介电材料

摘要： 采用Stober法对高介电常数陶瓷填料钛酸钡(BT)进行改性,得到二氧化硅(SiO_(2))包覆BT(BT@SiO_(2))填料,并采用溶液浇铸法制备具有高介电储能性能的聚醚酰亚胺(PEI)/BT@SiO_(2)复合材料薄膜,研究了复合材料薄膜的表面结构、结晶行为、介电性能、储能性能等。X射线衍射(XRD)及透射电子显微镜结果表明,SiO_(2)成功包覆在BT粒子的表面,制备了具有“核-壳”结构的BT@SiO_(2)填料;扫描电子显微镜、XRD结果表明,BT@SiO_(2)填料在PEI基体中分散均匀,SiO_(2)层增强了填料的分散性;介电性能、储能性能测试结果表明,高介电常数BT@SiO_(2)填料的引入有效增强了PEI复合材料的介电常数,降低介电损耗。当BT@SiO_(2)填料的体积分数为0.2%时,PEI复合材料的特征击穿强度达到最大值468 MV/m,相对纯PEI提高了16%,在电场强度为400 MV/m的条件下,其放电能量密度为4.1 J/cm^(3),相对纯PEI提高了192%,充放电效率为72%。

摘要： 采用改进的溶胶凝胶法制备Mg掺杂的CaCu_(3-x)Mg_(x)Ti_(4)O_(12)(x=0、0.05、0.1、0.15和0.2,摩尔分数,%)薄膜。对掺Mg的CaCu_(3)Ti_(4)O_(12)(CCTO)薄膜的微观结构和电性能进行研究。与未掺杂的CCTO薄膜相比,掺Mg的CCTO薄膜的晶粒尺寸较小。此外,与未掺杂的CCTO薄膜相比,掺Mg的CCTO薄膜具有高介电常数和出色的频率稳定性。同时,Mg掺杂可以减少CCTO薄膜在10^(4)~10^(6) Hz频率范围内的介电损耗。结果表明,与未掺杂的CCTO薄膜相比,掺Mg的CCTO薄膜具有良好的电学特性,x=0.15和x=0.1的Mg掺杂CCTO薄膜的非线性系数分别提高到7.4和6.0。

摘要： 对单脉冲飞秒激光加工熔融石英进行了理论和实验研究,在追踪自由电子密度、温度和激光强度时空分布的基础上,量化了飞秒激光辐照熔融石英的电子动力学及瞬态材料光学和热物理的演变过程.通过将理论预测的烧蚀阈值、深度及轮廓,和实验结果进行比较,发现了理论预测结果与实验测量结果较好吻合,验证了本文所提出的理论模型的有效性.并进一步通过理论模型,揭示了在不同飞秒激光能量密度(也称“激光通量”)和脉冲持续时间(也称“脉冲宽度”)的辐照下,光致电离和碰撞电离中的自由电子弛豫时间演变规律,发现了自由电子弛豫时间对材料光学性质的演变和飞秒激光能量吸收过程起着至关重要的作用.理论模拟和实验测量均发现激光能量密度对烧蚀坑的形状有很大影响,即在激光能量密度略高于烧蚀阈值时烧蚀体积与激光能量密度呈线性关系.相较于皮秒激光而言,在飞秒激光辐照下烧蚀体积随着激光能量密度的增加而增大更为明显.因此,本文提出在略高于烧蚀阈值时可获得较高的加工效率,而在远高于烧蚀阈值时可获得良好的可重复性加工.

摘要： 2021年7月27日,埃万特宣布将PREPERM^(TM)低介电损耗的热塑性材料添加到其不断扩大的材料体系中,以满足新兴的5G应用市场的需求。依赖于5G技术的各种设备正在电信、消费电子、汽车和医疗保健等领域不断创新,反过来,这些设备的性能发挥又仰赖于在5G高频段、毫米波(mmWave)频率下具有低信号损失的材料。这些高频介质材料可为天线、基站、谐振器、透镜、汽车雷达、互联网设备以及直接服务于终端用户的设备(例如路由器和调制解调器)提供更快、更可靠的连接。

摘要： 埃万特于2021年7月27日宣布将PREPERM TM热塑性低损耗介电材料添加到其不断扩大的材料体系中,以满足新兴的5G应用市场的需求。依赖于5G技术的各种设备正在电信、消费电子、汽车和医疗保健等领域不断创新,反过来,这些设备的性能发挥又仰赖于在5G高频段、毫米波频率下具有低信号损失的材料。这些高频介质材料可为天线、基站、谐振器、透镜、汽车雷达、互联网设备,以及直接服务于终端用户的设备(例如路由器和调制解调器)提供更快、更可靠的连接。

摘要： 随着经济的发展,人们对于能源的需求十分广泛,可供使用的材料也更加齐全.介电材料,又称电介质.介电复合材料是指多种介电材料组合在一起构成的材料.介电复合材料的种类有很多,其中高介电常数聚合物为人们的生产和生活带来很大的便利,可以用来制作高容量高品质的电器,由于它的优良性能,这种介电复合材料受到人们的广泛关注.

摘要： 介电电容器具有超高功率密度、低损耗以及高工作电压等优点,是广泛应用于电子电力系统的关键储能器件.铁电聚合物是发展高储能密度电介质薄膜材料的理想选择,而基于铁电聚合物的纳米复合材料则兼具了聚合物的高击穿场强、柔性、易加工等特点以及陶瓷的高介电性能,是近年来电介质储能材料研究的前沿与热点.本文首先介绍了铁电聚合物材料的制备、铁电性能以及极化特性的调控方法,随后总结了铁电聚合物纳米复合材料中纳米填料、复合结构以及界面三个关键调控策略对复合材料介电与储能性能的影响,并探讨了基于相场方法的纳米复合材料中介电与储能特性的微观机制研究,最后对高储能密度铁电聚合物纳米复合材料现存问题以及未来发展方向进行了总结与展望.

摘要： 介电储能电容器以其充放电速度快、功率密度高等优点,在现代电子和电力系统中得到了广泛应用.目前,与可再生能源相关的新兴产品,如混合动力汽车、并网光伏发电和风力发电、井下油气勘探等,对于介电储能电容器的高温储能性能提出了更高的要求.本文总结了近年来关于聚合物及其纳米复合电介质材料的高温介电储能研究中的代表性研究进展,为该领域科研工作者进一步研究提供参考.首先介绍了电介质材料储能的物理机理,并对电介质材料的几种电导机制进行了总结和分析;接下来介绍了目前提高聚合物基电介质材料高温储能性能的几种方法,包括纳米复合改性和相关的层状结构设计,以及高分子聚合物的分子结构设计和化学交联处理等;最后对聚合物基电介质材料在高温储能应用领域中尚待解决的科学技术问题进行了讨论,并展望了未来可能的研究方向.

摘要： 本文针对介电材料对微波加热冷冻干燥过程的影响进行了实验和理论研究。实验结果表明，介电材料可以有效地强化微波冷冻干燥过程。在实验测试条件下，干燥时间与常规冷冻干燥时间相比大大缩短。理论研究是用有限差分法数值求解一个考虑吸湿效应的带有移动升华界面的质热传递耦合模型。模拟结果证实了在微波冷冻干燥过程中使用介电材料的有效性，特别是在待干溶液的固含量很低或者固体产品的介电损耗因子很小的情况下尤为有效。实验测定和模型预测的干燥曲线相比较显示了良好的一致性。通过考察冰饱和度和温度的分布侧形，本文还分析了物料内部的质热传递机理，并讨论了干燥速率的控制因素。

摘要： 本文介绍了用数字电桥测量介电材料和软磁材料的实验设计.通过本实验,能使学生了解和掌握介电材料和软磁材料的理论和测试方法,以及数字电桥的原理和使用.

摘要： 本文介绍了一种新型大电流脉冲调制器件——双间隙伪火花开关,它利用介电材料沿面放电进行触发,双间隙导通脉冲大电流,可以用来调制不低于50kV、50kA的脉冲.本文就双间隙伪火花开关沿面放电的三种触发材料进行了相关研究,确定了氮化铝-碳化硅材料具有优良的触发性能与机械性能,解决了触发单元成品率较低的问题,实现了双间隙伪火花开关的产品化.

摘要： 本文通过对聚(偏氟乙烯-三氟乙烯)[P(VDF-TrFE)]改性接枝聚甲基丙烯酸乙酯(PEMA)侧链,成功实现了含氟聚合物在高电场中的反铁电行为.采用典型的ARGET-ATRP反应,以P(VDF-TrFE-CTFE)为原料,通过控制聚合时间,得到了不同PEMA含量的接枝共聚物.结构表征说明,接枝共聚物P(VD)F-TrFE-CTFE)-g-PEMA具有与P(VDF-TrFE)(80/20)相同的晶型结构,即单一的β晶型,同时结晶度和晶粒尺寸显著减小.电滞回线研究结果表明,随着PEMA含量增加,D-E曲线由典型的铁电性矩形回线逐渐向双螺旋回线转变,即新型的反铁电特征;同时,这种反铁电性即使在电场＞400MVv/m亦得到了很好的保持.与具有相同TrFE组分P(VDF-TrFE)相比,P(VDF-TrFE-CTFE)-g-PEMA(22wt％)接枝共聚物的释放能量密度增大(最高为14J/cm3),且能量损耗显著降低(30％).这种高电场中的反铁电行为主要归于非晶PEMA链段对P(VDF-TrFE)结晶过程的阻碍和电场中晶粒取向运动的限制作用.研究结果对新型的高储能低损耗电容器介电材料具的理论研究和设计制各具有重要的指导煮义。

摘要： 随着社会科技的不断进步，人们将对含氟聚合物在各个不同领域进行越来越广泛且深入的功能开发，同时也不断探索和改善含氟聚合物材料的生产和加工工艺，不断降低生产和制造这些功能性材料的成本，从而最终使这类材料在更多的应用领域发挥重要的作用。本文介绍了含氟聚合物在膜分离(液相、气体和生物医药等分离)、新能源(锂离子电池、超级电容器、太阳能背板等)及介电材料等领域的功能性开发及应用简况。

摘要： 随着世界电子信息产业的迅速发展,新型电子元器件的发展方向呈现多元化,而电子元器件的小型化、片式化一直是主要方向发展之一。不论是手机,计算机,还是其他的电子产品,集成电路都是其中重要的组成部分。而作为集成电路板上的重要元件——电容器,它在电路中起到了储能、抗干扰、旁路、耦合等重要的作用,器件的小型化使得大容量成为电容器的发展方向之一。大容量就要求电介质具有高的介电常数。近年来,介电材料CaCu3Ti4O12(CCTO)因其具有非常高的介电常数(～104)以及在室温范围内较好的温度稳定性而得到了大家的普遍关注。然而它的介电损耗却比较大,在室温1kHz的测试条件下约为0.1,不利于实际的应用。此外,它的介电响应具有着较大的频率和电压依赖性,这对于要求对于频率和电压波动稳定的电路中是不允许的。本文制备了Eu2/3Cu3Ti4O12(ECTO)和Tb2/3Cu3Ti4O12(TCTO)两种材料以作研究。

摘要： 介绍了高性能介电材料的具体要求，探讨了影响复合材料介电性能的因素，综述了环氧树脂、聚四氟乙烯树脂、聚酰亚胺树脂、改性BT树脂、聚苯醚树脂、氰酸酯树脂和其他复合材料用基体树脂的介电特性和应用状况，并对其应用前景进行了展望。

摘要： 钛酸锶钡(BaxSr1-xTiO3,BST)薄膜具有优良的铁电、介电性能,尤其具有介电非线性效应,使其在微波调谐器件方面得到广泛的应用.本文综述了国内外近几年钛酸锶钡在掺杂改性方面的研究现状,论述了一元掺杂的A位掺杂、B位掺杂、梯度掺杂和二元掺杂的二元共掺杂、二元交替掺杂对BST薄膜介电损耗和调谐率的影响.

摘要： 钛酸锶钡(BaxSr1-xTiO3,BST)薄膜具有优良的铁电、介电性能,尤其具有介电非线性效应,使其在微波调谐器件方面得到广泛的应用.本文综述了国内外近几年钛酸锶钡在掺杂改性方面的研究现状,论述了一元掺杂的A位掺杂、B位掺杂、梯度掺杂和二元掺杂的二元共掺杂、二元交替掺杂对BST薄膜介电损耗和调谐率的影响.

摘要： 钛酸锶钡(BaxSr1-xTiO3,BST)薄膜具有优良的铁电、介电性能,尤其具有介电非线性效应,使其在微波调谐器件方面得到广泛的应用.本文综述了国内外近几年钛酸锶钡在掺杂改性方面的研究现状,论述了一元掺杂的A位掺杂、B位掺杂、梯度掺杂和二元掺杂的二元共掺杂、二元交替掺杂对BST薄膜介电损耗和调谐率的影响.

摘要： 提供了透镜式天线，其包括多个辐射元件和定位成接收来自辐射元件中的至少一个辐射元件的电磁辐射的透镜，透镜包括复合介电材料。复合介电材料包括与惰性粘结剂混合的可膨胀的气体填充的微球、诸如发泡微球的介电载体材料以及混合在一起的导电材料的颗粒。

摘要： 本发明提供了一种高分子介电材料改性剂及高分子介电材料的处理方法，该改性剂包括有机胺、阳离子高分子表面活性剂与水。与现有技术中的清洁整孔剂相比，本发明采用包含有机胺与阳离子高分子表面活性剂对高分子介电材料表面进行处理，其中，有机胺可对介电材料的表面进行清洁，同时可避免无机碱对阳离子高分子表面活性剂的攻击，也有助于阳离子高分子表面活性剂的溶解分散；而阳离子高分子表面活性剂所形成的Zeta电位较高，借由强正电荷吸附，使介电材料表面植上含氮元素的官能基团，可增加钯活化剂的吸附量与化学铜的交互键结强度，进而增强化学铜与高分子介电材料之间的密着力。

摘要： 一种介电材料，包括：由包括Si、B和碱金属元素的玻璃构成的玻璃粉末，该玻璃在1050°C或者更低的温度下在烧结中是非晶的；包括SiO2、Al2O3和3Al2O3·2SiO2中至少一种物质和碱金属的陶瓷填料，其中当包含在玻璃中的所有换算为SiO2的Si、换算为B2O3的B和换算为A2O的碱金属元素的总和为100摩尔%时，包含在玻璃中的换算为A2O的碱金属元素的含量为0.5摩尔%或者更低，其中A代表碱金属元素；当包含在陶瓷填料中的所有SiO2、Al2O3和3Al2O3·2SiO2中的至少一种物质和换算为A2O的碱金属元素的总和为100摩尔%时，换算为A2O的碱金属元素的含量为0.5摩尔%或者更低。

摘要： 本公开提供一种介电材料和包括该介电材料的多层陶瓷电子组件。所述介电材料包括：主成分，由(Ba1‑xCax)(Ti1‑y(Zr,Sn,Hf)y)O3(0≤x≤1且0≤y≤0.5)表示；第一副成分，包括Y、Dy、Ho、Er、Gd、Ce、Nd、Nb、Sm、Tb、Eu、Tm、La、Lu和Yb中的至少一种元素；第二副成分，包括Si和/或Al；以及第三副成分，包括Ba和/或Ca。

摘要： 本公开涉及具有由轻质介电材料形成的透镜和相关介电材料的天线。提供了透镜式天线，其包括多个辐射元件和定位成接收来自辐射元件中的至少一个辐射元件的电磁辐射的透镜，透镜包括复合介电材料。复合介电材料包括与惰性粘结剂混合的可膨胀的气体填充的微球、诸如发泡微球的介电载体材料以及混合在一起的导电材料的颗粒。

摘要： 本公开提供一种介电材料及使用该介电材料的多层陶瓷电子组件，所述介电材料包括：主成分，由(Ba1‑xCax)(Ti1‑yZry)O3、(Ba1‑xCax)(Ti1‑ySny)O3或(Ba1‑xCax)(Ti1‑yHfy)O3(0≤x≤1且0≤y≤0.05)表示；以及副成分。当在使用Cu Kα1辐射(波长)的X射线衍射(XRD)图谱的(002)和(200)面的峰中，对应于最大峰的角度被称为θ0并且对应于半峰全宽(FWHM)的角度分别被称为θ1和θ2(θ1<θ2)时，(θ2‑θ0)/(θ0‑θ1)大于0.54且小于或等于1.0。

摘要： 本发明提供由轻质介电材料和相关介电材料形成的有透镜天线，其包括多个辐射元件和定位成从至少一个辐射元件接收电磁辐射的透镜，该透镜包括复合介电材料。该复合介电材料包括与惰性粘合剂混合的可膨胀充气微球、诸如泡沫微球之类的电介质支撑材料和混合在一起的导电材料的颗粒。

摘要： 提供了透镜式天线，其包括多个辐射元件和定位成接收来自辐射元件中的至少一个辐射元件的电磁辐射的透镜，透镜包括复合介电材料。复合介电材料包括与惰性粘结剂混合的可膨胀的气体填充的微球、诸如发泡微球的介电载体材料以及混合在一起的导电材料的颗粒。

摘要： 本发明公开了一种介电材料及使用该介电材料的电容器，该介电材料的原料组成及质量百分比含量为：聚苯乙烯磺酸钠94-98%，小分子无机盐2-6%。该介电材料具有离子导电性高、离子极化性高和机械稳定性良好等优异性能，可应用于电力电容器中。使用该介电材料的电容器的性能非常稳定，在以250V交流电压测试1000小时后不存在明显的性能退化，该电容器还可以通过并联或串联来按比例线性扩大，以满足提高电压或无功功率的要求。

摘要： 本发明提供了一种高分子介电材料改性剂及高分子介电材料的处理方法，该改性剂包括有机胺、阳离子高分子表面活性剂与水。与现有技术中的清洁整孔剂相比，本发明采用包含有机胺与阳离子高分子表面活性剂对高分子介电材料表面进行处理，其中，有机胺可对介电材料的表面进行清洁，同时可避免无机碱对阳离子高分子表面活性剂的攻击，也有助于阳离子高分子表面活性剂的溶解分散；而阳离子高分子表面活性剂所形成的Zeta电位较高，借由强正电荷吸附，使介电材料表面植上含氮元素的官能基团，可增加钯活化剂的吸附量与化学铜的交互键结强度，进而增强化学铜与高分子介电材料之间的密着力。