法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-10-27
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L29/78 专利申请号:2021100181929 申请公布日:20210518
发明专利申请公布后的驳回
机译: 一种具有弱场效应板的半导体器件的制造方法,该器件为具有高电子迁移率的晶体管半导体组件(半边)和半导体器件
机译: 具有过渡金属缓冲层的纳米纤维电子器件,至少生长一种纳米材料的方法以及器件制造方法
机译: 具有过渡金属缓冲层的纳米纤维电子器件,至少生长一种纳米材料的方法以及器件制造方法