负迁移现象

摘要： 母语文化迁移,强调母语文化的影响对学习者语言习得的重要性。积极的“正迁移”有助于语言学习者的外语习得,而消极的“负迁移”则对学习者造成了一定的干扰和妨碍。文章旨在总结学习者在外语习得的过程中受母语文化影响产生的“负迁移”的表现,分析其产生的原因,进而使学习者能正视母语和目的语语言系统的差异,重视母语和目的语文化的对比分析,积极利用母语文化的正迁移来“消除”和“缓解”母语文化负迁移现象。

摘要： 在英语的学习过程中,地方方言常常会对英语的学习产生一定的影响。学生在习惯了本地的方言之后,在发音的技巧上就会形成一定的肌肉记忆,这样在学习英文的时候很容易会造成一定的负迁移现象。这种英语语音习得的负迁移现象很可能造成学生对于英语的发音不准确,带有一定的地域口语。该文通过对河南方言的语音特点研究,从语音的角度分析河南方言对英语语音学习所造成的负迁移现象,并且针对这些研究提出河南方言持有者学习英语语音的对策研究。

摘要： 在英语的学习过程中,地方方言常常会对英语的学习产生一定的影响.学生在习惯了本地的方言之后,在发音的技巧上就会形成一定的肌肉记忆,这样在学习英文的时候很容易会造成一定的负迁移现象.这种英语语音习得的负迁移现象很可能造成学生对于英语的发音不准确,带有一定的地域口语.该文通过对河南方言的语音特点研究,从语音的角度分析河南方言对英语语音学习所造成的负迁移现象,并且针对这些研究提出河南方言持有者学习英语语音的对策研究.

摘要： 研究空间周期对称系统中惯性布朗粒子在热涨落和时间周期力的驱动下的输运问题.首先,建立由涨落产生的惯性布朗粒子模型,并给出数值计算方法.结果发现:随着初始扩散系数的增大,棘轮效应在增强.然而随着温度衰减的时间特征的增大,棘轮效应在减弱;当扩散的幂律指数较小时,有棘轮效应出现,但是当扩散的幂律指数较大时,棘轮效应消失,然而当扩散的幂律指数更大时,有负迁移现象出现;不同的初始扩散系数、温度衰减的时间特征、扩散的幂律指数对应于不同的扩散.发现可用于粒子的分类、癌细胞的分离、分子马达的控制.

摘要： 所谓负迁移,就是已经掌握的知识、技能对于新知识的学习、新技能的形成产生的消极作用和影响,妨碍新知识、技能的掌握;或者新的知识、技能已经初步掌握,旧的知识、技能对它仍起一定的干扰作用。在小学数学教学中,学生学习的负迁移现象是十分常见且普遍存在的,如何规避知识负迁移,这是每一个教师都必须要思考的问题。本文结合在数学教学过程中出现的一些典型案例,以小学生数学学习为研究对象,试探数学教学中如何有的放矢地采取针对性措施避免负迁移的发生。

摘要： 文章就日语翻译过程中的母语负迁移情况进行讨论,对各种负迁移现象加以了解,并以此为基础,对相关改进措施进行探讨和描述,希望能够有效提高日语教学的质量,为日语翻译的有效开展提供支持。

摘要： 文章结合高三教学实践,寻找产生学生概念和物理规律知识负迁移产生的原因,结合信息技术与高三物理习题教学整合的优势,从情境创设、对比教学、完善模型认知三个角度探索信息技术与物理复习教学整合的途径,克服学生在物理学习中的知识负迁移现象,为一线教师提供有益的教学建议.

摘要： 第二语言学习,其实就是一个语言迁移的过程。在这一过程中,学生经常会受到母语思维的影响,出现负迁移现象。以英语写作为例,在写作中,学生经常会出现汉式英语现象。那么,如何解决英语写作中的汉式英语现象呢?文章以高中英语写作教学为例,分析英语写作中汉式英语现象出现的原因,就如何解决英语写作中的汉式英语现象提出了几点建议。一、英语写作中汉式英语现象出现的原因英语写作中汉式英语的表现形式主要有词汇和语篇层面的表现形式,其中,词汇层面主要是采用汉语语言习惯来加工单词.

摘要： 美国心理学家奥苏伯尔在研究中指出:一切有意义的学习都是在原有学习基础上产生的。数学学习就是一个在原有认知基础上进行迁移的过程。迁移,从广泛意义上讲,指的就是一件事情对另一件事情产生的影响。迁移现象按其影响结果可以分为两类:正迁移和负迁移。正迁移也叫"助长性迁移",是指一种学习对另一种学习起到积极的促进作用。

摘要： 本发明公开一种基于自组织图约束直推式非负矩阵分解的图像特征迁移方法。主要解决跨领域未见图像非负特征迁移的问题。其实现步骤为：(1)分别从辅助领域Ds和目标领域Dt选取若干图像样本构成训练样本集；(2)分别采用随机非负数的方式和非负逻辑回归方法，初始化辅助领域和目标领域的基矩阵A和特征矩阵S；(3)根据训练样本集Y，分别利用训练样本集Y的行间K近邻关系和列间K近邻关系，计算基矩阵图GA和特征矩阵图GS；(4)设置迭代次数T，使用迭代策略进行优化，得到最终的基矩阵A和特征矩阵S；(5)通过基矩阵A，计算测试图像的标签。本发明采用特征自组织的图约束，并引入特征回归参数，增强未见图像的特征迁移鲁棒性，可用于图像非负特征迁移问题。

摘要： 本发明公开了一种基于负微分迁移率的平面纳米电磁辐射器结构，其由下往上依次包括绝缘衬底、具负微分迁移率的有源层及绝缘保护层，有源层的两侧还分别设有侧面电极，该有源层包括位于有源层左右两端的低电阻区域、位于有源层中间的电场强度分布不均匀的高电阻区域，且两低电阻区域通过高电阻区域相连通。该器件具有工艺简单、易于集成、功率高、热性能好等优点。

摘要： 本发明公开了一种用于离子迁移谱的脉冲吹扫负压热解吸进样方法及进样器，将检测固态、液态和气态样品的脉冲吹扫、负压与热解吸技术相结合。待测样品在负压状态下受热发生相变过程，通过脉冲吹扫的载气将气态样品分子携带进入离子迁移谱进行电离和检测。本发明提供的进样器，适用于固态、液态或气态基质中待测物质的检测，扩大了样品的适用范围，无需复杂的样品预处理过程，通过密封进样腔室内载气脉冲吹扫、负压抽样与热解吸结合的方式，增加了样品的有效进样量，提高了样品的反应效率，从而提高了离子迁移谱的检测灵敏度，有利于在线快速检测和高通量分析，应用前景广阔。

摘要： 本发明提供一种免疫细胞向肿瘤迁移的负调控因子的体外筛选、鉴定方法。为了寻找能够驱动T细胞向肿瘤迁移的负调控基因，本发明的体外筛选、鉴定方法包括：步骤1、采用SLICE技术对免疫细胞进行基因组编辑；步骤2、采用嘌呤霉素puro筛选稳定表达的经基因组编辑的免疫细胞并进行扩增培养；步骤3、将扩增培养后的经基因组编辑的免疫细胞在驱动剂的作用下进行Transwell迁移实验，分别收集Transwell上室和下室中的细胞并进行基因测序分析。本发明适用于趋化因子、肿瘤细胞培养上清及肿瘤对免疫细胞的驱动作用，适用于各种免疫细胞向肿瘤迁移的负调控因子的筛选或鉴定，将大大推进抗肿瘤免疫治疗的发展。

摘要： 本发明公开一种基于自组织图约束非负矩阵分解的图像特征迁移方法。主要解决跨领域未见图像非负特征迁移的问题。其实现步骤为：(1)分别从辅助领域Ds和目标领域Dt选取若干图像样本构成训练样本集；(2)初始化辅助领域和目标领域的基矩阵A和特征矩阵S；(3)计算基矩阵图GA和特征矩阵图GS；(4)设置迭代次数T，并使用迭代策略进行优化，得到最终的基矩阵A和特征矩阵S；(5)通过基矩阵A，计算测试图像的标签。本发明采用特征自组织的图约束，并引入特征回归参数，增强未见图像的特征迁移鲁棒性，可用于图像非负特征迁移问题。

摘要： 本发明涉及环境与健康改善领域，公开了一种电子自激发迁移产生空气负离子和负氧离子的材料及制备方法。制备方法包括提取、萃取与反萃取、碱化剪切超微化或者碱化超声超微化、球磨自组装或者超声自组装、研磨极化等步骤。通过该方法制备的材料能够自激发使得电子迁移到材料附近的氧分子或者空气成分分子中，具有产生空气负离子和负氧离子的效率高，材料颗粒小、对物体表面附着力强、喷涂使用时特别容易附着于物体表面或者嵌入物体表面的孔洞、罅隙或者洞窝当中，和衰减速度慢、使用寿命长等特点。该方法还具有环境友好的特点。

摘要： 本发明公开了基于最大均值差异的负迁移样本筛选方法，首先对数据进行预处理，接着将处理好的数据放进预训练好的深度迁移学习网络中做前向传播，并计算源领域数据和目标领域数据之间的MMD距离，通过MMD阈值来判别是否跟目标域领域数据相似，然后通过MMD距离来修正每个类别中样本的权值，接下来重复迭代100000次之后得到一个最终的权值并进行排序，设置临界值来取前N个样本为该类别的正迁移的样本，最后将源领域的正迁移样本重新输入深度迁移学习网络中，重新对网络进行训练，提高目标领域的识别率。本发明解决了现有技术中只存在源域的中的类别和类别中不相似的样本会对迁移结果产生负迁移的影响，导致训练的图像分类器准确率不高的问题。

摘要： 本发明公开了一种基于负微分迁移率的平面纳米电磁辐射器结构，其由下往上依次包括绝缘衬底、具负微分迁移率的有源层及绝缘保护层，有源层的两侧还分别设有侧面电极，该有源层包括位于有源层左右两端的低电阻区域、位于有源层中间的电场强度分布不均匀的高电阻区域，且两低电阻区域通过高电阻区域相连通。该器件具有工艺简单、易于集成、功率高、热性能好等优点。

摘要： 一种基于电迁移现象辅助的柔性电子金属电路的修复方法。主要解决市场上尚未有较为成熟的柔性电子电路修复方法的问题。包括以下步骤：步骤一、将柔性电路放置于具有圆弧面的加热体（1）上，并使柔性电路的裂纹处（2）朝外凸出；步骤二、将柔性电路中通入电流；步骤三、加热体加热，温度为200摄氏度~350摄氏度，时间为10~60分钟。本发明提供一种基于电迁移现象辅助的柔性电子金属电路的修复方法，可对受损柔性电路进行修复，增加使用寿命、降低使用成本。

摘要： 本发明公开了一种能够抑制局部电迁移现象的结型势垒肖特基二极管，包括N‑外延层；若干P型离子注入区，间隔设置于N‑外延层中，且相邻两个P型离子注入区之间的间隔从结型势垒肖特基二极管的边缘至中心按照第一趋势或第二趋势逐渐减小；第一金属层，位于N‑外延层上表面，且P型离子注入区与第一金属层的交界面、N‑外延层与第一金属层的交界面均为肖特基接触。本发明所提出的结型势垒肖特基二极管的相邻两个P型离子注入区之间的间隔从结型势垒肖特基二极管的边缘至中心逐渐减小，从而在保证反向漏电流和正向导通电阻没有退化的前提下，减小了结型势垒肖特基二极管的温度差，有效抑制了局部电迁移现象的发生。