积累效应

摘要： 本文选取国内2017年-2019年独角兽企业的财务数据为样本,实证分析独角兽企业研发投入与财务绩效的关系,探究研发投入的积累效应。本文对独角兽企业进行相关性分析及回归分析,发现独角兽企业研发投入与企业财务绩效、盈利能力具有正相关关系,与偿债能力、营运能力具有负相关关系,并且研发投入具有积累效应,研发投入积累效应年限可达2年。

摘要： 为探讨个体运动经验对运动技能学习和个体不同方面的影响,运用文献资料法、逻辑分析法对近年来国内外学者的相关研究成果进行综述。研究认为,运动经验的积累效应具有实时性,且对运动技能学习中所具备的多项身体素质具有增益作用。运动经验对个体的认知功能、体育活动参与度、自我形象等均有正向促进作用。建议学校和家长在指导儿童进行体育活动时应更加关注运动经历和运动的积极体验,提升儿童参与体育的兴趣,弱化体育活动中输赢的重要性。

摘要： 啤酒中含有多种微量元素,这些微量元素不仅影响啤酒品质和口感,还与人体健康密切相关[1]。例如,锰可抑制或激活啤酒中的多种酶,影响啤酒酿造过程,过量的锰对人体正常代谢不利[2-3];适量的铜、铁、锌在维持人体造血功能、保护红细胞方面起重要作用,但过量的铜和铁会加快啤酒的自然氧化速率,缩短保质期,使啤酒颜色加深,口感变苦,甚至出现沉淀[4],过量的锌会引起人体内电解质失衡,出现困倦、恶心等症状[5];铅、砷、镉会在人体内产生积累效应。

摘要： 通过分析数字普惠金融、人力资本与城乡收入差距的内在理论逻辑,运用2011—2018年中国31个省际面板数据进行实证分析,结果表明:数字普惠金融显著缩小了城乡收入差距,且变更数字普惠金融覆盖广度、使用深度和数字化程度后,这一结论依然成立.同时,在各个区域中数字普惠金融的发展都显著缩小了城乡收入差距,但影响程度具有差异性.从影响机制来看,数字普惠金融通过提高人力资本积累和促进人力资本高级化路径来缩小城乡收入差距.

摘要： 本文以创业板上市的189家中关村高新技术企业为研究对象,对样本企业研发投入指标和企业绩效指标进行面板数据回归分析.结果表明:当期研发支出与企业规模对企业绩效水平的影响并不明显.企业受政府支持力度对企业盈利能力和发展能力均有一定的正向影响.通过对研发投入和企业绩效的积累效应进行分析,发现企业研发投入强度对企业盈利能力有显著的正向影响,且随时间推移而影响作用增强.文章在上述研究结果基础上得出若干启示,提出相应建议.

摘要： 以黄瓜品种'秀川701'为材料,采用叶片涂施试验,考察了不同浓度的多环芳香烃(PAHs)萘、菲、荧蒽、苯并(a)蒽、苯并(a)芘混合液胁迫处理对黄瓜生长、生理和品质的影响及PAHs在黄瓜植株体内的积累特征,探究PAHs对蔬菜作物的生长影响及毒害机理.结果表明:(1)黄瓜7个部位(根、茎、叶片、叶柄、果皮、果肉、果瓤)中总PA H s含量随着叶片涂施浓度的升高呈先增加后降低的趋势,营养器官中以叶片含量最高、叶柄含量最低,果实中果皮含量最高、果瓤含量最低.(2)外源PAHs胁迫对黄瓜株高、茎粗、根长、叶长、叶宽、果实纵径、果实横径、单果重的影响均为低浓度促进中高浓度抑制.(3)外源PAHs处理使叶片SOD、CAT活性下降,MDA含量先提高后降低,尤其是中浓度胁迫下POD活性、叶绿素含量均显著提高.(4)外源PAHs对黄瓜果实维生素C、可溶性蛋白、可滴定酸含量的影响表现为低浓度促进中高浓度抑制,而对可溶性糖、可溶性固形物含量均具有抑制作用.研究认为,5种PAHs在黄瓜体内呈现出了特定的分布规律,直接暴露于大气环境的部位更容易吸收、积累PAHs;PAHs作为典型有机污染物,给黄瓜生长发育带来伤害的同时也起到了正向促进作用,且叶片对PAHs的吸收以及PAHs对黄瓜生理特性的促进或抑制作用都有一定阈值.

摘要： 本文指出在关于图像的斜率与面积问题的教学中,不应以经验传授式教学方式为主,而应带着学生从规律中学习和思考,即当物理量z反映了y随x变化的快慢时,则在y-x图像中的斜率可代表z,当物理量z反映了y随x的积累效应时,则在y-x图像中的面积可代表z。

摘要： 高盐腌制液影响咸蛋品质的主要危害因子有浊度、pH、氨氮、化学需氧量(COD)、微生物、金属元素等指标。为给脱除危害因子的工艺提供理论依据,试验以咸蛋高盐腌制液为对象,对腌制前后危害因子的积累效应进行研究。结果表明:高盐腌制液使用2次后,pH由7.67下降至7.32,浊度由3.16 NTU升高至31.16 NTU,COD由6.7 mg·L^-1上升至1730 mg·L^-1,氨氮由0.15 mg·L^-1上升至5.51 mg·L^-1,菌落总数由102 CFU·mL^-1增加到8.3×10^6 CFU·mL^-1,砷、铅、铬、铁、钙、镁等金属元素含量均有增加。因此,咸蛋高盐腌制液使用后主要危害因子均存在积累效应,要实现腌制液循环利用,就必须对这些危害因子进行技术性脱除。

摘要： 采用将二阶微扰近似与模式展开分析相结合的方法,可从理论上有效求解圆管结构中的非线性周向导波问题.通过数值计算和有限元仿真发现,基频与二倍频周向导波模式的相速度匹配程度,可显著影响二倍频周向导波模式随传播周向角的积累增长程度.针对基频与二倍频周向导波模式的相速度和群速度均相匹配的情形,通过实验研究发现,周向导波确可存在强烈的非线性效应,且周向导波的二次谐波发生效应可对圆管早期损伤状态做出敏感的响应.文中给出的有关结果,可为进一步开展非线性周向导波的研究工作奠定理论和实验基础.

摘要： 得克隆(Dechlorane Plus,简称DP)是上个世纪70年代开始生产的一种高氯代阻燃剂,与多种POPs(如氯丹、艾氏剂、狄氏剂、异狄氏剂、七氯等)具有类似的结构特征,因此随着DP产量及使用量的增加,有关其环境残留、生物积累能力及生态毒性的研究逐渐升温.鉴于DP极高的疏水性(LogKow值为9.3),底泥是该类化合物在水体中的主要分布相,但是,目前有关底泥中DP生物积累效应的研究非常匮乏.本文以斑马鱼胚胎为模式生物,研究底泥中DP在水生生物中的积累效应,并对底泥中DP的生物可利用性进行初步评价.

摘要： 本文采用理论研究和有限元数值模拟相互结合的方法,利用Deform-3D软件对往复挤压进行数值模拟,力求通过对模拟结果的分析,观察在往复挤压过程中材料的变形特征、等效应变分布及积累效应以及冲头载荷等关键因素的变化,采用单因素变量法进一步得出挤压道次对往复挤压过程中金属材料内部应变积累效应的影响.结果表明:由于挤压过程中应变的不可逆性,随着挤压道次得增多材料可积累更多的应变,达到提高材料性能的效果.

摘要： 研究选择以重金属Cd、Pb、Cu、Zn污染为主的白银污灌农业区为研究地,选择以库区水灌溉、相对无污染的刘家峡为对照样地,分别种植小麦和玉米。通过监测灌溉水、种植作物前后土壤中重金属含量、玉米和小麦籽粒中的重金属富集水平,探讨在重金属轻度污染农田土壤系统种植作物的安全性及作物修复土壤重金属污染的能力。研究显示,白银地区食用小麦的HI＞1,表明食用白银地区的小麦具有潜在的健康风险。种植小麦后,土壤中仅Cd的含量显著减少,其他3种重金属的含量无显著变化,说明小麦对该地区土壤重金属污染的修复能力有限.与小麦不同,白银地区种植的玉米籽粒中4种重金属含量均未超过国家食品中污染物限量标准和食品卫生标准,说明该地区种植玉米是相对安全的,以玉米代替小麦作为主食可降低健康风险系数。而且,种植玉米后的白银地区土壤中Cd、Pb和Zn的含量显著减少。所以,在白银重金属轻度污染的农田种植玉米可在保证食品安全的同时,有效减轻土壤重金属污染。

摘要： 本文运用生命周期评价方法（Life Cycle Assessment, LCA），并结合镁工业在节能降耗方面的技术进展，定量评价了2009年我国原镁和镁合金生产过程的资源、能源消耗及其主要污染物的排放。研究表明，我国皮江法炼镁在提高能源利用效率和环保治理等方面取得了长足的进步，特别是还原过程节能技术的应用对于污染物减排起到了关键作用。与2005年相比较，2009年原镁过程的不可再生资源消耗和温室效应均有显著的降低。其中，温室效应的影响与2005年相比下降了约三分之一。通过系统边界的延伸，进一步研究了气体保护法生产AM60镁合金的环境负荷，并分析了原镁和原铝在镁合金生产过程中的环境负荷积累效应。结果表明，原镁生产过程的环境负荷在镁合金生产的积累环境负荷中起到了决定性的影响。

摘要： 2008年1月，和湖南、贵州等地一样，四川盆地也出现了严重的低温雨雪冰冻天气。无论低温冷害，还是低温冻害，过去的很多研究都是集中在逐站、逐日要素的特点上，这对于局地、瞬时的状态分析有很多方便之处，但是，无论它们在历史上是否非常突出，其分析结果都难以代表面上的、长时间内的累积情况，以致难以判定灾害的严重性。2008年一月四川的低温冰冻灾害就具有这个特点，这为低温冰冻灾害的分析评估引出了新的问题，需要寻找和建立能适应这种积累效应特别突出的灾害的分析评估方法与特征值。利用四川盆地99个站1960—2006年的观测资料，对2008年一月的低温天气过程进行了多角度的讨论，寻找可供业务服务使用的分析评估方法。在判定气候异常的基本原则之上，提出了用面温度、时段温度等特征量来确定大范围、长时段内低温状况的基本方法和原则，可避免单站单日要素在区域上和时间上局限性太强的缺陷，有效地确定大面积长时间内的累积效应，为此类灾害的分析评估提出了可在业务服务上使用的思路和方法。

摘要： 城市化和工业化的快速发展导致大量的污染物进入到环境中，其中重金属元素在环境介质中难降解、毒性强、具有积累效应等特征，并且可能通过食物链传递对动物和人类健康构成严重威胁。因而正确评价环境污染现状和追踪污染源可以污染防治管理提供科学有效的决策依据。本文采集西厦门湾和九龙江口表层沉积物。利用湿筛法将沉积物分为四种粒径组分(>250，250–100，100-63μm，<63μm)，测定各粒径沉积物的重金属含量(Al，Fe，Cd，Cr，Cu，Ni，Pb，Zn，Sc，MnandV)和铅同位素比率。利用重金属富集因子和地球累积指数评价西厦门湾及其邻近区域沉积物重金属的污染现状、通过铅同位素比率探讨污染源的特征。

摘要： 研究了中华鲟幼鱼经不同浓度铜(Cu2+)水体暴露后，铜在幼鱼不同组织中的积累以及对幼鱼生长、对消化酶活性的影响。结果显示，随着Cu2+浓度的增加幼鱼体重显著的减轻，低浓度组与对照组(无Cu2+水体)无显著性差异(P>0.05)，中，高浓度组均有显著性差异(P鳃>骨板>肌肉>皮肤>脊索>软骨>肠胃;中华鲟幼鱼经不同Cu2+水体暴露后，随着Cu2+浓度的增高，8种组织中铜含量呈现不同的变化趋势，肝脏中铜的含量仍最高，从低浓度至高浓度与对照相比显著增加(P胃肠>鳃>背骨板>肌肉>皮肤>脊索>软骨。显示肝脏和肠胃是Cu2+主要的累积和代谢器官。不同浓度的Cu2+对胃肠蛋白酶、淀粉酶活性均有不同程度的影响，随着Cu2+升高胃肠蛋白酶、淀粉酶的活性与对照相比显著下降(P<0.05);脂肪酶活性则随着Cu2+浓度的增加酶活性升高，低浓度组与对照差异不显著，中高浓度组均有显著性差异(P<0.05)。表明水体Cu2+对蛋白酶和淀粉酶的活性有抑制作用，对脂肪酶有足进作用。其代谢酶活性的变化可以灵敏地反映Cu2+的胁迫程度和毒性。

摘要： 研究了中华鲟幼鱼经不同浓度铜(Cu2+)水体暴露后，铜在幼鱼不同组织中的积累以及对幼鱼生长、对消化酶活性的影响。结果显示，随着Cu2+浓度的增加幼鱼体重显著的减轻，低浓度组与对照组(无Cu2+水体)无显著性差异(P>0.05)，中，高浓度组均有显著性差异(P鳃>骨板>肌肉>皮肤>脊索>软骨>肠胃;中华鲟幼鱼经不同Cu2+水体暴露后，随着Cu2+浓度的增高，8种组织中铜含量呈现不同的变化趋势，肝脏中铜的含量仍最高，从低浓度至高浓度与对照相比显著增加(P胃肠>鳃>背骨板>肌肉>皮肤>脊索>软骨。显示肝脏和肠胃是Cu2+主要的累积和代谢器官。不同浓度的Cu2+对胃肠蛋白酶、淀粉酶活性均有不同程度的影响，随着Cu2+升高胃肠蛋白酶、淀粉酶的活性与对照相比显著下降(P<0.05);脂肪酶活性则随着Cu2+浓度的增加酶活性升高，低浓度组与对照差异不显著，中高浓度组均有显著性差异(P<0.05)。表明水体Cu2+对蛋白酶和淀粉酶的活性有抑制作用，对脂肪酶有足进作用。其代谢酶活性的变化可以灵敏地反映Cu2+的胁迫程度和毒性。

摘要： 研究了中华鲟幼鱼经不同浓度铜(Cu2+)水体暴露后，铜在幼鱼不同组织中的积累以及对幼鱼生长、对消化酶活性的影响。结果显示，随着Cu2+浓度的增加幼鱼体重显著的减轻，低浓度组与对照组(无Cu2+水体)无显著性差异(P>0.05)，中，高浓度组均有显著性差异(P鳃>骨板>肌肉>皮肤>脊索>软骨>肠胃;中华鲟幼鱼经不同Cu2+水体暴露后，随着Cu2+浓度的增高，8种组织中铜含量呈现不同的变化趋势，肝脏中铜的含量仍最高，从低浓度至高浓度与对照相比显著增加(P胃肠>鳃>背骨板>肌肉>皮肤>脊索>软骨。显示肝脏和肠胃是Cu2+主要的累积和代谢器官。不同浓度的Cu2+对胃肠蛋白酶、淀粉酶活性均有不同程度的影响，随着Cu2+升高胃肠蛋白酶、淀粉酶的活性与对照相比显著下降(P<0.05);脂肪酶活性则随着Cu2+浓度的增加酶活性升高，低浓度组与对照差异不显著，中高浓度组均有显著性差异(P<0.05)。表明水体Cu2+对蛋白酶和淀粉酶的活性有抑制作用，对脂肪酶有足进作用。其代谢酶活性的变化可以灵敏地反映Cu2+的胁迫程度和毒性。

摘要： 研究了中华鲟幼鱼经不同浓度铜(Cu2+)水体暴露后，铜在幼鱼不同组织中的积累以及对幼鱼生长、对消化酶活性的影响。结果显示，随着Cu2+浓度的增加幼鱼体重显著的减轻，低浓度组与对照组(无Cu2+水体)无显著性差异(P>0.05)，中，高浓度组均有显著性差异(P鳃>骨板>肌肉>皮肤>脊索>软骨>肠胃;中华鲟幼鱼经不同Cu2+水体暴露后，随着Cu2+浓度的增高，8种组织中铜含量呈现不同的变化趋势，肝脏中铜的含量仍最高，从低浓度至高浓度与对照相比显著增加(P胃肠>鳃>背骨板>肌肉>皮肤>脊索>软骨。显示肝脏和肠胃是Cu2+主要的累积和代谢器官。不同浓度的Cu2+对胃肠蛋白酶、淀粉酶活性均有不同程度的影响，随着Cu2+升高胃肠蛋白酶、淀粉酶的活性与对照相比显著下降(P<0.05);脂肪酶活性则随着Cu2+浓度的增加酶活性升高，低浓度组与对照差异不显著，中高浓度组均有显著性差异(P<0.05)。表明水体Cu2+对蛋白酶和淀粉酶的活性有抑制作用，对脂肪酶有足进作用。其代谢酶活性的变化可以灵敏地反映Cu2+的胁迫程度和毒性。

摘要： 本发明公开一种肖特基积累层碳化硅横向场效应晶体管及其制作方法。该器件的特点在于：设置积累介质层，覆盖N型漂移区表面以及N+漏区表面左端区域，相应分别与欧姆栅极、欧姆漏极相接，积累介质层高于欧姆栅极和欧姆漏极；在积累介质层上形成碳化硅材料的外延层，并在外延层表面的左端和右端分别形成肖特基栅极和肖特基漏极，相应分别与欧姆栅极和欧姆漏极连接；所述外延层中在肖特基漏极下方区域的左侧通过离子注入形成N+区，N+区的左端不超出N+漏区左端对应的边界。本发明可以在漂移区中产生浓度较高的电子，大幅度降低器件的导通电阻；器件关断时，通过场板的作用能够有效降低栅极边缘的电场峰值，从而提高器件的击穿电压。

摘要： 本发明公开一种硅基肖特基积累层和缓冲层横向双扩散场效应晶体管及其制作方法。该器件中设置积累介质层，覆盖P型基区与N+漏区之间的区域；设置硅材料的外延层覆盖所述积累介质层；肖特基栅极和肖特基漏极，分别位于外延层的左端侧面、右端侧面；欧姆栅极与肖特基栅极通过导线连接，整体作为器件的栅极；欧姆漏极与肖特基栅极通过导线连接，整体作为器件的漏极。肖特基积累层用于引入高浓度电子，使得导通不依赖掺杂浓度，大幅度降低器件的导通电阻；同时通过缓冲层调制漂移区的电场，使电场分布更均匀，可大幅度提高器件的击穿电压。

摘要： 本发明公开了一种硅基结型积累层和缓冲层横向双扩散场效应晶体管及其制作方法。该器件设置积累介质层，覆盖P型基区与N+漏区之间的区域；在积累介质层上形成外延层，在外延层的左侧端部、右侧端部分别通过离子注入形成两处P型区，并在所述外延层中邻接右端P型区通过离子注入形成N+区；在栅介质层表面形成栅极，栅极与左端P型区邻接；在N+漏区表面的右端区域形成漏极，漏极与右端P型区邻接。本发明通过结型积累层结构可产生电子，使得导通电阻不依赖于掺杂浓度，从而大幅度降低器件的导通电阻。通过缓冲层调制漂移区的电场，使电场分布更均匀，可大幅度提高器件的击穿电压。

摘要： 本发明公开一种降低主结体电场的积累场效应晶体管及其制作方法。该器件中设置积累介质层，覆盖P型基区与N+漏区之间的区域；设置半导体材料的外延层，覆盖所述积累介质层；积累栅极和积累漏极，分别位于外延层的左端侧面、右端侧面；欧姆栅极与积累栅极通过导线连接，整体作为器件的栅极；欧姆漏极与积累漏极通过导线连接，整体作为器件的漏极。积累介质层可在衬底表面引入高浓度电子形成器件的电流通道，降低器件的导通电阻，同时取消传统LDMOS器件中的N型漂移区，在衬底中引入了N型埋层，可降低主结处的体电场(Reduced Bulk Field，REBULF)，从而提升器件的击穿电压。

摘要： 本发明公开了一种具有积累效应的场效应晶体管及其生产方法，其将承担反压的空间电荷区从单一的垂直方向改变为垂直与水平两个方向，在承受反压时，利用沟槽间有效距离形成全部空乏区，实现可承受较高反压的结构。缩小外延层的厚度，同时可增加外延浓度，降低外延电阻率，保证在较薄的外延层情况下能够承担较高反压，并实现导通时较低的内阻。在沟槽底部通过注入硼离子以形成-P型区域，加上沟槽底部的厚氧化层，既保证承担反压，又可大幅提高MOS管的开关速度。利用了壁垒累积效应，在栅极加电压时沟槽外壁聚集自由电荷，形成一层高浓度的导电通道，电流经此通道导通，不须经过电阻较高的外延层，从而进一步降低了导通时的内阻。

摘要： 本发明涉及一种具有电子积累效应的SOI‑LDMOS器件，属于半导体技术领域。该器件包括LDMOS结构、PNP结构、氧化隔离层、金属铝和衬底；LDMOS结构位于氧化隔离层前方，从左至右依次是源极P+区、源极N+区、P‑body、漂移区、漏极N+区；PNP结构位于氧化隔离层后方，从左至右依次是栅极P+区、栅极P区、漂移区、漏极N+区、漏极P+区；金属铝设置在氧化隔离层的右上角，连接着氧化隔离层前方的漏极N+区和氧化隔离层后方的漏极P+区；P‑body、栅极P+区、栅极P区、漂移区和氧化隔离层的正下方是衬底。本发明器件在降低比导通电阻Ron,sp的同时，还能保持较高的击穿电压。

摘要： 本发明涉及一种具有电荷积累效应的超结EA‑SJ‑FINFET器件，属于半导体技术领域。该器件由控制区和LDMOS导电区组成，控制区由源栅隔离氧化层、控制区的P‑body、控制区的P型外包区、控制区的漏极N‑buffer区、漏极P+区组成，LDMOS导电区由源极金属Al、源极P+区、源极N+区、P‑body、漂移区、漏极N‑buffer区、漏极N+区组成。本发明器件在传统FINFET器件的结构上，通过使用电荷积累效应和超结技术，提高了器件的击穿电压和跨导最大值，大幅降低了器件的比导通电阻，最终提高了器件的Baliga优值FOM，并打破了硅极限。

摘要： 本发明涉及一种具有电子积累效应的鳍式EAFin‑LDMOS器件，属于半导体技术领域。该器件分为：衬底、埋氧层和器件上面部分；其中器件上面部分包括：栅氧化层；栅氧化层外侧部分：从左至右依次是源极P+区、源极N+区、P‑body、漂移区和漏极N+区；栅氧化层内侧部分：从左至右依次是栅极P+区、栅极P‑body、控制结构的漂移区、控制结构的漏极N+区和控制结构的漏极P+区。本发明在器件中使用了电子积累效应，并采用了鳍式结构，在保持较高的击穿电压下大幅度降低Ron,sp，最终提高了Baliga优值FOM。

摘要： 本实用新型公开了一种具有积累效应的柔性场效应晶体管，包括硅晶体，所述硅晶体下表面活动嵌入安装有金属连接杆，所述硅晶体内部固定安装有沟道，所述金属连接杆包括源极连接杆、栅极连接杆和漏极连接杆，所述硅晶体下表面开设有源极连接底座，所述源极连接杆通过所述源极连接底座与所述硅晶体活动连接，所述硅晶体下表面位于源极连接底座一侧开设有栅极连接底座，所述栅极连接杆通过所述栅极连接底座与所述硅晶体活动连接，所述硅晶体下表面位于栅极连接底座一侧开设有漏极连接底座。本实用新型所述的一种具有积累效应的柔性场效应晶体管，能够自由更换单一的金属连接支脚，减少成本浪费。

摘要： 本实用新型公开了一种具有积累效应的场效应晶体管，其将承担反压的空间电荷区从单一的垂直方向改变为垂直与水平两个方向，在承受反压时，利用沟槽间有效距离形成全部空乏区，实现可承受较高反压的结构。缩小外延层的厚度，同时可增加外延浓度，降低外延电阻率，保证在较薄的外延层情况下能够承担较高反压，并实现导通时较低的内阻。在沟槽底部通过注入硼离子以形成-P型区域，加上沟槽底部的厚氧化层，既保证承担反压，又可大幅提高MOS管的开关速度。利用了壁垒累积效应，在栅极加电压时沟槽外壁聚集自由电荷，形成一层高浓度的导电通道，电流经此通道导通，不须经过电阻较高的外延层，从而进一步降低了导通时的内阻。