Ⅲ族氮化物半导体外延生长在线监测技术研究

摘要

薄膜外延生长作为半导体器件制造的关键环节,已成为制备新型光电子、微电子器件的核心技术.其生长过程中工艺的实时、低成本、非接触、无破坏性的在线监测是决定材料优异性能和器件高良品率的唯一保证.本文通过光学非接触测量的方式,理论分析温度测量过程中辐射和反射误差,通过建立热发射率模型,提出了基于光源调制的热辐射背景噪声抑制方案和温度过补偿修正因子,实现了薄膜生长过程中复杂条件下的温度监测.在引入温度过补偿因子后,使温度振荡控制在2℃,测试精度与国外相比,低温下性能更好.