III族窒化物半導体の低欠陥エピタキシャル成長技術

摘要

選択横方向成長(ELO)は貫通転位(TD)密度が低い高品質のGaNエピタキシャル膜を作製する技術として非常に有用である。 我々は，選択成長で形成されるファセット形態を制御することにより，転位の伝搬を制御する技術，ファセット制御ELO (facet controlled ELO: FACELO)を提案し，厚さ10μmのGaN膜でTD密度が10{sup}6cm{sup}(-2)を達成している。 ELO GaNの膜厚はマスクと窓の幅に依存し，最適なマスクと窓の幅は明らかでない。 本研究では，FACELOにおけるマスクと窓の幅を系統的に変えることによって，GaNの転位伝搬やその密度，光学的特性に及ぼす影響を調べた。 合体部を除くTD密度が10{sup}5cm{sup}(-2)台のGaNを得た。