电子效应

摘要： 高中有机化学的课本呈现和一般教学过程大多注重有机物转化的框架体系,以讲述有机转化事实为重点。这种模式下学生要对有机过程的本质进行探究存在很多困难。尤其是需要利用电子效应才能进行分析的有机反应,学生既不具有相关的知识基础,也不具备相应的分析能力。面对这种现状本文尝试利用高中化学氧化数概念以及高中物理静电感应的相关知识建立分析模型,利用高中学生现有知识从不同角度来理解电子效应和有机反应本质,实现学生化学学科核心素养尤其是证据推理与模型认知素养的培养。

摘要： 胺类化合物广泛应用于医药、农药、橡胶、表面活性剂等领域,是一类生产生活中重要的化合物[1]。其中,还原胺化反应是一种重要的合成方法。但是传统的方法常加入化学计量的NaBH_(3)CN、NaBH(OAc)_(3)作为还原剂,会得到大量有毒有害的废弃物[2-3]。因此,找到一种理想的催化体系以解决此类反应中环境污染的问题是一个极其重要的课题。氮杂环卡宾由于其优异的σ给电子效应[4-5],可以与金属形成稳定的配合物。此外,其便于调节的空间位阻和电子效应使此类配合物已应用于各种反应的催化过程中[6-8]。

摘要： 采用XRD、TEM、XPS以及CO红外吸附等手段,系统研究了Fe、Co和Mo对Ni_(2)P电子结构的影响及其对4,6-DMDBT加氢脱硫(HDS)性能的影响。表征结果表明,3种掺杂金属可较好地调整Ni_(2)P位点的电子状态,影响含硫有机化合物在Ni_(2)P位点上的吸附能。HDS性能评价结果发现,HDS本征活性与Ni_(2)P位点的电子结构之间存在火山型关系,使得具有中等电子密度的Co-Ni_(2)P/SiO_(2)因适中的吸附能呈现出最佳的HDS活性。此外,Ni_(2)P的电子缺陷显著促进直接脱硫(DDS)选择性。与Ni_(2)P/SiO_(2)相比,Mo-Ni_(2)P/SiO_(2)中Ni_(2)P具有更多的电子缺陷,展现出更高的DDS选择性,而Fe-Ni_(2)P/SiO_(2)和Co-Ni_(2)P/SiO_(2)中Ni_(2)P因具有更高的电子密度,其DDS选择性更低。

摘要： 新课标、新教材、新高考背景下,《有机化学基础》教学中可酌情渗透反应机理。它符合“素养为本”的新课标理念;有新教材物质结构知识作为支撑;有助于学生从容应对新高考挑战。详细阐述在有机模块中渗透反应机理的教学实践,始终把握“机理是手段不是目的”,要“酌情”“渗透”的原则。

摘要： 有机化学教学首先要以学生为中心,进行兴趣驱动.在课堂教学中,要以结构决定性质为核心,以化学键性质、电子效应和空间效应为基础,以稳定性原理为切入点,从化合物和化学反应中寻找关联,梳理规律,建立整体知识脉络.通过构建思维导图和类比联系,帮助学生建立系统性的有机化学知识体系.

摘要： 以N-乙基-3-吲哚三氟甲基β-二酮(EIFD)为主配体,分别以乙二醇单甲醚(EM)、乙二醇二甲醚(EDM)、二缩三乙二醇(TEG)为辅助配体,与DyCl3·6H2O反应合成了一系列Dy(Ⅲ)配合物[Dy(EIFD)3(EM)]·CH2Cl2(1)、[Dy(EIFD)3(EDM)]·CH2Cl2(2)和[Dy(EIFD)3(TEG)](3).X射线单晶衍射分析表明,3个配合物都是八配位的单核结构,配位构型分别为双帽三棱柱、正十二面体和双帽三棱柱,分别具有C2v、D2d和C2v对称性.磁学性质显示了配合物1～3具有慢弛豫现象,能垒分别为95.1K(1)、40.5K(2)、53.8和13.4 K(3),且配合物1和3有明显的蝴蝶状磁滞回线.进一步讨论了配合物中Dy—O键长和含氧辅助配体的电子效应对配合物有效翻转能垒的影响.

摘要： 在核设施的屏蔽计算中,大屏蔽空间的深穿透问题一直是蒙特卡罗程序工程应用的难点之一.本文基于美国NRC发布的NUREG/CR-6115 PWR注量率计算基准题,采用cosRMC参考进行精细建模,并与参考程序的结果进行比较.计算过程中,通过设置栅元重要性来减小方差,提高计算效率.计算结果表明,cosRMC与参考程序在不同穿透深度上的中子通量密度和光子通量密度的相对偏差在±3倍的蒙特卡罗统计误差之内,符合良好,验证了cosRMC在屏蔽计算以及深穿透问题中的正确性.本文还比较了不同电子处理方法对光子通量密度的影响,结果表明,不考虑电子时光子通量密度至少被低估了6％ 左右,同时cosRMC程序电子处理的厚靶韧致辐射模型的结果与参考程序符合良好.

摘要： 石墨烯和其衍生物(氧化石墨烯、还原氧化石墨烯和掺杂石墨烯等)以独特的物理性质和可调变的表面化学性质在催化领域有巨大的应用潜力.首先简述石墨烯及其衍生物的制备方法和材料特性,接着归纳该材料在催化剂开发与应用中的研究情况,重点阐述石墨烯材料在催化剂中若干功能,包括作为载体负载金属/金属氧化物活性组分或嫁接有机官能团,作为结构助剂调变催化剂微结构,作为电子助剂调变活性组分电子特性,增强半导体材料的光催化功能,在催化剂的制备和分离过程中发挥可调变的两亲性作用,以及直接用作碳催化剂或无金属催化剂,并对石墨烯材料在催化领域的发展前景进行展望.

摘要： 文章针对有机化学的学科特点及电子效应这一重要学习内容,引入形象直观的量子化学计算软件及可视化程序,将枯燥、深奥、抽象的化学知识以一种生动、简单、形象的形式呈现出来,帮助学生建立形象直观的思维.通过主动式探究学习模式的建立,提高了学生发现问题的主动性,增强了学生解决问题的综合能力.

摘要： 电子效应理论是有机化学的重要内容,是学好有机化学的基础.本文对电子效应的类型和特点进行了归纳和总结,列举了电子效应理论的应用实例,探讨了电子效应理论的教学方法.

摘要： 本文以苯基/环己基为对照,通过晶体衍射和量子力学计算方法研究了苯基电子效应对取代环十二酮优势构象的影响,结果表明2-环己基环十二酮的环己基位于[3333]-2-酮构象的角碳顺向位,2-苯基环十二酮的苯基位于[3333]-2-酮构象的边碳外向位;对2-环己基-12-取代环十二酮而言,根据12位取代基的体积效应大小环己基可以位于[3333]-2-酮构象的角碳顺向位,也可以位于[3333]-2-酮构象的边碳外向位,对2-苯基-12-取代环十二酮而言,无论12位取代基的体积效应大小,苯基总是位于[3333]-2-酮构象的边碳外向位,这一结果表明可以通过在2位引入苯基的电子效应有效调控取代环十二酮的优势构象.

摘要： 采用专题讲座的形式，以电子效应为切入点，将分属不同章节的有机含氮化合物集中讨论，有助于解决医学院校各专业有机化学课程教学内容多而课时少的矛盾;并利用量子化学的计算结果，讨论了硝基苯中的电子效应，提出一个观点：共轭效应类型的确定有3个影响因素.

摘要： 本文从多年的教学实践中，总结出了在有机化学教学中的电子效应的讲授，如何使学生易于听懂、学会、化难为易,激发学生的思维，对学生的学习起到事半功倍的作用。

摘要： 为探索两步合成1,4-二加成富勒烯含氟衍生物的方法.本文先用芳基以及烷基的格氏试剂在DMF或者DMSO的促进下进攻C60得到C60的单加成产物.该单加成产物上与C60相键连的氢原子在室温下用叔丁醇钾拔掉,得到的阴离子用含氟的卤代烷,例如含氟苄溴进行烷基化,两步得到1,4-二加成富勒烯含氟衍生物.该两步法条件温和,产率较高,并且可以通过改变两步中加成到C60上的官能团,例如改变氟原子的数量等,来调节所得分子的对称性以及物理性质.结果发现氟原子通过其电子效应可以有效地调节分子的LUMO轨道能级值.

摘要： 线型高密度聚乙烯是一种线型，半晶态的乙烯均聚物，工业上主要由Ziegler-Natta和铬系配位聚合技术制备，由于高密度聚乙烯的巨大的商业价值和应用前景，较多地研究集中在探索具有高产率的新型乙烯聚合催化剂上。硝基具有较大空间结构和高的电负性，为了研究对位的官能团电子效应及空间效应对催化剂活性的影响，本研究设计合成了吡啶二亚胺合二氯化亚铁、钴络合催化剂1-5，并研究了它们的催化活性，MAO含量对催化剂2的催化活性的影响并比较了催化剂2和3的催化活性寿命。

摘要： 本文利用卤素原子和烷基取代基的电子效应:诱导效应、超共轭效应和电子配价效应,对饱和卤代烃的开裂规律进行了初步解释.指出卤素原子和烷基取代的静态和动态电子效应呈现完全不同的效果,并强烈影响饱和卤代烃的开裂规律.

摘要： 在微生物生长代谢与半导体矿物光电子耦合作用过程中，事实上半导体矿物光催化作用产生的光电子直接或者间接参与了徽生物电子传递链起点端的电子传递过程，亦或是微生物电子传递链末端电子在半导体矿物光催化作用下获得能量提升，从而参与更多的电子传递反应。

摘要： 在微生物生长代谢与半导体矿物光电子耦合作用过程中，事实上半导体矿物光催化作用产生的光电子直接或者间接参与了徽生物电子传递链起点端的电子传递过程，亦或是微生物电子传递链末端电子在半导体矿物光催化作用下获得能量提升，从而参与更多的电子传递反应。

摘要： 在微生物生长代谢与半导体矿物光电子耦合作用过程中，事实上半导体矿物光催化作用产生的光电子直接或者间接参与了徽生物电子传递链起点端的电子传递过程，亦或是微生物电子传递链末端电子在半导体矿物光催化作用下获得能量提升，从而参与更多的电子传递反应。

摘要： 在微生物生长代谢与半导体矿物光电子耦合作用过程中，事实上半导体矿物光催化作用产生的光电子直接或者间接参与了徽生物电子传递链起点端的电子传递过程，亦或是微生物电子传递链末端电子在半导体矿物光催化作用下获得能量提升，从而参与更多的电子传递反应。

摘要： 本发明公开了一种电子效应调控的吡啶二亚胺铁催化剂的制备方法，属于铁催化剂合成技术领域，上述电子效应调控的吡啶二亚胺铁催化剂的结构式为式(I)，其制备方法，包括，将式(III)所示化合物或式(IV)所示化合物与式(V)所示化合物在氯化亚铁存在下回流反应，得到式(I)所示电子效应调控的吡啶二亚胺铁催化剂。本发明吡啶二亚胺铁催化剂具有较高催化活性且在较高温度下仍可以保持较高的持久的活性，可以用作烯烃聚合催化剂。

摘要： 本发明涉及一种MIS‑HEMT器件的热电子效应测试结构，包括：底层(15)、势垒层(4)、绝缘层(5)、源极(7)、栅极(8)、漏极(9)、第一掺杂区(11)、第二掺杂区(12)、电极A(13)和电极B(14)。本实施例提供了一种热电子注入数量与能量可控技术的热电子效应测试结构及其表征方法，通过调整偏置电压来控制势垒层中热电子的注入数量，并通过调整偏置电压来控制势垒层中热电子的注入能量，解决了器件热电子注入数量和注入能量的不可控，以及非均匀注入势垒层等问题，有助于对MIS‑HEMT器件的热电子效应进行深入分析。

摘要： 本发明所述的具有同侧推拉电子效应的环脒基荧光分子，所述荧光分子的结构式为：所述环脒基荧光分子含有同时具有推电子基团(EDG)和拉电子基团(EWG)的脒基结构，从而构建了具有10π电子结构的新型骨架分子，在该结构中，推电子基团和拉电子基团在π电子同侧，这种结构具有大斯托克斯位移(约为100nm)、优异的酸碱稳定性，在pH值为2.8‑11.4范围内荧光性质稳定，同时所述荧光分子不具有明显的细胞毒性，具有广阔的生物学应用前景。还公开了该荧光分子的制备方法，该方法工艺简单，条件温和，适宜于工业化批量生产。

摘要： 本发明涉及一种基于MISFET器件热电子效应的测试结构，包括：衬底(1)、P型外延层(2)、绝缘层(3)、钝化层(4)、栅极(5)、第一N+掺杂区(6)、源极(7)、漏极(8)、P+掺杂区(9)、第二N+掺杂区(10)、电极A(11)和电极B(12)。本实施例提供了一种热电子注入数量与能量可控技术的异质结器件测试结构和热电子效应表征方法，通过调整电压Va和Vb来控制绝缘层中热电子的注入数量，并通过调整电压Va来控制绝缘层中热电子的注入能量，解决了器件热电子注入数量和注入能量的不可控，以及非均匀注入绝缘层等问题，有助于对异质结器件中的热电子效应进行深入分析。

摘要： 本发明公开了一种热电子效应的红外探测器，包括红外探测器件，管座，管帽，所述红外探测器件包括基底，铅盐半导体薄膜，金属导电电极，钝化层，金属反射层，所述红外探测器器件基底使用绝缘胶固定在管座中心，所述金属导电电极使用金属丝焊接到所述管座的管脚上。本发明结构简单，节省材料，可直接焊线，无需制冷能在室温下正常工作，且有利于大批量生产。

摘要： 本发明公开了一种电子效应调控的吡啶二亚胺铁催化剂的制备方法，属于铁催化剂合成技术领域，上述电子效应调控的吡啶二亚胺铁催化剂的结构式为式(I)，其制备方法，包括，将式(III)所示化合物或式(IV)所示化合物与式(V)所示化合物在氯化亚铁存在下回流反应，得到式(I)所示电子效应调控的吡啶二亚胺铁催化剂。本发明吡啶二亚胺铁催化剂具有较高催化活性且在较高温度下仍可以保持较高的持久的活性，可以用作烯烃聚合催化剂。

摘要： 本发明提供一种基于异质结器件热电子效应测试结构及表征方法，主要解决器件源漏沟道区不同位置处热电子效应难以定量表征的问题。其实现方案是在待测异质结器件上制备辅助测试结构形成测试图形。即位于源极和漏极之间势垒层中的一系列规格一致的欧姆接触电极，然后对被测异质结器件施加热电子应力，依次测量辅助测试结构中每个欧姆电极到地的电压，最后将相邻电极的电压差值除以其导通电流，即得到异质结器件沟道区不同位置处的沟道电阻，进而得到沟道区不同位置处的热电子数量。本发明测试方法快速简便，结果准确可靠，能够为后续提高器件可靠性提供重要依据。

摘要： 本发明涉及一种基于MISFET器件热电子效应的测试结构，包括：衬底(1)、P型外延层(2)、绝缘层(3)、钝化层(4)、栅极(5)、第一N+掺杂区(6)、源极(7)、漏极(8)、P+掺杂区(9)、第二N+掺杂区(10)、电极A(11)和电极B(12)。本实施例提供了一种热电子注入数量与能量可控技术的异质结器件测试结构和热电子效应表征方法，通过调整电压Va和Vb来控制绝缘层中热电子的注入数量，并通过调整电压Va来控制绝缘层中热电子的注入能量，解决了器件热电子注入数量和注入能量的不可控，以及非均匀注入绝缘层等问题，有助于对异质结器件中的热电子效应进行深入分析。

摘要： 本发明涉及一种基于HEMT器件的热电子效应测试结构，包括：衬底(1)、成核层(2)、缓冲层(3)、势垒层(4)、栅极(5)、源极(6)、漏极(7)、第一掺杂区(9)、第二掺杂区(10)、电极A(11)和电极B(12)。本实施例提供了一种热电子注入数量与能量可控技术的基于HEMT器件的热电子效应测试结构及其表征方法，通过调整电压Va和Vb来控制势垒层中热电子的注入数量，并通过调整电压Va来控制势垒层中热电子的注入能量，解决了器件热电子注入数量和注入能量的不可控，以及非均匀注入势垒层等问题，有助于对异质结器件中的热电子效应进行深入分析。

摘要： 本发明涉及一种MIS‑HEMT器件的热电子效应测试结构，包括：底层(15)、势垒层(4)、绝缘层(5)、源极(7)、栅极(8)、漏极(9)、第一掺杂区(11)、第二掺杂区(12)、电极A(13)和电极B(14)。本实施例提供了一种热电子注入数量与能量可控技术的热电子效应测试结构及其表征方法，通过调整偏置电压来控制势垒层中热电子的注入数量，并通过调整偏置电压来控制势垒层中热电子的注入能量，解决了器件热电子注入数量和注入能量的不可控，以及非均匀注入势垒层等问题，有助于对MIS‑HEMT器件的热电子效应进行深入分析。