退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN110004419B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-10-30
原文格式PDF
申请/专利权人 武汉理工大学;
申请/专利号CN201910152980.X
发明设计人 章嵩;魏耕;涂溶;王传彬;沈强;张联盟;
申请日2019-02-28
分类号C23C14/35(20060101);C23C14/18(20060101);C23C14/54(20060101);
代理机构42102 湖北武汉永嘉专利代理有限公司;
代理人崔友明;李欣荣
地址 430070 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号
入库时间 2022-08-23 11:19:43
机译: 磁控溅射装置,用于使用该装置的无机薄膜材料的磁通量配置(平衡型/非平衡型)可切换成膜方法,以及用于非磁性薄膜的双型磁控溅射装置和成膜方法成型B
机译: 一种磁控溅射制备铁电薄膜的方法及铁电薄膜
机译: 纯锡靶材料的掺氟氧化锡薄膜的制备及利用磁控溅射法的方法
机译:非平衡磁控溅射与PIII复合技术制备的DLC薄膜
机译:非平衡磁控溅射法在有机玻璃薄膜晶体管上制备的铝掺杂ZnO薄膜的特性
机译:采用液面自组织的方法在洁净的玻璃片表面铺设单层六方密排的聚苯乙烯胶体球阵列,通过改变等离子 刻蚀的时间实现对胶体小球的直径控制,结合离子溅射Au膜和磁控溅射MoO2膜,最终构筑成为一种新颖的MoO2/Au微纳阵列结构,利用扫描电镜对所合成材料进行形貌表征;同时重点利用接触角测量仪对 微纳阵列薄膜的浸润性进行研究,分析水在微纳阵列表面所形成的接触角的角度变化,结果显示沉积 MoO2/Au微纳阵列比相应的Au微纳阵列更加亲水,有利于材料在水溶液中进行电化学反应。
机译:非平衡磁控溅射制备的氧氮化铌薄膜的低温性能
机译:脉冲反应直流磁控溅射技术制备的高介电常数薄膜的沉积和表征。
机译:磁控溅射技术制备的金属氧化物薄膜在微波频率范围内的挥发性有机物检测
机译:采用非平衡磁控溅射技术制备Cr / CrN纳米多层膜的非均衡磁/电性能溅射技术制备Cr-CrN纳米多层膜的电学性能
机译:一种制备超高纯陶瓷粉末,纤维和薄膜的方法