通孔

摘要： 申请公布号:CN 112188845 A适用于鞋底的夹层结构底板。该鞋底夹层系统包括具有鞋前部区域和鞋中部区域的鞋底板。鞋底板可以具有面向足部的和面向地面的表面。鞋底板可以界定在鞋前部区域中从面向足部的表面延伸到面向地面的表面的通孔。通孔可以比靠近鞋底板的外侧边缘来说,更靠近鞋底板的内侧边缘。鞋底板在鞋中部区域和在鞋前部区域中具有纵向延伸的脊状部。脊状部具有波峰,波峰中的部分可以在鞋底板的纵向方向上,彼此不平行地延伸。

摘要： 加成法、半加成法和减成法制造Additive, Semi-Additive, and Subtractive Fabrication加成技术已进入了不同的行业。现在出现了多种不同的半加成法(SAP),有积层膜(ABF)介质层结合化学镀铜进行金属化;有RCC是将介质树脂涂在铜箔上,再层压与激光通孔配合;有减薄铜是通过蚀刻将铜减薄至较低的厚度,这比使用超薄箔更容易。还有几种新工艺,包括使用液态金属油墨和其他类型种子层的SAP型工艺,以实现基板的金属化,最终目标是实现小于25μm的线条和间距。

摘要： 超声电火花复合加工在微小孔制备方面应用颇多,其常见问题有:在生产同一批零件更换电极丝时,不能保证二次装夹的精度;加工过程中,电蚀废屑堆积会造成各种不良影响等。基于以上问题设计了一种轴心通孔式变幅杆,并在变幅杆两端增加两个定位螺柱。为保证微小孔加工的精度和圆度,选择了两种稳定性高的变幅杆(悬链线形和圆锥形)进行分析。将预先设计的变幅杆在SolidWorks软件建模后导入ANSYS软件中进行有限元分析,观察仿真结果与设计参数的异同,通过调节变幅杆长度进行参数优化,降低谐振频率的误差。最终选择圆锥形变幅杆加工出实物,应用阻抗分析实验验证了该圆锥形变幅杆的可行性。

摘要： 半导体制造工艺是IC产业界甚至整个科技界发展最根本的基石之一。目前,全球几大制造厂商包括英特尔、三星、台积电、台联电、格罗方德、中芯国际等都在积极推进新技术的开发,以实现半导体更高密度的聚合、更强的性能。在前不久召开的IEDM(International Electron Devices Meeting)上,台积电发表了2个专场演讲,带来了有关3nm节点自对齐通孔工艺以及2.5D、3D封装技术的介绍。今天我们一起来看看这些内容。

摘要： 随着5G通信时代的到来,人们对信号传输速率及信号完整性有了更高的要求。对于多层PCB板,过孔的使用会对高速信号传输及阻抗匹配有很大的影响。基于85ohm特征阻抗,以Rogers 4350b为基板设计了一款14层高速PCB板,利用ANSYS电磁仿真软件对过孔的阻抗进行仿真分析。通过仿真结果分析得到采用背钻并优化anti-pad的方式能很好地改善过孔的阻抗。

摘要： 专利号:ZL201821402164.7专利权人:宝山钢铁股份有限公司设计人:陈杰王康健沈馗激光焊接用高可靠性感应加热装置,包括加热感应头、设于加热感应头下的变压器、控制器;箱体,上端开口,开口处设隔热板遮挡;箱体内底部设第一通孔;加热感应头设于箱体内;升降气缸,设于箱体底部;正压及循环冷却机构,包括中间隔板,将箱体内腔分隔成上下腔室;中间隔板一侧设第二通孔及自重开启式翻板;箱体内底部的第一通孔处设拉力翻板,拉力翻板上设拉簧,拉簧一端连接箱体内壁。

摘要： 甲基橙具有两种基团,可以同时起到加速和抑制作用,可作为特殊的整平剂应用与通孔电镀铜实验中。通过分子动力学模拟和量子化学计算来表征甲基橙在通孔电镀铜中的作用,结果表明甲基橙可以很好地吸附在阴极表面并抑制铜的电沉积。通过恒电流测试和循环伏安测试结果显示,甲基橙由于同时具有磺酸基的去极化和其分子结构部分的极化作用,形成协同分子内对铜加速还原和阻碍传质的竞争效应,所以几乎不影响电位。在板厚孔径为10:1的通孔电镀铜实验中,仅以甲基橙和环氧乙烷和环氧丙烷嵌段共聚物作为添加剂,TP值可达到92.34%。

摘要： 在由100 g/L CuSO_(4)·5H_(2)O、200 g/L浓硫酸、60 mg/L Cl^(−)、200 mg/L聚乙二醇(PEG-6000)和10 mg/L聚二硫二丙烷磺酸钠(SPS)组成的镀液中加十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)或2−巯基−5−甲基−1,3,4−噻二唑(MMTD)作为整平剂。通过计时电位曲线测试和热冲击试验,研究了不同整平剂对通孔电镀铜的影响。结果表明,镀液中添加2~4 mg/L CTAB或MMTD时都能够在一定程度上抑制铜电沉积,镀液的深镀能力均符合≥80%的要求。但只有采用4 mg/L MMTD作为整平剂时所得电镀铜层的抗热冲击性能合格。

摘要： 随着集成电路规模的日益增长,需要处理的线网数量显著增多,层分配算法运行时间增大成为限制高效设计布线方案的重要因素;此外在生产工艺中,通孔的制造成本较高.针对以上两个问题,本文提出了两种新颖的策略分别用于优化算法运行时间和通孔数量:(1)一种高效的基于区域划分的并行策略,实现各区域在并行布线阶段负载均衡,以提高并行布线的效率;(2)基于线网等效布线方案感知的通孔优化策略,决定各线网对布线资源使用的优先级,进而减少层分配方案的通孔数量.最终将上述两种策略相结合,提出了一种面向超大规模集成电路物理设计的通孔感知的并行层分配算法.实验结果表明该算法对通孔数量和运行时间均有良好的优化效果.

摘要： 针对基于外延层转移技术的InP HBT与Si COMS异质集成工艺中的器件互连问题,本文系统性地开展了ICP干法刻蚀BCB(苯并环丁烯)工艺研究.重点研究了射频功率、腔室压强和刻蚀气体SF6/O2体积比等条件对刻蚀速率、刻蚀通孔洁净度和通孔侧壁形貌的影响.在此基础上通过相关刻蚀工艺的合理优化,实现了孔深5μm、深宽比1:1、侧壁光滑、高垂直度的BCB通孔制备,相关研究为后续InP HBT等化合物半导体器件与Si CMOS器件间高密度的集成和高可靠的互连提供坚实的技术支撑.

摘要： 六层刚挠结合板由于其通孔线路层数多,深径比大,在等离子清洗时总是出现层间清洗不均匀,孔壁过于粗糙,玻璃布处清洗过量等问题。本文通过研究等离子在孔内的渗透能力与不同气体含量之间的关系确定等离子清洗的总体含量,并研究不同的CF4∶O2比例对等离子层间均匀性,玻璃布处清洗程度影响,最终确定六层刚挠结合板的等离子清洗的参数。清洗后的通孔经孔金属化后,可靠性高,经过两次热冲击(280°C,10秒)后孔壁依然良好。

摘要： 在微波多层电路中,通孔将处在不同层的信号传输线连接在一起.由于通孔会导致信号传输的不连续性,对信号的传输至关重要.本文介绍了一种分析垂直通孔互连的全波方法——矩阵束矩量法,该方法可以仿真多层电路中通孔的散射特性.以分段正弦函数作为基函数对通孔的散射特性进行了仿真,仿真的结果表明了该方法的正确性.

摘要： 利用三维有限元模型对Cu互连线通孔进行了电流密度、温度和温度梯度分布进行了模拟,比较了具有不同阻挡层材料通孔的电流密度、温度和温度梯度分布.对于同一阻挡层材料,进行了不同通孔倾斜角的模拟.模拟结果指出通过优化通孔倾斜角和优选阻挡层材料可提高其可靠性,对通孔的设计提供了有益的参考.

摘要： 在采用双层金属铝布线工艺的ＣＺ４产品试生产过程中，作为两层金属布线间连接的开孔，通孔的刻蚀是一个难点。该文阐述了作者对通孔刻蚀过程中孔侧壁生成物形成机理的一些见解，并根据自己的分析对侧壁生成物的去除进行了研究，找到了合适于该公司生产线的彻底去除侧壁生成物的方法，最终获得了最佳的通孔断面形状。

摘要： 现阶段通盲孔位于同一层的HDI板,生产流程较长,制作成本较高,文章通过从优化生产流程,缩短生产周期,降低制作难度角度出发,设计出一种通盲孔同时开窗电镀的工艺技术,前流程→激光钻孔→钻树脂塞孔→沉铜、板电→镀孔图形→填孔电镀→切片分析→退膜→砂带磨板→后工序。重点选取控制盲孔与通孔孔铜的增长速率、填孔质量评价尺度、电镀液要求分析讨论，明确概念和理论模型，有助于试验的进行。采用该工艺技术实际生产了一种8层的通盲孔同时电镀的产品，产品质量合格。

摘要： 本文介绍了一种经济的在垂直线上进行盲孔和通孔同步电镀的工艺,试验结果表明,遵照该工艺,可在PCB生产线上实现量产。

摘要： 随着信息技术的发展,HDI板件通孔厚径比不断的增加,在满足通孔铜厚的同时,也要保证盲孔的电镀质量.对于电镀工艺来讲,高厚径比通孔电镀和盲孔电镀是两个不同的加工方向,对于电镀的药水要求更高.文章通过开发新的电镀药水体系,在实验中通过电镀实验,对通盲孔电镀的参数进行优化,找出两者的平衡点,达到通盲孔兼顾的效果.

摘要： 在过去的几年里,由于新的锡焊材料、以及元器件及材料的发展,表面组装技术回流焊工艺发生了很大的变革,本文对此作了简要回顾.

摘要： 在过去的几年里,由于新的锡焊材料、以及元器件及材料的发展,表面组装技术回流焊工艺发生了很大的变革,本文对此作了简要回顾.

摘要： 在过去的几年里,由于新的锡焊材料、以及元器件及材料的发展,表面组装技术回流焊工艺发生了很大的变革,本文对此作了简要回顾.

摘要： 本发明揭示一种导通孔结构，其包含基底材料、第一介电层以及第二介电层。所述基底材料包含第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面，且界定至少一个通孔。所述第一介电层位在所述基底材料的所述第一表面上且包含梯度表面，其暴露在所述基底材料的所述通孔中。所述第二介电层位在第一介电层的所述梯度表面上。

摘要： 一种电子或微机械器件有第一表面(11)和第二表面(12)以及一个通孔，其从第一表面延伸穿过该器件到第二表面。通孔包括整体成形的第一部分(84，86)、第二部分(82)和第三部分(88)。第一部分(84，86)从第一表面(11)延伸到第二表面(12)。第二部分(82)延伸覆盖在器件的一部分第一表面(11)上。第三部分(88)延伸覆盖在器件的一部分第二表面(12)上。优选地，第一部分包括第一和第二部件，第二部件延伸穿过器件的活性区，并且其宽度比第一部件更窄。同时，本发明也披露了一种形成和填充该通孔的方法。

摘要： 本发明公开了一种通孔填充方法，包括，提供表面具有通孔的衬底，在所述衬底表面形成干膜，对所述干膜曝光、显影形成干膜开口，在所述干膜开口处对所述通孔进行填充。本发明还公开了一种通孔填充结构以及通孔制作方法。本发明通孔填充方法、通孔填充结构及通孔制作方法由于解决了现有技术光刻胶填入高深宽比的通孔困难以及曝光能量消耗较大的问题，从而通孔填充的效率得到了提高。

摘要： 本发明提供一种TSV通孔的制作工艺方法，包括下述步骤：提供一晶圆，在晶圆表面沉积阻挡层；在晶圆表面进行光刻和刻蚀工艺，对阻挡层移除部分不做TSV的区域，使TSV区域处形成阻挡层凸点；通过光刻和刻蚀工艺，使得晶圆表面形成有RDL线槽的形貌；在晶圆表面沉积绝缘层；在晶圆表面绝缘层上制作金属层，在RDL线槽中形成金属RDL；在晶圆表面金属层上面沉积保护层；对晶圆表面进行CMP研磨，去除阻挡层凸点上方的保护层、金属层和绝缘层；对晶圆表面TSV区域剩余的阻挡层凸点材料进行移除，露出晶圆材质；对晶圆表面进行干法刻蚀工艺，使得露出晶圆材质的TSV区域被刻蚀形成盲孔；对晶圆背面进行减薄工艺，使得盲孔底部打开，形成TSV通孔。

摘要： 本发明公开了一种通孔焊盘、通孔焊盘设计方法以及通孔焊盘封装结构，通孔焊盘设计方法，已知通孔焊盘的开孔为圆形，且已知开孔直径为R1；当通孔焊盘的外焊盘为圆形时，设定外焊盘直径为R2，设定开孔的孔壁与外焊盘的外边缘之间的最短距离为c，则R2＝R1+2c，其中c＝0.6毫米；当通孔焊盘的外焊盘为椭圆形时，设定外焊盘长轴为2a，短轴为2b，设定开孔的孔壁与外焊盘的长轴端点之间的最短距离为d，设定开孔的孔壁与外焊盘的短轴端点之间的最短距离为e，则0.2毫米≤e≤0.6毫米。该方法增加了两个通孔焊盘之间的间隙，解决两个通孔焊盘之间不能走线及差分线的设计问题。

摘要： 本发明揭示一种导通孔结构，其包含基底材料、第一介电层以及第二介电层。所述基底材料包含第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面，且界定至少一个通孔。所述第一介电层位在所述基底材料的所述第一表面上且包含梯度表面，其暴露在所述基底材料的所述通孔中。所述第二介电层位在第一介电层的所述梯度表面上。

摘要： 一种电子或微机械器件有第一表面(11)和第二表面(12)以及一个通孔，其从第一表面延伸穿过该器件到第二表面。通孔包括整体成形的第一部分(84，86)、第二部分(82)和第三部分(88)。第一部分(84，86)从第一表面(11)延伸到第二表面(12)。第二部分(82)延伸覆盖在器件的一部分第一表面(11)上。第三部分(88)延伸覆盖在器件的一部分第二表面(12)上。优选地，第一部分包括第一和第二部件，第二部件延伸穿过器件的活性区，并且其宽度比第一部件更窄。同时，本发明也披露了一种形成和填充该通孔的方法。

摘要： 本发明公开了一种通孔填充方法，包括，提供表面具有通孔的衬底，在所述衬底表面形成干膜，对所述干膜曝光、显影形成干膜开口，在所述干膜开口处对所述通孔进行填充。本发明还公开了一种通孔填充结构以及通孔制作方法。本发明通孔填充方法、通孔填充结构及通孔制作方法由于解决了现有技术光刻胶填入高深宽比的通孔困难以及曝光能量消耗较大的问题，从而通孔填充的效率得到了提高。

摘要： 本发明提供一种TSV通孔的制作工艺方法，包括下述步骤：提供一晶圆，在晶圆表面沉积阻挡层；在晶圆表面进行光刻和刻蚀工艺，对阻挡层移除部分不做TSV的区域，使TSV区域处形成阻挡层凸点；通过光刻和刻蚀工艺，使得晶圆表面形成有RDL线槽的形貌；在晶圆表面沉积绝缘层；在晶圆表面绝缘层上制作金属层，在RDL线槽中形成金属RDL；在晶圆表面金属层上面沉积保护层；对晶圆表面进行CMP研磨，去除阻挡层凸点上方的保护层、金属层和绝缘层；对晶圆表面TSV区域剩余的阻挡层凸点材料进行移除，露出晶圆材质；对晶圆表面进行干法刻蚀工艺，使得露出晶圆材质的TSV区域被刻蚀形成盲孔；对晶圆背面进行减薄工艺，使得盲孔底部打开，形成TSV通孔。

摘要： 一种开放式衬底通孔(1)TSV包括绝缘层(20)，该绝缘层与沟槽(14)的侧壁(15)的至少部分以及与衬底主体(10)的表面(13)相邻设置。TSV还包括：金属化层(30)，其与绝缘层(20)的至少部分以及与所述沟槽(14)的底壁(16)的至少部分相邻设置；再分布层(40)，其与金属化层(30)的至少部分以及与绝缘层(20)的与表面(13)相邻设置的部分相邻设置；以及覆盖层(50)，其与金属化层(30)的至少部分以及与再分布层(40)的至少部分相邻设置。绝缘层(20)和/或覆盖层(50)包括在材料特性方面彼此不同的子层(21、22、51、52)。子层中的第一层(21、51)与侧壁(15)的至少部分以及与表面(13)的至少部分相邻设置，并且子层中的第二层(22、52)与表面(13)的至少部分相邻设置。