Ⅲ族氮化物半导体的气相外延生长及其热力学分析（1）

摘要

宽带隙Ⅲ族氮化物半导体材料在新型光电器件中具有潜在应用，它的研究目前已成为材料科学中一个极其活跃的前沿。本文从表面热力学反应的角度出发，着重介绍了ＧａＮ、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＩｎＧａ以及ＩｎＡｌＮ等Ⅲ族氮化物材料的气相外延生长。