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李长荣; 卢琳; 王福明; 张维敬;
北京科技大学材料科学与工程学院,北京,100083;
北京科技大学冶金学院,北京,100083;
热力学分析; V族气源; 热分解; GaN; (Ga1-xInx)P; MOVPE;
机译:利用MOVPE在Si(001)衬底上的亚微米浅沟槽隔离沟槽内选择性外延生长Ⅲ-Ⅴ族化合物的生长速率:建模和实验
机译:金属有机气相外延生长MOVPE的6H-SiC生长的III-V族氮化物的显微组织分析
机译:两种具有配位氨分子的过氧钒钛配合物的合成,X射线晶体结构和热分解:[{VO(O-2)2(NH3)}(2){[mu-Cu(NH3)(4)}]和[ Zn(NH3)(4)] [VO(O-2)(2)(NH3)](2)
机译:MOVPE反应堆中外延生长过程的数值模拟,作为设计现代大功率电子半导体的工具
机译:应变对III-V族化合物半导体异质外延生长的影响的理论研究。
机译:MOVPE在晶圆级厚氮化硼层上的柔性金属-半导体-金属器件原型
机译:在硅多结太阳能电池上III-V的MOVPE生长中,PH3暴露对硅衬底形态的影响
机译:反应NH2 + pH3产生NH3 + pH2:绝对速率常数测量及其对木星大气中NH3和pH3光化学的影响
机译:用于施加到预构造的半导体衬底上的半导体结构部件将掩模施加到具有在确定点处明显减小的宽度的衬底,从而允许通过MBE和MOVPE外延生长。
机译:III-V族化合物半导体层的MOVPE生长
机译:通过MOVPE生长III-V族半导体晶体的方法
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