方法，其特征在于，进行电镀铜时使用含磷铜作为阳极，且使用下面的阳极进行电镀铜：当电解时的阳极电流密度为3A/dm2或更高时，使所述的含磷铜阳极的结晶粒径为10至1500μm，当电解时的阳极电流密度低于3A/dm2时，使所述的含磷铜阳极的结晶粒径为5至1500μm。本发明提供一种电镀铜方法和用于这一电镀铜方法的含磷铜阳极，该方法可抑制粒子的产生，如电镀浴中阳极一侧所产生的淤渣，且可防止粒子附着于半导体晶片，并涉及用前述方法和阳极电镀的具有低粒子附着的半导体晶片。

摘要： 本发明公开了一种应用于干蚀刻法铜互连大马士革的电镀铜溶液及其电镀铜方法，包括以下质量浓度的组分：铜盐5‑20g/L；复合导电剂30‑90mg/L；加速剂10‑15mg/L；络合剂1‑8g/L；表面活性剂20‑60mg/L；复合稳定剂15‑45mg/L；还原剂0.1‑0.5g/L。该发明溶液保证了铜与硅之间不会出现因原子扩散而导致器件性能损坏现象；本方案使用无氯加速剂，不会对基材造成损伤，而且电镀在常温条件下即可实现；无需预先进行导电铜沉积这一步骤，缩短了工艺流程。