非平衡磁控溅射

摘要： 采用非平衡磁控溅射技术制备Ti/WS2复合薄膜.利用扫描电镜(SEM)、能谱仪(EDS)、纳米压痕仪和摩擦磨损试验机分别对复合薄膜的微观形貌、成分、硬度以及摩擦磨损性能进行测试,研究氩气流量对Ti/WS2复合薄膜微观形貌和摩擦学性能的影响.结果 表明:随着氩气流量增加,Ti/WS2复合薄膜的疏松结构明显改善,薄膜致密度得到了提高,且Ti/WS2复合薄膜的(002)晶面择优取向增强;随着氨气流量的增加,Ti/WS2复合薄膜的摩擦因数呈现逐渐降低趋势,磨损率逐渐减小,且磨损机制由明显的磨粒磨损特征转变为轻微的磨粒磨损特征,呈现出较好的耐磨性.

摘要： 采用高纯硅靶和氮气,以直流非平衡磁控溅射技术在单晶硅表面制备氮化硅薄膜.借助台阶仪、原子力显微镜、红外光谱和X射线光电子能谱考察了基体偏压(?50～?200 V)对氮化硅薄膜沉积速率、表面形貌及元素化学态的影响.结果表明:所得氮化硅薄膜表面光滑,连续致密,均匀.随着样品负偏压的提高,薄膜的生长速率逐渐降低,但当偏压超过?150 V时,薄膜的沉积速率又升高.当基体偏压从?50 V提高到?200 V时,薄膜中Si 2p的峰位向高能端移动了0.41 eV.基片偏压为?150 V时,薄膜生长较为缓慢,但致密,Si─N键含量高.

摘要： Under different conditions of optical emission monitor (OEM),the CrTiAlN coatings were deposited on cold-work die steel SDC99 by closed-field unbalanced magnetron sputtering ion plating (CFUBMSIP) technique.The microstructural,mechanical and tribological properties of coatings were characterized by means of X-ray diffractometry (XRD),microhardness tester,nano indenter test system and pin-on-disc (POD) tribometer.The experimental results show that all of CrTiA1N coatings exhibit FCC crystal structure with (200) preferred orientation.Compared to the coatings deposited under OEM values of 65 and 80,CrTiA1N coatings prepare under OEM value of 65,which shows higher bearing capacity and adhesive force between the coating and the substrate,and the nanohardness and elastic modulus are 22.7 GPa and 276.4 GPa,respectively,as well as a lower friction coefficient and wear rate.%在不同光发射谱(OEM)条件下,采用闭合场非平衡磁控溅射技术(CFUBMSIP)在SDC99冷作模具钢表面沉积CrTiAlN涂层,采用X射线衍射仪(XRD)、显微硬度仪、原位纳米力学测试系统和销盘摩擦磨损试验机(POD)测试分析涂层的相结构、表面硬度以及耐磨损性能.结果表明:各条件下制备的CrTiAlN涂层均为FCC结构,且在(200)晶面择优取向;光发射谱值为65时,制备的CrTiAlN涂层具有较高的表面承载能力以及膜基结合力,纳米硬度和弹性模量分别为22.7 GPa和276.4 GPa;OEM65制备的CrTiAlN涂层较OEM70、OEM80制备的CrTiAlN涂层具有更低的摩擦因数和磨损率,表现出更佳的摩擦磨损性能.

摘要： 通过改变工艺参数,采用非平衡磁控溅射法在硬质合金基体上制备Ti Al N涂层来研究涂层微观结构的变化规律。经表面和断口形貌的扫描电镜结果显示,增加主因素偏压,涂层表面趋向光滑平整,结构趋向致密,表面的大颗粒数量明显减少。EDS能谱分析表明,涂层元素的含量受偏压和N2流量影响较大。XRD分析发现,膜层中有Ti Al N系和Ti N系的物相结构,Ti N/Ti Al N多层涂层主要从(111)晶面择优取向生长。

摘要： 利用非平衡磁控溅射法制得厚度达到2.23μm的掺铬含氢类金刚石(Cr-DLC)碳膜。采用Raman光谱和XPS对制得的薄膜进行了结构和热稳定性等表征。结果表明：室温时,薄膜在1544 cm-1附近的Raman“G”峰归属于石墨结构中C—C键的伸缩振动,即E2g模式；而1367 cm-1附近的“D”峰归属于sp2碳环的“呼吸”振动模式,即A1g模式；计算得到薄膜sp3键的相对含量约为48at.%。加热至300°C,薄膜的Raman谱图与室温时相似,表明此温度段薄膜的结构稳定,未发生明显改变；至400°C时,ID/IG 值迅速增大,sp2键含量升高,表明此时DLC膜发生了明显的结构变化,开始发生石墨化。继续升温,膜中ID/IG 比率增加,“G”峰位向高波数方向位移,表明 sp 2/sp 3比率逐渐增大,薄膜石墨化程度加强,sp 2键的无序度逐渐降低,最终导致薄膜的摩擦系数和磨损率等逐渐增大,热稳定性逐渐降低。退火600°C时,ID/IG 值以及sp2键含量达到最大值,DLC薄膜失效。%Chromium doped amorphous hydrogenated carbon a-C∶H(Cr)films (2.23μm in thickness)have been successfully prepared with unbalanced magnetron sputtering technology(UBMS)in this paper.Raman spectrum and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS)have been used to study the structure and thermal stability of the Chromium doped diamond-like carbon films (Cr-DLC).The results indicate that,at the room temperature,the Raman absorption peak “G”near 1 580 cm-1 was as-signed to C—C stretching vibration mode (E2g)in the Cr-DLC films,while the peak “D”near 1 350 cm-1 was assigned to sp2 breathing vibration mode (A1g).The relative concentration of sp3 bond in the film is at 48%.When heated till 300 °C,the Raman pattern of sample is similar to that of the sample at room temperature,indicating the structure of Cr-DLC film is stable. At 400 °C,the ratio of ID/IG and the concentration of sp2 bond clearly increase,indicating the change of the structure in the Cr-DLC and the appearance of graphitization.With temperature going up,the rise of ID/IG ratio and the shift of the peak “G”to high wavenumber show that the rise of sp2/sp3 ratio,the intensity of graphitization,and the decline of the disorder of sp2 in the Cr-DLC films lead to the increase of the friction coefficient and wearing rate and the decline of the Cr-DLC thermal stability. When the it is up to 600 °C,the ratio of ID/IG and the concentration of sp2 bond reach the max value while the Cr-DLC film loses its efficacy.

摘要： 采用非平衡磁控溅射技术在40Cr、9Cr18、GCr15、TC4及LY12等5种金属基体上沉积了钨掺杂含氢类金刚石(W-C:H)薄膜.采用Raman光谱仪、扫描电子显微镜、纳米硬度计及纳米划痕仪分别测试了薄膜的微结构、厚度、硬度及附着力,采用球-盘摩擦试验机及光学轮廓仪分别在干摩擦和PFPE脂润滑条件下评价了5种金属材料基体上薄膜的摩擦磨损性能.薄膜性能测试结果显示,该厚度为1μm的薄膜具有典型的类金刚石结构,硬度与弹性模量分别为11.56和128.34 GPa,附着力为645 mN;摩擦试验结果显示,在干摩擦条件下几种金属基体表面W-C:H薄膜的摩擦因数和磨损率差别比较显著,而在脂润滑条件下基体材料的影响较小;与干摩擦条件相比,脂润滑条件下薄膜的磨损可减少60％ ～75％;在干摩擦与脂润滑条件下,9Cr18与40Cr基体上的W-C:H薄膜摩擦体系分别具有最小的磨损率1.71×10-7 mm3/(N·m)及4.55×10-8 mm3/(N·m).

摘要： 采用非平衡磁控溅射离子镀技术在铝合金表面沉积类石墨镀层.采用原子力显微镜对镀层的微观形貌进行观察,采用划痕附着力测试仪对镀层的膜基临界载荷进行测试,利用维氏显微硬度计和销-盘摩擦磨损试验机对镀层的显微硬度及摩擦系数进行了测试.研究结果表明,基体偏压在-60V～-120V范围内,类石墨镀层以岛状方式生长,且随偏压值增大,镀层晶粒和粗糙度减小;随基体偏压值增大,镀层膜基临界载荷逐渐增大,摩擦系数逐渐减小,当基体偏压值为-120V时,镀层临界载荷为42N,硬度最高为235 HV0.025,摩擦系数为0.19.磨损机制由粘着磨损和磨粒磨损为主转变为以磨粒磨损为主.

摘要： 磁控溅射技术因为其自身所具有的显著优点，已经被越来越广泛的运用于各个领域，其中以工业镀膜方面的应用最为广泛，相应的其生产技术也得到了很大的改进。文章着重讲述磁控技溅射技术的原理，特点以及磁控溅射技术的发展趋势。

摘要： 采用非平衡磁控溅射离子镀技术在YG6硬质合金表面沉积TiAlN薄膜,研究Al靶的溅射电流对TixAl1-xN薄膜组织结构与性能的影响.利用X线衍射仪、扫描电子显微镜和显微硬度仪等分析仪器对制备的TixAl1-xN薄膜的相结构、表面形貌和显微硬度进行测试分析.测试结果表明:膜层中存在Ti3 AlN、AlN相,且Ti3AlN沿(220)晶面择优取向.SEM测试表明,随Al靶功率的提高,膜层晶粒结构变得更致密.显微硬度仪测得薄膜平均硬度最高可达2 980 HV.

摘要： 采用阳极型气体离子源结合非平衡磁控溅射的方法,在单晶硅及Ti6Al4V钛合金基体上制备掺钨类金刚石多层膜(DLC/WC),利用俄歇电子谱(AES)、透射电镜(TEM)、X射线光电子能谱(XPS)及X射线衍射(XRD)等对膜层的过渡层、界面及微观结构进行研究.结果表明：所制备的膜层厚2.7μm,硬度高达3550HV,摩擦因数为0.139,与Ti6Al4V基体结合力为52 N；W主要以纳米晶WC的形式与非晶DLC形成WC/DLC多层膜,该多层膜仍呈现出类金刚石膜的主要特征.%Anodic gas ion beam source (IBS) and unbalance magnetron sputtering (UBM) were employed to deposit diamond-like carbon/WC (DLC/WC) multilayer film on Si. Auger electron spectroscopy (AES), transmission electron microscopy (TEM), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), X-ray diffractometry (XRD) and microhardness tester were employed to evaluate the interface, microstructure and composition of films. The results show that the film thickness is 2.7μm, hardness up to 3 550HV, the friction coefficient is 0.139, and adhesion strength is 52 N in Ti6Al4V substrate. In the film, nanocrystalline WC and amorphous DLC layer overlap the formation of DLC/WC multilayers. The multilayer film still shows that the main features, which are very similar to the DLC film.

摘要： 采用Teer UDP650型闭合场非平衡磁控溅射离子镀设备沉积CrN镀层,通过调变偏压获得不同结构和性能的CrN镀层.试验用划痕法测定了镀层结合强度、用球-盘方法测定了镀层摩擦系数和比磨损率、用压入法评价镀层韧性,硬度测试在维氏硬度计上进行.实验结果表明,随着溅射偏压的升高,离子速流提高,偏压过低或过高均使沉积速率下降,-50V～-70V偏压时沉积速率基本保持稳定.CrN镀层的硬度随偏压的升高而升高,但伴随着韧性的下降.高偏压下沉积的镀层摩擦系数呈下降趋势,偏压在-40～-70V间制备的镀层对磨WC球时几乎不磨损,但当偏压从-70V提高到-80V时,磨损明显加剧.

摘要： 金属铀的化学性质十分活泼,极易发生氧化腐蚀。为改善基体的抗腐蚀性能,采用非平衡磁控溅射离子镀技术在金属铀表面制备CrNx薄膜。采用X射线衍射和X射线光电子能谱研究了薄膜表面的物相结构和元素成分分布,采用极化曲线研究了薄膜的抗腐蚀性能。试验结果表明,CrNx薄膜具有较好的致密性和抗腐蚀性能。当氮分压较小时,生成的薄膜为Cr+CrN+Cr2N混合相。在金属铀表面制备一层CrNx薄膜后,其腐蚀电位增大了约465mV,腐蚀电流密度明显降低,有效改善了贫铀表面的抗腐蚀性能。

摘要： 本文采用非平衡磁控溅射法在钛基体表面制备氧化钛薄膜,研究了薄膜在PBS溶液和添加纤维蛋白原的PBS溶液中的电化学行为。电化学阻抗(EIS)图谱结果显示薄膜的各反应电阻和相位差随着薄膜的合成工艺的改变而不同,显示出薄膜/溶液界面结构及其对电荷转移的阻碍存在差异。

摘要： 采用非平衡非平衡磁控溅射法在钛基体表面制备Ti-O薄膜,进行对薄膜在PBS溶液和添加纤维蛋白原的PBS溶液中的电化学行为的研究,探索在薄膜和纤维蛋白原之间的电荷转移情况。电化学阻抗(EIS)图谱结果显示薄膜的反应电阻和相位差随着工艺的改变有显著的变化,表明了在界面薄膜-溶液界面处电荷转移速率的不同,肖特基(Mott-schaottky)图谱结果表明薄膜是n型半导体结构,且在还有纤维蛋白原的PBS溶液中表现了更高的载流子浓度,证明了电荷从纤维蛋白原向氧化钛薄膜的转移。

摘要： 金属铀的化学性质十分活泼，极易发生氧化腐蚀。为改善基体的抗腐蚀性能，采用非平衡磁控溅射离子镀技术在金属铀表面制备CrNx 薄膜。采用X 射线衍射和X 射线光电子能谱研究了薄膜表面的物相结构和元素成分分布，采用极化曲线研究了薄膜的抗腐蚀性能。试验结果表明，CrNx 薄膜具有较好的致密性和抗腐蚀性能。当氮分压较小时，生成的薄膜为Cr+CrN+Cr2N 混合相。在金属铀表面制备一层CrNx 薄膜后，其腐蚀电位增大，腐蚀电流密度明显降低，有效改善了贫铀表面的抗腐蚀性能。

摘要： 以石墨靶和SiC靶为靶材,采用非平衡磁控溅射技术制备了一系列掺Si类金刚石碳膜.采用XPS、拉曼光谱仪、台阶仪、SEM、EDS以及球盘式摩擦磨损试验仪表征薄膜的微观结构和摩擦学性能.结果表明,Si在薄膜中主要以C-Si键、C-Si-O键的形式存在;随着SiC靶功率密度的增加,薄膜中sp3键的含量逐渐增加,薄膜的摩擦系数逐渐减小,但是磨损率却显著增大.

摘要： Ti-O薄膜作为一种具有优良生物相容性的无机材料,已经被广泛应用于心血管材料的抗凝血表面改性,例如人工心脏瓣膜和血管支架.然而其抗凝血的机理到目前为止仍不清楚.本文通过非平衡磁控溅射的方法制备了一系列不同氧含量的钛氧薄膜,对其成分结构进行分析,并对抗凝血行为进行评价,从生物材料促发凝血的电化学机理上来解释薄膜表面与血液之间的相互作用.

摘要： 应用电弧离子镀和非平衡磁控溅射镀膜技术相结合的方法,并使用霍尔离子源辅助,制备了过渡层为Cr、掺杂Ti和N的DLC薄膜.对DLC薄膜的表面形貌、内部结构、力学性能以及电学性能进行了分析测试,结果表明:膜层中含有sp2键和sp3键结构,硬度达到Hv(25g)2000以上,摩擦系数较小,电阻高于2兆欧.

摘要： 采用非平衡磁控溅射法制备了2种不同结构的TiO2薄膜,对所得TiO2薄膜分别运用碱处理和酸处理2种化学方法进行表面处理,期望在材料表面获得羟基活性基团.运用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱仪(XPS)等手段研究了薄膜的表面结构、成分等。利用傅立叶红外技术(FTIR)对活化处理前后样品表面的羟基基团进行检测,同时利用四探针测试仪对薄膜的电阻率进行了测量。结果表明,运用碱处理和酸处理2种方法,可以在锐钛矿型TiO2薄膜表面形成活性羟基基团；相比于金红石型TiO2薄膜,锐钛矿型具有较好的羟基活化能力。

摘要： Si3N4是一种介电材料,SiC是一种半导体材料,两者的结合将可能是一种具有宽的带隙光学和电学性质的超硬材料.本文采用微波-ECR等离子体增强非平衡磁控溅射技术制备SiCN薄膜,并对薄膜的化学结构、力学性能进行了表征.研究表明基体负偏压是影响薄膜结构和性能的重要参数.随着基体负偏压的增大(-50～-250 V),薄膜表面光滑平整;硬度值保持在25GPa以上,在偏压为-150V时硬度最大,为27.5GPa;薄膜中Si-C-N键含量保持在40％左右,C-N键含量先增加后减小;薄膜为非晶结构.上述结果表明由于基体偏压的增加,薄膜中的高键合能的C-N键的含量,膜中Si、C、N各元素的化学配比发生改变,导致薄膜结构和性能的变化.

摘要： 本发明公开了一种矩形平面磁控溅射阴极，包括框体，所述框体内底部固定安装有伸缩装置，所述伸缩装置上端固定安装有动力装置，所述动力装置两侧均固定安装有一个储料装置，所述储料装置远离动力装置的一端固定安装有伸缩杆，所述伸缩杆远离储料装置的一端固定安装有T形杆，所述框体侧壁开设有滑槽，所述T形杆位于滑槽内部且与滑槽侧壁滑动连接。本发明，通过设置动力装与储料装置，可以随时改变靶材的水平位置，减少靶材刻蚀不均的情况，提高靶材利用率，减少靶材的浪费，通过设置伸缩装置，能改变靶材与阳极的位置远近，控制靶材刻蚀的程度，给日常使用带来了极大的便捷。

摘要： 本发明公开了一种可控靶材表面磁场强度的非平衡磁控溅射沉积方法制备Fe‑Si薄膜的工艺，采用改进的双靶非平衡磁控溅射沉积技术，以Fe‑Si合金靶为磁控对靶，在沉积过程中调节磁控对靶之间的相对距离，得Fe‑Si薄膜。本发明通过增加一对可以调整磁控对靶的相对距离的支架，且左右磁控管采用闭合非平衡磁场的设计，靶材的离化率高，有利于制备电阻率高的Fe‑Si薄膜，并可通过改变对靶间距离调整样品电阻率，产品质量稳定，电阻率高，且涉及的沉积工艺简单、重现性好，适合推广应用。

摘要： 本发明公开了一种采用非平衡磁控溅射技术制备螺纹防咬死涂层的方法，该方法：一、对螺栓进行抛光和清洗：二、对螺栓进行喷砂处理；三、将Ni靶、Ag靶与Pd靶分别置于非平衡磁控溅射设备的多个独立靶位上，在螺栓表面非平衡磁控溅射技术采用沉积Ni过渡层：四、采用非平衡磁控溅射技术继续在Ni过渡层上沉积AgPd涂层，最后由Ni过渡层和AgPd涂层组成螺纹防咬死涂层。本发明解决了螺栓的拆装与锁紧过程中发生的咬死失效问题，其中位于表层的AgPd涂层中Ag具有良好的延展性和润滑性，加入Pd后涂层的热稳定性得到提高，同时AgPd复合涂层具有良好的抗氧化性与较高的硬度，涂层的综合性能得以提升。

摘要： 本发明提供一种非平衡磁控溅射电极及系统，该电极包括阳极、阴极和背板，其中阳极与阴极对应与电源的正负极连接，背板包括弧面以及位于弧面两侧的两平面，背板通过平面固定在阴极的正面上，在阴极内埋设有位于平面下方且与平面垂直的一对磁极，该对磁极中两磁极与弧面对称轴的距离相等，且极性相反，磁场强度不同。本发明通过在非平衡磁控溅射电极的阴极上只设置两个磁极，并使固定在阴极正面的背板的弧面与两个磁极形成的弧形的非平衡磁力线平行，可以使阴极表面形成一个正交的弧形电子阱，从而使阴极表面形成一个呈弧形均匀的等离子体区域，由此可以使靶材的溅射区域均匀分布，从而使得溅射速率和靶材的利用率显著提高。

摘要： 本发明提供一种磁极辅助非平衡磁控溅射装置，包括真空室、非平衡磁控电极、辅助磁极和衬底承载架，衬底承载架设置在真空室的下侧，非平衡磁控电极设置在真空室上侧的中心位置处，辅助磁极设置在非平衡磁控电极的两侧；或者非平衡磁控电极均匀分布在以真空室上侧中心为圆心的同一圆周上，辅助磁极均匀分布在真空室内壁的等高线上和/或设置在真空室上侧的中心位置处，当存在偶数个非平衡磁控电极时，至少一对并排设置的非平衡磁控电极的两侧设置有辅助磁极，当存在奇数个非平衡磁控电极时，均匀分布在真空室内壁的等高线上的辅助磁极的个数等于非平衡磁控电极的个数。通过本发明可以提高沉积薄膜在成分、微观结构及厚度上的均匀性高。

摘要： 本发明公开了一种可控靶材表面磁场强度的非平衡磁控溅射沉积方法制备Fe‑Si薄膜的工艺，采用改进的双靶非平衡磁控溅射沉积技术，以Fe‑Si合金靶为磁控对靶，在沉积过程中调节磁控对靶之间的相对距离，得Fe‑Si薄膜。本发明通过增加一对可以调整磁控对靶的相对距离的支架，且左右磁控管采用闭合非平衡磁场的设计，靶材的离化率高，有利于制备电阻率高的Fe‑Si薄膜，并可通过改变对靶间距离调整样品电阻率，产品质量稳定，电阻率高，且涉及的沉积工艺简单、重现性好，适合推广应用。

摘要： 本发明公开了一种采用非平衡磁控溅射技术制备螺纹防咬死涂层的方法，该方法：一、对螺栓进行抛光和清洗：二、对螺栓进行喷砂处理；三、将Ni靶、Ag靶与Pd靶分别置于非平衡磁控溅射设备的多个独立靶位上，在螺栓表面非平衡磁控溅射技术采用沉积Ni过渡层：四、采用非平衡磁控溅射技术继续在Ni过渡层上沉积AgPd涂层，最后由Ni过渡层和AgPd涂层组成螺纹防咬死涂层。本发明解决了螺栓的拆装与锁紧过程中发生的咬死失效问题，其中位于表层的AgPd涂层中Ag具有良好的延展性和润滑性，加入Pd后涂层的热稳定性得到提高，同时AgPd复合涂层具有良好的抗氧化性与较高的硬度，涂层的综合性能得以提升。

摘要： 本发明提供一种磁极辅助非平衡磁控溅射装置，包括真空室、非平衡磁控电极、辅助磁极和衬底承载架，衬底承载架设置在真空室的下侧，非平衡磁控电极设置在真空室上侧的中心位置处，辅助磁极设置在非平衡磁控电极的两侧；或者非平衡磁控电极均匀分布在以真空室上侧中心为圆心的同一圆周上，辅助磁极均匀分布在真空室内壁的等高线上和/或设置在真空室上侧的中心位置处，当存在偶数个非平衡磁控电极时，至少一对并排设置的非平衡磁控电极的两侧设置有辅助磁极，当存在奇数个非平衡磁控电极时，均匀分布在真空室内壁的等高线上的辅助磁极的个数等于非平衡磁控电极的个数。通过本发明可以提高沉积薄膜在成分、微观结构及厚度上的均匀性高。

摘要： 本实用新型提供了一种非平衡磁控溅射镀钽装置，涉及电镀领域，包括箱体，箱体设置有用于镀膜的腔体，腔体内设置有筒形的负极接线板，负极接线板连接有带PWM控制器的溅射电源，负极接线板靠近圆心的一侧设置有筒形的钽金属靶材，负极接线板与钽金属靶材之间设置有间隔的固定在负极接线板上的第一永磁体和第二永磁体，第一永磁体与第二永磁体磁性相反；腔体内还设置有氩气注入口以及真空抽气口；基台，设置于腔体内，基台上设置有用于安装待加工材料的支撑架，本申请采用永磁体实现了待加工材料的全覆盖，有利于待加工材料表面的沉积，可以获得的钽金属薄膜结构致密，适用于多孔或不规则的金属的待加工材料紧密结合，可以实现无死角镀钽。

摘要： 本实用新型公开了一种非平衡磁控溅射镀锌装置，包括腔体和FPGA控制装置，所述腔体的内壁左右的上端对称设有两组电生磁装置，所述电生磁装置包括永磁体和线圈，所述线圈缠绕在永磁体的外侧，且所述线圈通过导线连接有功率放大器，所述功率放大器连接有电压/电流调理装置，所述电压/电流调理装置通过导线电性连接有PWM控制器，所述PWM控制器与FPGA控制装置电性连接。该非平衡磁控溅射镀锌装置，通过在腔体的内壁左右的上端对称设置的两组电生磁装置与PWM控制器连接，其PWM控制器能够根据实际需要来调节电流和电压的大小，同时电压检测器和零序互感器能够对PWM 控制器的输出电压进行检测，确保对PWM 控制器的稳定性。