氮化

摘要： 目的解决恒电位电化学氮化时高的过电位引起的析氢反应对316LSS综合性能的恶化,提出采用恒电流技术对其进行电化学氮化改性,并确定最佳的试验参数。方法借助于循环伏安、计时电位,交流阻抗和动电位极化等电化学方法,扫描电镜及X射线光电子能谱分析,研究还原电流密度对316LSS表面形貌、耐腐蚀性能、疏水性能和接触电阻等的影响。结果还原电流密度为5 mA/cm^(2)时,反应后表面形成的氮掺杂凸起结构呈现明显的疏水性能,最大疏水角为103.7°。140 N/cm^(2)的压紧力下,界面接触电阻为8.9 mΩ·cm^(2),在0.5 mol/L H_(2)SO_(4)+5 mg/L F–的测试电解质中,腐蚀电流密度为0.025μA/cm^(2)。同一极板在阴、阳极总共长达13 h的耐久性测试中,腐蚀电流密度均小于1μA/cm^(2),且腐蚀后表面只出现了少量的腐蚀坑。结论316LSS在0.5 mol/L KNO_(3)+0.1 mol/L HNO_(3)的混合溶液中,经恒电流氮化改性后,综合性能明显提高。恒电流电化学改性过程中,316LSS钝化膜中氧化铁膜层的选择性溶解和氧化铬被氮掺杂,两者共同作用提高了316LSS的稳定性和电导率。证明了恒电流电化学氮化改性316LSS双极板可以达到比恒电位更好的效果,这为低成本、长寿命的金属双极板开发提供了新的可选方案。

摘要： 注塑机用38CrMoAl钢料筒,在机械加工过程中,其表面出现大量黑色斑点。采用宏观观察、扫描电镜分析、金相检验等方法,分析料筒表面产生黑斑的原因。结果表明:注塑机用38CrMoAl钢料筒表面渗氮不均匀,在机械加工过程中,料筒表面白亮层较厚区域发生沿晶开裂及氮化层剥落,形成点状凹坑,这是料筒表面出现黑斑的主要原因。

摘要： 随着智能制造的快速发展,金属零部件表面耐磨性、耐蚀性对表面改性技术要求越来越高。目前,一般采用电镀处理提升表面的耐磨性、耐蚀性,如镀铬、镀镍处理。“碳达峰”“碳中和”政策实施为开发推广应用绿色节能金属表面处理新技术提供了强劲的驱动力。分析了渗氮化合物层的微观组织、物相组成对耐蚀性的影响,阐述了纳米稀土原位界面催化渗氮氧化处理新技术(NOR技术),40Cr钢采用530°C×10h气体催化渗氮,渗层化合物层24μm,表面硬度1200HV_(0.05);45钢采用530°C×10h NOR技术处理,表面粗糙度0.06~0.08μm,氧化层1~2μm,化合物层13~15μm,表面硬度达到 600HV_(0.05),中性盐雾试验>144h。NOR技术在汽车制动钳活塞、气弹簧用活塞杆、液压活塞杆等零部件处理中取得了良好的经济效益和工程应用效果。

摘要： 本文主要研究在锻件毛坯表面存在一定深度脱碳,而后续机加工未完全去除表面脱碳层的情况下对热处理氮化后零件的白亮层厚度是否产生影响。为了得到充分的数据支撑,采取了正、反向实验验证;对不同材料的零件进行不同程度的渗碳和对其中一种材料的零件进行高温脱碳,最后用相同热处理工艺进炉氮化,对比不同状态下白亮层的厚度。从结果看,表面碳势高的零件氮化后比未渗碳的零件白亮层要明显厚一些;脱碳的零件比未脱碳的零件氮化后白亮层要浅一些。以上的结论对控制热处理氮化后白亮层厚度的稳定性有一定现实的指导意义。

摘要： 分别对QT600-3和QT450-10试块基体组织进行分析,再将两种试块悬挂于井式氮化炉中进行氮化处理,通过对氮化层硬度和深度、渗氮层脆性级别、疏松级别和氮化物级别的分析,研究了QT600-3和QT450-10试样氮化后性能的差异。结果表明:QT600-3和QT450-10试块氮化层深度分别为0.35mm和0.20mm,渗氮层脆性均为1级,QT600-3和QT450-10试块各项指标均满足标准和特殊设计要求。

摘要： 水热法合成的棒状CeO2载体(CeO2-R)经过高温NH3氮化,得到了氮化的CeO2载体(N-CeO2-R).采用满孔浸渍法浸渍活性金属Ni,通过XRD、TEM、XPS和H2-TPR等表征手段,研究了载体及催化剂结构.结果表明:棒状CeO2载体在氮化前后,其形貌基本保持不变,同时载体中部分O原子被N原子取代,H2-TPR数据表明氮化后的载体与活性金属之间的相互作用力较强,不会阻碍载体表面与CO2相互接触,能够有效抑制催化剂因活性位点被覆盖而失活,进一步提高了催化剂的催化活性.

摘要： 目的研究氮化和喷涂MoS_(2)涂层的异种不锈钢试样,经振动试验后的抗咬死性能及失效原因。方法利用三角级数法转化得到了振动参数,对底座(Ⅰ型不锈钢)和拉杆(Ⅱ型不锈钢)的模拟件进行了气体氮化和常温喷涂MoS_(2)涂层处理,采用三维显微镜、XRD、SEM、EDS和模拟振动试验平台对试样进行了表征。结果Ⅰ型和Ⅱ型不锈钢氮化后的表面物相主要是γ′-Fe_(4)N、ε-Fe_(2-3)N和CrN。Ⅰ型不锈钢和Ⅱ型不锈钢表面的MoS_(2)涂层厚度分别为30~40μm、20~30μm,氮化层的总厚度分别约为165、230μm。在模拟振动平台上,底座与拉杆咬死失效时间在30~45 min之间。底座和拉杆的上、下接触面磨损较严重,内接触面发生了轻微磨损。拉杆的下接触面发生旋转,上接触面继续保持接触,上下接触面的摩擦力大于拉杆的重力,从而发生了咬死现象。结论底座和拉杆局部表面粗糙度增加、拉杆直径比底座内表面高度方向尺寸大0.28 mm、互溶性大且含立方晶体结构氮化物的氮化层之间直接接触,是振动45 min并旋转后试样发生咬死的主要原因。建议改进底座和拉杆的尺寸、表面处理层和工艺参数。

摘要： 通过显微硬度仪制备表层压痕,利用光学显微镜(OM)、扫描电镜(SEM)和激光扫描共聚焦显微镜(CLSM)等分析表层有无受损的氮化904L不锈钢在1 mol/L HF溶液中的腐蚀行为.结果表明:无受损氮化层对基体具有良好的保护作用;受损氮化层不会随腐蚀的进行发生大面积脱落,但在长时间侵蚀作用下,氮化层裂纹区域优先发生腐蚀,氮化试样的腐蚀速率低于空白试样的.

摘要： 本文分析氮化处理对20MnCr5HHA材料组织与性能的影响,判定其是否具有氮化的可行性.结果表明,20MnCr5HHA材料氮化后存在明显的白亮层,表面硬度和层深范围基本符合氮化的常规标准,脉状组织及脆性等级均合格,经过适当的工艺参数优化具备氮化处理的可行性.

摘要： 对重型发动机气门锥面强化措施及应用工况进行介绍说明,主要包括马氏体锥面淬火、整体氮化、锥面堆焊、奥氏体锥面硬化及新型结构气门应用等强化措施.

摘要： 通过高温氧化实验，比较氮化与未氮化38CrMoAlA钢的抗高温氧化性能；通过能谱仪分析氮化与未氮化38CrMoAlA钢氧化膜中各元素在氧化膜中的分布，以及所形成的氧化物形貌特点，揭示氮化试样氧化较快的原因。

摘要： H13钢芯棒在筒形件强力旋压试验中不耐磨,对其报废芯棒先后进行了氮化和真空热处理试验,终于使芯棒的耐磨性提高,满足旋压试验和生产的需要.

摘要： 本文对Ti(C,N)基金属陶瓷进行了高温高压熔渗/氮化复合表面处理,通过扫描电镜、能谱仪、X射线衍射等分析技术对其显微组织、成分及结构进行了分析,并对其处理前后的硬度进行了测试分析.结果表明,经过表面处理,Ti(C,N)基金属陶瓷表面形成了富含Ti和N的硬化层,主要为Ti(C0.3N0.7),次表层富含Fe和Ni,其硬度自表面向心部呈现高-低-较高的变化趋势。

摘要： 研究了通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术生长的AlN外延层。通过改变生长室压强，发现降低压强对提高AlN外延效率有显著的效果，因而采用了50torr的低压生长。通过对蓝宝石衬底的不同时间的氮化研究，发现7分钟的氮化时间对应于更好的AlN外延层结晶质量，但是氮化过程导致了表面较大的粗糙度。通过进一步结合缓冲层技术和更高的生长温度，获得了高质量的AlN外延层，表面非常平整，粗糙度仅0.11nm，HRXRD(002)和(102)摇摆曲线半高宽分别仅53.7s和625s，结晶质量非常高。

摘要： 以Fe-C混合粉压制成基体,以铜合金粉压制成熔渗片,在氮基保护气氛中进行熔渗烧结,达到满足压力密封的柱塞泵九孔缸体毛坯,再经机加工,经过氮化等处理满足柱塞泵的使用要求.

摘要： 本文采用二次合成法合成了含氮MCM-41分子筛,研究表明在较低的温度下,可以通过控制氨气的流速得到氮含量较高的分子筛,实验中在950°C得到的氮化分子筛的最高含氮量达26.0％.X-射线衍射(XRD)及BET等表征结果表明氮化温度超过1000°C将导致分子筛的骨架塌陷.由于氮化温度不高,对分子筛的结构破坏小,而氮含量高,应用于碱催化反应具有很高的催化活性.

摘要： 本实验采用高温氨处理的方法得到含氮的SAPO-34分子筛,处理后的分子筛经XRD和BET表征发现其仍保持有较完整的晶体结构和较高的比表面积.将此分子筛作为催化剂用于MTO反应,发现低碳烯烃的选择性有一定的提高.

摘要： 研究了Fe-SiN结合SiC陶瓷的制作过程与氧化机理,发现硅铁的添加量对其性能有重要影响,当添加量大于15﹪时,制品已经很难氮化成功,表现为成型制品氮化粉碎,主要原因是硅铁添加量愈多,氮化反应越剧烈,瞬时产生的热量与膨胀越多.另外探索了通过添加AlO微粉改善合成工艺的途径,并对Fe-SiN结合SiC和AlO-Fe-SiN结合SiC两种材料的性能进行了比较与分析.

摘要： 通过采用粉末冶金法,对SmFe合金及其氮化物与黏结磁体的组织形貌、物相及磁性能进行了较为详细的研究.结果发现,均匀化退火可以明显减少SmFe合金中的富Sm相与α-Fe含量.氮化后SmFe晶格膨胀形成SmFeN主相,氮化20h内SmFeN相单胞体积膨胀超过6％,在1h有最大值△V/V=6.9％.氮化后合金中的α-Fe含量增加,未见明显的相应单胞体积膨胀.SmFeN取向黏结磁体中SmFeN相的006衍射明显增强而其他衍射及α-Fe的衍射减弱,取向磁体的矫顽力优于磁粉的,而剩磁与最高场下磁化强度值劣于磁粉.

摘要： 采用粉末冶金工艺制备了各向异性SmFeN永磁粉末.重点考查了工艺参数对SmFe合金的显微组织及SmFeN粉末磁特性的影响.结果表明,铸态合金的均匀化、粉末的氮化以及粉碎过程是获得高性能磁粉的关键因素.采用优化工艺条件制备的磁粉的磁特性为:J=1.24T,H=756kA/m,(BH)=220kJ/m.

摘要： 提供耐磨性和耐点蚀性优异的氮化处理部件和软氮化处理部件以及氮化处理方法、软氮化处理方法。一种氮化处理部件或软氮化处理部件，其特征在于，是采用钢材来制成的，所述钢材以质量％计包含C：0.05～0.3％、Si：0.05～1.5％、Mn：0.2～1.5％、P：0.025％以下、S：0.003～0.05％、Cr：0.5～2.0％、Al：0.01～0.05％以及N：0.003～0.025％，余量包含Fe以及杂质，表层包含含有铁、氮和碳的化合物层和位于其下方的氮扩散层，所述化合物层由ε单相构成，所述ε单相的厚度为8～30μm，维氏硬度为680HV以上，所述ε单相中的孔隙的体积率小于10％。

摘要： 本发明提供组成控制容易、荧光特性优异的包含(Ca，Sr)AlSiN3：Eu荧光体的氮化物荧光体。提供(Ca1‑x1‑x2Srx1Eux2)aAlbSicN2a/3+b+4/3c(式中，0.49＜x1＜1.0、0.0＜x2＜0.02、0.9≤a≤1.1、0.9≤b≤1.1、0.9≤c≤1.1)所示的氮化物荧光体的制造方法，其中，将下述的氮化硅粉末用于原料：比表面积为5～35m2/g，将在从粒子表面到粒子表面正下方3nm存在的氧相对于氮化硅粉末的质量比例设为FSO(质量％)，将在从粒子表面正下方3nm到内侧存在的氧量相对于氮化硅粉末的质量比例设为FIO(质量％)，将比表面积设为FS(m2/g)的情况下，FS/FSO((m2/g)/(质量％))为8～53，并且FS/FIO((m2/g)/(质量％))为20以上。

摘要： 本发明提供使氮化铬层面内的三棱锥形状的氮化铬微晶所占的面积比率提高的III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法。该III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法的特征在于，其具备：成膜工序，在生长用基底基板上形成铬层；氮化工序，通过在规定的条件下氮化该铬层，从而形成氮化铬层；晶体层生长工序，在该氮化铬层上外延生长至少一层III族氮化物半导体层，其中，前述铬层通过溅射法以溅射粒子射程区域的成膜速度为

摘要： 本发明提供了一种氮化硅纳米线的制备方法，本发明方法中，以价低易得的硅粉为原料，无需使用催化剂，在将硅粉造粒后进行氮化反应制备氮化硅颗粒，然后通过研磨破碎、洗涤和沉降分离、干燥等简单操作，可同时得到高纯度的氮化硅纳米线以及氮化硅粉体产品，是一种简单、经济且适于工业化大批量制备氮化硅纳米线的方法。

摘要： 本发明提供氧氮化物荧光体粉末,其为由以下组成式：Ca

摘要： 本发明提供能够在低温下制造金属碳氮化膜或半金属碳氮化膜的方法。本发明的方法中，使用N‑三烷基甲硅烷基‑1,2,3‑三唑化合物和由通式(1)表示的1,2,4‑三唑化合物中的至少一者作为氮源，进行金属碳氮化膜或半金属碳氮化膜的成膜。(式中，R可以相同或不同，表示氢原子、碳原子数为1～5的直链状、支链状或环状的烷基、或者碳原子数为1～5的三烷基甲硅烷基。需要说明的是，2个以上的R可以相互键合形成环。)

摘要： 本发明提供能够在低温下成膜金属碳氮化膜或半金属碳氮化膜的方法和装置。将含有通式(1)所表示的胍化合物的氮源和金属源或半金属源供给至成膜对象物上，成膜金属碳氮化膜或半金属碳氮化膜。(式中，多个R可以相同或不同，分别表示氢原子、碳原子数1～5的直链状、支链状或环状的烷基、或碳原子数1～9的三烷基甲硅烷基。其中，多个R可以相互键合形成环)

摘要： 本发明提供一种氮化物半导体结构、氮化物半导体发光元件、氮化物半导体晶体管元件、氮化物半导体结构的制造方法以及氮化物半导体元件的制造方法，是在表面上具有凹部（1b）和设置在凹部（1b）之间的凸部（1a）的基板（1）上设置第一氮化物半导体基础层（4）、第一氮化物半导体基础层（4）在凸部（1a）的外侧具有环绕凸部（1a）的至少六个第一小斜面（4r）、第二氮化物半导体基础层（5）填埋第一小斜面（4r）而形成的氮化物半导体结构、氮化物半导体发光元件（100，200，500）、氮化物半导体晶体管元件（300，400，600）、氮化物半导体结构的制造方法以及氮化物半导体元件（100，200，300，400，500，600）的制造方法。

摘要： 提供耐磨性和耐点蚀性优异的氮化处理部件和软氮化处理部件以及氮化处理方法、软氮化处理方法。一种氮化处理部件或软氮化处理部件，其特征在于，是采用钢材来制成的，所述钢材以质量％计包含C：0.05～0.3％、Si：0.05～1.5％、Mn：0.2～1.5％、P：0.025％以下、S：0.003～0.05％、Cr：0.5～2.0％、Al：0.01～0.05％以及N：0.003～0.025％，余量包含Fe以及杂质，表层包含含有铁、氮和碳的化合物层和位于其下方的氮扩散层，所述化合物层由ε单相构成，所述ε单相的厚度为8～30μm，维氏硬度为680HV以上，所述ε单相中的孔隙的体积率小于10％。

摘要： 本发明提供了一种氮化硅纳米线的制备方法，本发明方法中，以价低易得的硅粉为原料，无需使用催化剂，在将硅粉造粒后进行氮化反应制备氮化硅颗粒，然后通过研磨破碎、洗涤和沉降分离、干燥等简单操作，可同时得到高纯度的氮化硅纳米线以及氮化硅粉体产品，是一种简单、经济且适于工业化大批量制备氮化硅纳米线的方法。