图形转移

摘要： PCB行业传统普通曝光机使用汞灯光源发射出紫外线光(UV),这UV汞灯为热光源,缺点温度高、耗电量大并且产生臭氧造成环境危害;近几年流行的LED为冷光源,相对UV汞灯发热量低、耗电量少且不产生有害物质。因此PCB普通曝光机新推出的设备逐步使用LED光源取代汞灯,并且原有汞光源传统曝光机选择升级改造为LED光源。文章就曝光机不同类型LED光源与传统汞灯优劣点进行技术探讨。

摘要： 本文主要综述了目前中国大陆印制电路用材料、孔加工、孔金属化、图形转移、蚀刻以及表面可焊性镀涂层等新技术、新产品、新设备现状,以及高频印制板、高散热印制板、刚挠结合印制板和数模混合印制板等特种印制板的新进展,特别围绕未来后摩尔时代对电子产品的新需求,重点探讨了未来印制电路技术的发展趋势。

摘要： 从图形数据处理、先进光刻、图形转移和大面积高可靠集成4方面开展衍射光学元件关键制造技术研究。在兼容标准CMOS工艺的基础上,提出了高精度、多功能(高保真、高深宽比、高面形、多元化衬基等)、大面积衍射光学元件成套制造技术。研发了精度优于2 nm的复杂图形光刻数据处理体系,提出了混合光刻方法,建立了加法(剥离、电镀)和减法(干法刻蚀、金属辅助化学刻蚀)两种类型、四种图形转移基础方法。实现了从微米尺度到亚10 nm尺度的图形生成,高宽比达12∶1的25 nmAu结构和深宽比达500∶1的30 nmAl_(2)O_(3)纳米管图形转移。在熔石英、多层膜、SiC自支撑薄膜、高面形硅片等衬基上大面积集成制造了多种衍射光学元件,最大面积为142 mm×142 mm,最大自支撑口径达70 mm,最高面形精度PV值达0.03λ,覆盖了可见光到硬X射线波段衍射光学元件的制造需求,能够应用于先进光刻机、同步辐射、激光聚变及X射线天文学中。

摘要： 渗透率提升+国产芯片崛起双重驱动,掩膜版行业进入高速增长通道。行业进入高速增长通道掩膜版是光刻工艺的“底片”,市场规模稳步提升:掩膜版是微电子制造过程中的图形转移工具或者母版,承载着图形设计和工艺技术信息,被应用于半导体芯片(IC)、平板显示(FPD)、触控(TP)、电路板(PCB)等行业。

摘要： 阅读下面两个文本,回答以下各题。(12分)【文本一】光刻机--信息时代的制造之王①你知道手机中的芯片是怎么制造出来的吗?芯片的主要原材料--硅要经过一系列精细、复杂的处理才能变成芯片。而作为芯片制造的核心,前道工艺的每一层都需要用光刻机进行图形转移套刻曝光。

摘要： 异质结太阳电池沉积透明导电薄膜(TCO)作为导电层、减反射层,电极直接与TCO接触,故在TCO上电镀金属电极是非选择性的,需沉积种子层和图形化的掩膜,以实现选择性电镀及良好的附着.研究表明,金属与TCO之间具有优异的欧姆接触特性,比接触电阻低.SEM分析表明,电镀电极结构致密,与透明导电薄膜紧密附着,接触电阻小;丝印电极银颗粒间粘结不紧密,具有较多的空隙,线电阻提高,串联电阻增加.铜金属化可以实现更低的线电阻率、更好的电极高宽比,可以显著提高载流子收集几率,通过选择合适的种子层及后退火,铜电镀异质结电池光电性能显著改善,转换效率达到了22％,具有巨大的发展前景.

摘要： 本文介绍了广州弘高科技股份有限公司对细密线路PCB板批量生产中短路现象的研究进展.对产品测试合格率进行了统计,对短路现象产生的成因进行了分析,对生产中的主要参数进行了在线调查,在此基础上设计了相应的改善试验,可以有效降低短路不良.

摘要： 传统的去膜工艺不能够完全清除干膜微孔底部的残留物,导致干膜微孔生长电镀铜柱的均匀性较差.本文引入O2/CF4等离子对干膜微孔进行清除处理,对比研究了等离蚀刻处理前后干膜表面的形貌、表面元素、表面粗造度、浸润性,考察了干膜微孔电镀铜柱底部的均匀性.结果表明,经O2/CF4等离子处理后,干膜表面粗糙度变大,干膜微孔内的残留得到有效的清除,干膜微孔所生长的铜柱底部表现出更好的均匀性.

摘要： 伴随着全球电子信息产品市场的需求升级和快速扩张，电子产品的小型化和复杂化趋势正在推动印制电路板(Printed Circuit Board简称PCB)技术进入一个突飞猛进的发展时期。中国由于在产业分布、制造成本等多方面具备优势，己经成为全球最重要的印制电路板生产基地之一。随着印制电路板的发展，用于图形转移的激光光绘片也将保持快速增长的态势，市场容量在500万平方米以上。近年以来，国内一直对光绘软片的质量进行研究开发，取得了长足进步，但与国外相比仍存在差距。因此，还有必要在技术上继续探讨和研究。本文对印刷线路板进行介绍，简述了印刷线路板制作的一般工艺过程，并对图像转移用所用的感光材料进行说明，对图像转移用银盐光绘胶片的研制进行论述。

摘要： 高性能可旋涂光学聚合物制作的光学元件可以方便地集成于光电芯片中。研究了用于提高图像传感器的感光单元灵敏度的聚合物微透镜阵列的制作技术。普通的光刻胶通过热熔成型工艺可以制作折射型的微透镜，但由于材料特性的限制，不适合于作为光电芯片的集成光学元件。通过反应离子刻蚀可以将光刻胶微透镜图形转移至这种高性能的聚合物材料上。实验研究了采用聚酰亚胺和聚二甲基硅氧烷两类聚具有高光学透过率和工艺兼容性的聚合物材料制作微透镜阵列的反应离子刻蚀图形转移工艺。通过控制反应离子刻蚀工艺参数如气体配比、总气压和射频功率等，制作了高表面质量的聚合物微透镜阵列。

摘要： 本文通过排除法对图形转移显影后干膜上的滚轮印进行相关试验,查找产生问题的真正原因,并给出改善方案：根据试验结果，将显影段的传动滚轮全部更换成橡胶圈，试做不同板厚、不同线路精度和不同大小尺寸的板子，都没有出现滚轮印现象，经过批量做板，滚轮印的问题已彻底解决。对于滚轮材质的问题，与设备厂商沟通，PP材质磨损小，使用寿命长，不易老化。而橡胶圈滚轮容易老化，使用寿命短，老化后对产品有品质隐患。由于本司内外层都是使用负片工艺，干膜上有任何的痕迹可能导致线路缺口、开路等品质缺陷。所以显影段的传动滚轮不可使用PP的材质，只能使用套橡胶圈滚轮片通过日保养、周保养、月保养检查和提高滚轮片的更换频率避免类似的问题出现。

摘要： 图形转移前处理烘干效果直接影响板件的质量。对于酸蚀板件,前处理烘干效果影响干膜的盖孔能力；对于碱蚀板件,前处理的烘干效果影响干膜的停留时间,烘不干的情况容易造成干膜入孔内,造成孔内干膜显影不净而导致孔无铜的缺陷。

摘要： 在正常制作能力为5mil/5mil的设备的基础上，对3mil/3mil精细线路的制作进行了初步的研究，对其基铜的选择、线路的设计、电镀、图形转移和蚀刻的条件做了探讨。

摘要： 当前在双面与多层PCB生产过程中沉铜、整板电镀后至图形转移的运转周期中，板面及铜层的氧化问题严重影响着图形转移及图形电镀的生产品质；另内层板由于氧化造成的AOI扫描假点增多，严重影响到AOI的测试效率等；此类事件一直以来是业内比较头痛的事，本文主要论述了在PCB生产过程中对铜面氧化的防范手段，探讨引用一种新型铜面防氧化剂的情况。

摘要： 图形转移是印制板生产过程中的重要工序，随着印制板高密度、细线化的发展，图形转移在印制板生产中的地位日渐凸现其重要地位，它的工序质量，将直接影响企业整体的产品质量和经济利益。本次QC小组活动是针对图形转移过程中出现的导电图形开路和短路的问题，运用统计技术，分析原因并找出造成图形开短路的主要因素，改善工艺设备和操作条件，提高产品的合格率。文章简述了导致图形开、短路的原因以及采取相应的改善对策,并取得了较好的效果。

摘要： 在深紫外LIGA加工中,制作高精度大高宽比的微器件是很困难的.难点在于SU-8光刻胶对紫外光的吸收系数随着波长变短而很快变大,而且其穿透深度也相应迅速变小;同时由于紫外光的衍射效应,获得高精度的大高宽比结构并不容易.本文深入研究了影响紫外深度光刻图形转移精度的如下因素;衍射效应、曝光剂量、紫外光波长和蝇眼透镜的分布等等.建立了基于模型区域的校正系统,该校正系统采用了分类分区域的思想将掩模图形按其畸变的特点进行了分类,在校正过程中对不同的类别分别建立校正区域,在每一校正区域内进行校正优化处理和校正评价,这种基于模型的分类分区域评价思想,使得校正过程有效且实时,该校正方法不仅降低了校正的复杂性,同时提高了校正的效率.

摘要： 本文主要讲述并比较了干膜与湿膜工艺在图形转移、蚀刻工序对特性阻抗印制板阻抗值的影响，以及在生产前资料准备时如何进行补偿以满足特性阻抗的要求。

摘要： 本文论述了积层板导通孔制造技术理论基础,充分利用常规图像转移工艺技术,制成与填充导电胶相类似的导通孔技术,形成一定数量的微小孔导电柱,再进行涂覆绝缘树脂、研磨等技术以保持表面共面性,制造成设计所需要的层数的积层多层板.

摘要： 本发明公开了一种图形焦点转移的机器人视觉图像场景解析方法。机器人在已知应用环境下工作，机器人通过自身安装的摄像头拍摄采集当前环境场景下的单目图像；单目图像中，以人或者物为目标，标注出人或者物的类型、边界框以及成对目标间的交互关系作为标签，由单目图像和标签构建数据集；搭建模型，训练模型；采用训练好的模型针对待测环境场景处理获得目标的类型、边界框以及成对目标的交互关系，绘制场景图。本发明解决了机器人视觉中图像语义关系识别率低下的问题，使图像网络学习的焦点从低价值关系转移到涵盖全局信息的语义关系上，加强了图像中解析的归属关系与空间关系的识别效果。

摘要： 本发明公开了一种用于图形转移的线路板及其图形转移工艺，线路板包括用于在线路板上形成实际图形的目标设计图形区域和用于覆盖显影干膜的图形转移补偿区域，图形转移补偿区域包括侧蚀宽度补偿区域和角位补偿区域，通过在目标设计图形区域的外部设置侧蚀宽度补偿区域和角位补偿区域，侧蚀宽度补偿区域包围在目标设计图形区域的外围，避免线路板上的图形在蚀刻后边线会往内收，角位补偿区域额外对目标设计图形区域的角位进行包围，避免线路板上的图形在蚀刻时角位受到两侧蚀刻液攻击而变成圆角，从而改良线路板上的图形蚀刻问题，线路板上蚀刻后的图形更接近目标设计图形。

摘要： 本发明公开了一种用于图形转移的线路板及其图形转移工艺，线路板包括用于在线路板上形成实际图形的目标设计图形区域和用于覆盖显影干膜的图形转移补偿区域，图形转移补偿区域包括侧蚀宽度补偿区域和角位补偿区域，通过在目标设计图形区域的外部设置侧蚀宽度补偿区域和角位补偿区域，侧蚀宽度补偿区域包围在目标设计图形区域的外围，避免线路板上的图形在蚀刻后边线会往内收，角位补偿区域额外对目标设计图形区域的角位进行包围，避免线路板上的图形在蚀刻时角位受到两侧蚀刻液攻击而变成圆角，从而改良线路板上的图形蚀刻问题，线路板上蚀刻后的图形更接近目标设计图形。

摘要： 本发明涉及一种叠层结构，通过在底部抗反射结构下方设置能够被刻蚀并且能够通过湿法去除的剥离层，不仅可以实现图形转移，而且当需要返工时，通过湿法去除剥离层，即可分离出衬底，大大降低返工难度，并且不对衬底造成损伤，从而避免形成缺陷。本发明还涉及上述叠层结构的制备方法、图形转移方法和返工方法。

摘要： 本发明公开一种电子束曝光图形的转移方法、装置及电子设备，涉及半导体纳米加工技术领域。方法包括：在衬底上通过旋涂的方式形成硬掩模层；在硬掩模层上形成电子束胶层；通过电子束曝光技术在所述电子束胶层上形成第一曝光图形；以所述电子束胶层为掩膜刻蚀所述硬掩模层，基于所述第一曝光图形在所述硬掩模层上形成目标曝光图形；将所述目标曝光图形转移到所述衬底上，避免了在只通过电子束胶层将曝光图形转移至衬底时由于使用的电子束胶层厚度很薄导致该电子束胶无法用于刻蚀阻挡层，无法将形成的图形传递至衬底表面的问题，解决了由于电子束胶无法通过常规的去胶工艺进行去除导致电子束返工过程无法进行的问题，提高了曝光的稳定性和可靠性。

摘要： 本发明公开了一种新型图形转移用水溶性显影添加剂，按照质量分数包括以下原料，碱性物质40‑60％、表面活性剂5‑10％、缓蚀剂0.5‑1％、增溶剂1‑5％、软水剂3‑5％和余量的去离子水，所述新型图形转移用水溶性显影添加剂的酸碱值为12‑14。本发明采用上述结构的一种新型图形转移用水溶性显影添加剂，工艺简单，制作成本低，同时能提高产能20％，提高良率，使用寿命长，降低了设备清洗频率。

摘要： 本发明提供的本发明提供的用于盲槽板的盲槽底部阻焊图形转移方法包括S1，铣取对位PAD，在铣取盲槽时，于所述盲槽板的板边同时铣取所述对位PAD，所述盲槽的深度不大于5mm；S2，使用直接成像机，对所述盲槽的外层阻焊图形进行转移，对所述盲槽的底部进行阻光；S3，使用直接成像机，对所述盲槽的底部阻焊图形进行转移，对所述盲槽的外层阻焊图形进行阻光。由上述方案可见，将盲槽板阻焊图形分为盲槽外层阻焊图形与盲槽底部阻焊图形，分开制作盲槽外层阻焊图形与盲槽底部阻焊图形，并以对位PAD来作为对位点，防止因盲槽板表面与盲槽底部产生的高度差而无法制作的阻焊图形转移，可完成阻焊图形转移。

摘要： 本发明涉及一种干膜压覆装置，尤其涉及一种电子产品电路板图形转移用干膜压覆装置，包括有安装板、支腿和料杆等，安装板底部左右两侧都前后对称固接有支腿，安装板顶部右侧后部固接有用于干膜放置的料杆。本发明将两卷干膜分别套在上下两侧料杆上，且将上下两侧干膜的保护膜头端玻璃，拉动保护膜头端绕过剥离轮被背膜卷绕机构固定，启动进料机构，再推动送料机构带动电路板向右移动被热压辊压覆干膜，且背膜卷绕机构不断的将保护膜与干膜分离，如此，无需人不断的将保护膜从干膜上扯下，比较方便。

摘要： 本实用新型公开了一种用于PCB图形转移的曝光系统及PCB图形转移系统，该曝光系统包括对位机构和曝光机构，所述对位机构的出料端设置于所述曝光机构的进料端，待曝光的PCB板依次通过所述对位机构及曝光机构并完成对位及曝光。本实用新型将对位机构与曝光机构分开独立设置并且对位机构的出料端设置于所述曝光机构的进料端；使待曝光的PCB板由对位机构的进料端传入并在对位机构上传送的同时完成对位工作，进而使PCB板被搬运到曝光机构时，因PCB板已在前段运输过程中完成对位，曝光机构只需对PCB进行曝光即可，提高了工作效率。

摘要： 本实用新型公开一种图形转移菲林和用于PCB板图形转移的菲林工装。其中，图形转移菲林包括有效图形区域和边框区域，所述边框区域围绕所述有效图形区域；所述边框区域上设有多个挡点，部分所述挡点的位置开设有定位孔，用以供挂钉的钉头穿过。本实用新型具有提高生产效率和降低误差的效果。