一种具有间断场板和栅下极化层的AlGaN/GaN HEMT器件

摘要

为提高器件的击穿电压,提出了一种具有间断场板和栅下极化层结构的常开型AlGaN/GaN HEMT.分析了器件击穿电压提高的机理.优化了器件结构参数.结果表明,该常开型AlGaN/GaN HEMT的击穿电压从仅有单一场板时的1187V提升到了1573V.该新型结构能够保证AlGaN/GaN HEMT在高压条件下正常工作,极大地提高了器件的击穿性能.