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氮化物荧光体的制造方法和氮化物荧光体用氮化硅粉末以及氮化物荧光体

摘要

本发明提供组成控制容易、荧光特性优异的包含(Ca,Sr)AlSiN3:Eu荧光体的氮化物荧光体。提供(Ca1‑x1‑x2Srx1Eux2)aAlbSicN2a/3+b+4/3c(式中,0.49<x1<1.0、0.0<x2<0.02、0.9≤a≤1.1、0.9≤b≤1.1、0.9≤c≤1.1)所示的氮化物荧光体的制造方法,其中,将下述的氮化硅粉末用于原料:比表面积为5~35m2/g,将在从粒子表面到粒子表面正下方3nm存在的氧相对于氮化硅粉末的质量比例设为FSO(质量%),将在从粒子表面正下方3nm到内侧存在的氧量相对于氮化硅粉末的质量比例设为FIO(质量%),将比表面积设为FS(m2/g)的情况下,FS/FSO((m2/g)/(质量%))为8~53,并且FS/FIO((m2/g)/(质量%))为20以上。

著录项

  • 公开/公告号CN105008486B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-04-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 宇部兴产株式会社;

    申请/专利号CN201480011774.2

  • 申请日2014-03-07

  • 分类号C09K11/64(20060101);C04B35/584(20060101);C04B35/626(20060101);C09K11/08(20060101);

  • 代理机构11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;

  • 代理人石宝忠

  • 地址 日本山口县

  • 入库时间 2022-08-23 10:09:58

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-04-10

    授权

    授权

  • 2015-11-25

    实质审查的生效 IPC(主分类):C09K11/64 申请日:20140307

    实质审查的生效

  • 2015-10-28

    公开

    公开

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