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III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法、III族氮化物半导体自支撑基板或III族氮化物半导体元件的制造方法、以及III族氮化物生长用基板

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本发明提供使氮化铬层面内的三棱锥形状的氮化铬微晶所占的面积比率提高的III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法。该III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法的特征在于，其具备：成膜工序，在生长用基底基板上形成铬层；氮化工序，通过在规定的条件下氮化该铬层，从而形成氮化铬层；晶体层生长工序，在该氮化铬层上外延生长至少一层III族氮化物半导体层，其中，前述铬层通过溅射法以溅射粒子射程区域的成膜速度为

著录项

公开/公告号CN105529248B

专利类型发明专利
公开/公告日2018-04-06

原文格式PDF
申请/专利权人同和电子科技有限公司;同和控股(集团)有限公司;
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申请/专利号CN201610077452.9
发明设计人鸟羽隆一;宫下雅仁;八百隆文;藤井克司;
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申请日2011-09-30
分类号
代理机构北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人刘新宇
地址日本东京都
入库时间 2022-08-23 10:09:22

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-04-06

授权

授权
2016-05-25

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/20 申请日:20110930

实质审查的生效
2016-04-27

公开

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