首页> 中文期刊>半导体杂志 >Ⅲ族氮化物半导体的气相外延生长及其热力学分析（2）

Ⅲ族氮化物半导体的气相外延生长及其热力学分析（2）

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

４分子束外延生长（ＭＢＥ）采用ＭＯＶＰＥ工艺可成功地进行各类Ⅲ族氮化物半导体的生长，但它也有某些不足之处。如由于ＭＯＶＰＥ生长温度较高，因此固相析出反应较快，同时由ＮＨ３的裂解所产生的Ｈ２会影响反应过程的进行等。为此，人们又开发了不采用ＮＨ３，而采用...

著录项

来源
《半导体杂志》|1999年第2期|16-21,33|共7页
作者
彭英才;
展开▼
作者单位

河北大学电子信息工程学院;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类 TN304.23;
关键词
气相外延生长; 热力学分析; Ⅲ族; 氮化物; 半导体;
入库时间 2023-07-26 01:52:17

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. Ⅲ族氮化物半导体的气相外延生长及其热力学分析（1） [J] . 彭英才 . 半导体杂志 . 1999,第001期
2. NH3,PH3热分解对Ⅲ-Ⅴ族半导体MOVPE外延生长的影响 [J] . 李长荣 ,卢琳 ,王福明 . 北京科技大学学报 . 2002,第002期
3. Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体薄膜材料的热壁外延生长 [J] . 孟庆巨 . 吉林大学学报（理学版） . 1994,第003期
4. Ⅲ族氮化物半导体材料的制备及应用研究进展 [J] . 杨帆 ,王美琪 ,关卫省 . 人工晶体学报 . 2019,第7期
5. Ⅲ族氮化物第三代半导体材料发展现状与趋势 [J] . 史冬梅 ,杨斌 ,蔡韩辉 . 科技中国 . 2018,第004期
6. Ⅲ族氮化物半导体外延生长在线监测技术研究 [C] . Chao Wang ,王超 ,Jun Hu . 第十八届全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议 . -1
7. GaN基Ⅲ族氮化物外延生长及相关器件的研究 [A] . 张恒 . 2017

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号