铟锡氧化物

摘要： 为了改善因为铟锡氧化物(ITO)薄层对紫外光具有高吸收率,从而导致石墨烯紫外LED低光提取效率(LEE)问题,采用ITO微纳结构(矩形和三角形)作为石墨烯紫外LED缓冲层的方法,利用时域有限差分法,对ITO微纳结构进行优化,并对石墨烯紫外LED进行了理论分析.结果表明,当矩形微纳结构厚度为160nm、占空比为0.7、周期为220nm时,在单层石墨烯下紫外LED的LEE可达10.668％;利用矩形微结构作为插入层相比于利用ITO薄层作为插入层的单层石墨烯紫外LED提高了45.06％;而当三角微纳结构在最优参量时,石墨烯紫外LED的LEE仅有6.64％,明显低于ITO薄层石墨紫外LED.该研究可为后续制备高光功率的紫外LED提供理论基础.

摘要： NH3作为一种必需的活化氮源,在化肥、染料、爆炸物和药物等的制造中起到了关键作用;同时,它也是一种在交通运输领域具有吸引力的无碳能源载体.工业上生产氨气使用典型的哈伯-博世工艺,但是此工艺涉及大量的能源消耗和碳排放,给环境带来巨大的压力.电化学氮还原反应(NRR)能够在温和环境下实现环境友好、节能的氨合成,但此过程需要高效的电催化剂.高效的NRR催化剂(Au、Ag、Pd和Ru)储量少、成本高,阻碍了它的实际应用.因此,设计和开发由地球上丰富的元素制成的具有成本效益的催化剂来代替NRR催化剂意义重大.本课题组最近的研究(Chem.Commun.,2018,54,12966–12969)表明,SnO2在环境条件下具有电催化氧化活性,但其低电导率限制了其性能,可通过氟掺杂或石墨烯杂化予以解决.氧化铟锡(ITO)作为一种含SnO2的材料,导电性好,可望用于NRR的高效电催化剂中.因此,本文采用商用氧化铟锡玻璃(ITO/G)作为催化剂电极,在温和环境条件下进行N2-NH3的电化学转化,并呈现出对生成氨气有较高的选择性.XRD和XPS结果表示,商用ITO/G中存在In,Sn和O元素;SEM显示ITO/G具有清晰的纳米薄膜结构和267 nm的截面厚度;相应的EDX谱图显示In,Sn和O元素分布均匀,且原子比为32.11:3.16:64.74.采用紫外-可见光谱及线性扫描伏安和恒电位极化等电化学测试研究了商用ITO/G的NRR活性.在0.5 M LiClO4电解液中测试时,于–0.40 V vs.RHE条件下,ITO/G的NH3产率为1.06×10–10 mol s–1 cm–2,其法拉第效率为6.17％.15N同位素标记实验证实了所测到的NH3是由ITO/G催化的N2电还原反应生成的.利用第一性原理计算探讨了在ITO催化剂上可能的NRR反应机理,确定了ITO催化剂的NRR活性位点、N2化学吸附活性位点以及NRR的反应途径.此外,24 h恒电位(–0.40 V vs.RHE)极化测试和2 h恒电位极化(–0.40 V vs.RHE)测试后的XRD和SEM结果表明,该催化剂具有较高的电化学稳定性.综上所述,商用ITO/G用作在环境条件下将N2转化为NH3的有效催化剂电极,将为开发人工固定氮气的ITO基纳米结构提供一种研究途径.

摘要： 有机-无机杂化甲氨铅碘类钙钛矿太阳能电池在制备及使用过程中, 甲氨铅碘层中的甲基铵离子易分解为甲基离子/基团和氨离子/基团, 其中氨离子/基团可以扩散进入铟锡氧化物(indium tin oxide, ITO)透明电极层, 并影响ITO的电学性质. 本文通过低能氨离子束与ITO薄膜表面相互作用, 研究低能氨离子/基团在ITO薄膜表面扩散过程, 及其对ITO薄膜电学性质的影响规律. 研究结果表明, 低能氨离子/基团在ITO薄膜表面扩散过程中, 主要与ITO晶格中的O元素结合形成In/Sn—O—N键. ITO不同晶面的O元素含量不同, 低能氨离子/基团能够在无择优ITO薄膜表面的各个晶面进行扩散, 因此将严重影响其电学性质, 导致无择优ITO薄膜电阻率增加约6个数量级. 但(100)择优取向ITO薄膜的主晶面为(100)晶面, 最外层由In/Sn元素构成, 不含O元素. 因此(100)择优取向ITO薄膜能够有效地抑制低能氨离子/基团扩散, 并保持原始电学性质. 最终, (100)择优取向ITO薄膜有望成为理想的有机-无机杂化甲氨铅碘类钙钛矿太阳能电池用透明电极层材料.

摘要： 为了解决传统电光混合运算逻辑单元速率低、功耗高、尺寸大等问题,以实现电光混合高速运算,本文设计了一种基于介电常数近零态(Epsilon-Near-Zero)和铟锡氧化物(ITO)薄膜电调控的集成硅基波导电光混合半加器.利用ITO激活材料薄膜的电调控特性实现了光路通断和交叉,从而实现了两位二进制数的半加法功能,通过3D-FDTD模拟仿真对器件模型结构参数进行了优化设计.仿真实验结果表明,当施加电压为0 V和2.35 V时,器件能够完成光信号逻辑控制.电光混合半加器工作在1550 nm波长时,其插入损耗为0.63 dB,消光比为31.73 dB,数据传输速率为61.62 GHz,每字节消耗能量为13.44 fJ,整个半加器尺寸小于21.3μm×1.5μm×1.2μm.该器件具有结构紧凑、插入损耗低等特点,为高速电光混合光学逻辑器件及半加器设计提供了理论依据.

摘要： 采用氧气等离子体处理对铟锡氧化物(ITO)薄膜进行表面改性,基于化学组分、接触角、表面能和极性度的测试表征,研究了氧气等离子体处理对ITO表面性质的影响以及表面性能随放置时间的变化.实验结果表明:氧气等离子体处理有效去除了ITO表面的污染物,改善了ITO表面的化学组分、提高了表面能、极性度和润湿性,从而优化了ITO的表面性能.但是随着处理后放置时间的增加,ITO薄膜的表面能减小、极性度降低、润湿性退化,从而相应的表面性能也变差.

摘要： 在液晶TFT生产领域中,Sputtering工艺得到了较好的应用,通过对Sputtering生产工艺的讲述,解析Sputtering工艺生产中各重要环节,并对Sputtering生产工艺进行探究,为生产应用提供有力帮助.

摘要： 近年来,表面等离激元光子学发展迅速,并取得了众多新成果.重掺杂半导体材料的表面等离激元共振性质的研究,也得到了人们越来越多的关注.本文通过纳米球刻印技术制备准三维二氧化硅纳米球阵列,在阵列上沉积铟锡氧化物薄膜,通过不同条件下的后退火处理改变铟锡氧化物薄膜的载流子浓度和载流子迁移率,并研究随着材料性质的改变其相应表面等离激元共振特性的变化规律.结果表明:退火处理均使铟锡氧化物薄膜的晶粒长大,光学透过率增加;在空气中退火会导致铟锡氧化物薄膜的载流子浓度减少,其表面等离激元共振峰红移;而真空退火则使铟锡氧化物薄膜的载流子浓度增加,共振峰蓝移.这些研究结果可为后续铟锡氧化物表面等离激元材料及器件的研究提供科学依据和实际指导.

摘要： 本文采用直流磁控溅射方法在普通浮法玻璃基底上制备了立方多晶铁锰矿结构的铟锡氧化物(indium tin oxide,ITO)薄膜,并对其进行了结晶性、表面粗糙度、紫外-可见吸收光谱、折射率、介电常数及霍尔效应的测试.研究了溅射时基底温度的改变对于ITO薄膜的光电、表面等离子体性质的影响.随着基底温度由100?C升高至500?C,其光学带隙(3.64—3.97 eV)展宽,减少了电子带间跃迁的概率,有效降低了ITO薄膜的光学损耗.与此同时,对应ITO薄膜的载流子浓度(4.1×1020—2.48×1021 cm?3)与迁移率(24.6—32.2 cm2·V?1·s?1)得到提高,电学损耗明显降低.

摘要： 构建一种基于RGD多肽分子掺杂聚吡咯膜修饰的铟锡氧化物微电极(PPy/RGD-ITO),并以此作为传感电极实现细胞生物学行为的电化学阻抗谱检测.采用光刻技术蚀刻感光干膜绝缘层制备ITO微电极;以含RGD模体的多肽分子作为吡咯电聚合唯一的掺杂阴离子,通过电化学共聚合方式在ITO微电极表面沉积PPy/RGD复合膜形成PPy/RGD-ITO微电极;原子力显微镜(AFM)、接触角测量仪和傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)分别表征PPy/RGD复合膜的表面拓扑形貌、湿润性和组成成分;人肺癌细胞株A549铺展、粘附及增殖实验考察了PPy/RGD复合膜与细胞间的相互作用;以构建的PPy/RGD-ITO微电极作为传感电极,通过电化学阻抗谱技术对A549细胞粘附增殖行为及天然抗癌药物分子重楼皂苷I的细胞毒性进行了分析.结果显示,通过简单的电化学共聚合成功将RGD分子掺杂进PPy膜内,且PPy/RGD复合膜具有优异的表面物理性能;PPy基质膜内掺杂的RGD分子保留其生物活性,相比裸ITO电极和聚4-苯乙烯磺酸钠(PSS)掺杂的PPy膜,PPy/RGD复合膜能更好地促进A549细胞的铺展、粘附和增殖;由于PPy/RGD-ITO微电极表面A549细胞形态学变化可改变电极系统的阻抗谱特征,因此通过电化学阻抗谱技术可解析A549细胞粘附增殖行为学信息,同时可定量分析重楼皂苷I细胞毒性.因此,通过简单的电化学共聚合方法将生物活性RGD分子掺杂进PPy膜内制备出的PPy/RGD膜具有优良的生物相容性,可作为一种重要的仿生电极修饰材料用于构建电子系统和细胞生物学系统的耦合界面,未来可应用于细胞生物学行为及药物筛选研究.%For fabricating an indium tin oxide(ITO)microelectrode modified with RGD peptide doped polypyrrole(PPy/RGD-ITO)and using it as sensing electrode for detecting cell biology behaviors by electrochemical impedance spectroscopy.The ITO microelectrode was firstly fabricated by etching the insulating layer of photosensitive dry film with lithography technology.Then the PPy/RGD composite was deposited on the surface of the ITO microelectrode by electrochemical copolymerization using the peptide contained RGD motif as the sole dopant to form the PPy/RGD-ITO microelectrode.The surface topology morphology,wettability and composition of the resulted PPy/RGD composite film were characterized by atomic force microscope(AFM),contact angle measurement instrument and fourier transform infrared spectrometer(FTIR)respectively.The human lung cancer A549 cells spreading,adhesion and proliferation experiments were conducted to investigate the interaction between the PPy/RGD composite with cells.Used the PPy/RGD-ITO microelectrode as sensing electrode,A549 cells adhesion and proliferation,as well as the cytotoxicity of Polyphyllin I,a well-known natural anti-cancer molecule,were analyzed by electrochemical impedance spectroscopy.Resulted showed that the RGD molecule was doped into the PPy matrix successfully through the facile electrochemical copolymerization and the resulted PPy/RGD composite film has excellent surface physical properties.The RGD molecule doped into the PPy matrix retained its biology activity and promoted A549 cells spreading,adhesion and proliferation when compared with bare ITO electrode and poly(4-styrene sulfonate)(PSS)doped PPy film.Finally,as the morphological change of A549 cells on the surface of PPy/RGD-ITO microelectrode would change the impedance spectrum characteristics of the electrode system,the information about A549 cells during the process of adhesion and proliferation as well as the quantitative cytotoxicity of Polyphyllin I could be obtained by the electrochemical impedance technology.Therefore,the PPy/RGD film prepared by doping the RGD molecule into the PPy through the facile electrochemical copolymerization showed excellent biocompatibility.In future,the PPy/RGD film could be used as the coupling interface between electronic system and biological cell system and for researching the cellular bio-behaviors and drug screening.

摘要： 随着手机的普及，大众对手机的要求也越来越高，对手机屏幕的体验也越来越高。而手机触摸屏的奥秘，都在一张薄薄的导电膜上。目前，市场上广泛使用的透明导电薄膜多采用铟锡氧化物（ITO）薄膜，但钢是一种稀有金属，其可开采储量不断减少。碳纳米管（CNT）导电薄膜作为性能更好的替代品，近年来逐渐得到人们的关注。

摘要： 采用三氧化二铟和真空蒸发法制得的纳米锡粉为原料,溶解在一定浓度的氢氧化钠溶液中,水热条件下成功的合成了纳米级的铟锡氧化物粒子,通过粉末X射线衍射(XRD),场发射扫描电子显微镜(FE-SEM),透射电子显微镜(TEM)和紫外可见光光吸收光谱(UV-Vis)等手段对所得产物进行表征。讨论了反应时间、pH值因素对产物成分和形貌的影响。结果表明：在温度为180°C,10mol/L NaOH溶液的条件下,水热反应36 h得到比较均一的产物In1.94Sn0.06O3,产物形貌为均匀的六面体,大小在100nm左右,且对波长在200～400nm的光有强烈的吸收。

摘要： 本文采用共沉淀法制备铟锡氧化物(ITO),用XRD和XPS表征催化剂的物理性能,并考察其催化燃烧甲烷特性.结果表明,In主要以In2O3形式存在,Sn均匀分散在In2O3颗粒内,而Sn的加入增加了体系内的氧空位,更利于氧气的活化.在富氧条件下,催化剂对于甲烷完全氧化有良好的活性,起燃温度在455°C,远低于钙钛矿型催化剂.提高甲烷浓度以及降低空速有利于甲烷的完全转化.

摘要： 随着LCD的发展,废弃液晶板已经成为电子废弃物的主要来源之一,介绍了LCD的结构,并分析了目前液晶板回收的主要技术路线.铟作为一种重要的稀有金属,大量存于废弃液晶板中,对将铟从铟锡氧化物中分离技术和处理工艺的进展进行了介绍.

摘要： 本文报道了二十世纪九十年代初，在—些特殊结构的真空微电子平板光电子器件中，构筑与设计透明导电氧化物电极的方法。主要围绕—种采用透明导电钢锡氧化物TCO-ITO阳极的全玻璃封离真空平板荧光光源FP-VFLS管。介绍能大大减薄平板器件的—种前发光电极配置法，详细介绍了采用这种前发光电极配置法时，器件中透明导电铟锡氧化物电极的构筑与玻璃密封管的构筑方法。

摘要： 综述了高纯铟的制备方法及其应用.高纯铟的制备方法主要有:真空蒸馏法、电解法、区域熔炼法、熔盐电解法、低卤化物法等,主要应用于铟锡氧化物(ITO)、半导体电子工业、铜铟硒(CuInSe2)多晶薄膜太阳电池等.通过对各种制备方法的比较,认为真空蒸馏与其他提纯方法的联合将是有前景的制备方法之一。

摘要： 铟锡氧化物(IndiumTinOxide,以下简称ITO)是锡掺杂氧化铟,它是一种n型半导体材料[1],它有许多不同方面的用途,例如电学、透明电极、太阳能电池、电致发光等,特别是铟锡纳米晶体粉末在屏幕显示技术方面有广泛的应用[2,3].目前世界上的发达国家如日本、美国、法国等国将一半左右的铟用于制备ITO材料[4],因此研究ITO纳米粉体的制备具有重要意义.制备ITO粉体的方法有多种,如化学共沉淀法、溶胶-凝胶法、减压-挥发氧化法、熔体雾化-燃烧法和喷雾热分解法等[5,6].其中水热法是一种优秀的制备纳米晶体的湿化学方法,它在制备纳米氧化物方面应用广泛,已成功的在低温状态(＜250°C)下制备出了纳米级的ZnO、α-Fe2O3、ZrO2和TiO2等物质.之前采用水热法生成的产物为In(OH)3晶体和(In1-xSnx)OOH晶体[],由于在水热反应过程中获取的热动力不足,脱水不完全.因此可将水热反应生成的产物作为前驱体再在一定温度下进行煅烧,使之脱水完全生成ITO粉体.

摘要： 本研究采用氧气氛无压烧结技术制备了ITO靶材,对ITO靶材的烧结过程进行了研究,分析了不同烧结条件下ITO靶材的微观组织和二次相结构,探讨了ITO纳米粉体的烧结致密化机理.

摘要： 本研究采用氧气氛无压烧结技术制备了ITO靶材,对ITO靶材的烧结过程进行了研究,分析了不同烧结条件下ITO靶材的微观组织和二次相结构,探讨了ITO纳米粉体的烧结致密化机理.

摘要： 本研究采用氧气氛无压烧结技术制备了ITO靶材,对ITO靶材的烧结过程进行了研究,分析了不同烧结条件下ITO靶材的微观组织和二次相结构,探讨了ITO纳米粉体的烧结致密化机理.

摘要： 本研究采用氧气氛无压烧结技术制备了ITO靶材,对ITO靶材的烧结过程进行了研究,分析了不同烧结条件下ITO靶材的微观组织和二次相结构,探讨了ITO纳米粉体的烧结致密化机理.

摘要： 在一种在基片上生成ITO层的方法中，特别用于制造有机发光二极管，首先通过溅射沉积涂敷部分的ITO层厚度，控制温度变化分布以阻止了结晶核的形成；随后，将部分覆层的基片加热到高于ITO层的重结晶温度，然后溅射沉积所余的ITO层。

摘要： 在一种在基片上生成ITO层的方法中，特别用于制造有机发光二极管，首先通过溅射沉积涂敷部分的ITO层厚度，控制温度变化分布以阻止了结晶核的形成；随后，将部分覆层的基片加热到高于ITO层的重结晶温度，然后溅射沉积所余的ITO层。

摘要： 本发明公开了一种感应铟锡氧化物层，它包括并排布置且相互连通的多个感应铟锡氧化物子单元，所述每个感应铟锡氧化物子单元均包括并排布置且相互连通的空间电容平衡区和触控感应区。本发明能大幅降低触控屏光学折射和干涉现象的产生概率，并且具有更好的触控体验。

摘要： 一种多晶形铟锡氧化物薄膜的制造方法，首先，于基材上形成非晶形铟锡氧化物薄膜，接着进行快速热退火处理，以将非晶铟锡氧化物薄膜转换为多晶形铟锡氧化物薄膜。另外，本发明还提出一种多晶形铟锡氧化物电极的制造方法，首先，于薄膜晶体管阵列基材上形成非晶铟锡氧化物薄膜。接着，在此非晶铟锡氧化物薄膜上制作布线图案，以于基材上形成多个非晶铟锡氧化物电极。之后，进行快速热退火处理，以将多个非晶铟锡氧化物电极转换为多晶形铟锡氧化物电极。上述的制造方法可形成较佳平坦度之多晶形铟锡氧化物薄膜，并可缩短处理时间并提高成品率。

摘要： 本发明涉及一种以感光性铟锡氧化物溶液形成铟锡氧化物图案的方法，通过直接将铟锡氧化物与感光性材料同时混合在溶液中而形成感光性铟锡氧化物溶液，其中铟锡氧化物所占重量百分比为所述的感光性铟锡氧化物溶液层的百分之二十至百分之三十，可以直接将感光性铟锡氧化物溶液层形成在底材上，经干燥程序后，直接对感光性铟锡氧化物溶液层进行曝光显影，而形成图案化的铟锡氧化物结构，显然地，由于感光性铟锡氧化物溶液本身就会因光照射而反应，本发明可以直接将光罩图案转移至感光性铟锡氧化物溶液层，而不需要先在感光性铟锡氧化物溶液层上方形成光阻，再通过微影蚀刻等将图案转移至感光性铟锡氧化物溶液层。

摘要： 本发明涉及一种铟锡氧化物真空还原分离铟和锡的方法。将铟锡氧化物通过球磨破碎后加入还原剂混合均匀并制粒，将干燥后的铟锡氧化物颗粒加入到真空炉内，控制炉内真空度、温度、反应时间及保温时间，使铟锡氧化物在真空炉中还原并蒸发达到铟与锡分离的目的。通过真空还原蒸馏分离可得到含锡大于98wt.%、含铟小于0.5wt.%的粗锡合金及含铟大于99wt.%、含锡小于0.2wt.%的粗铟合金。真空蒸馏得到的粗铟合金和粗锡合金可直接电解，得到精铟和精锡。金属直收率可达99%。

摘要： 本发明公开了一种感应铟锡氧化物层，它包括并排布置且相互连通的多个感应铟锡氧化物子单元，所述每个感应铟锡氧化物子单元均包括并排布置且相互连通的空间电容平衡区和触控感应区。本发明能大幅降低触控屏光学折射和干涉现象的产生概率，并且具有更好的触控体验。

摘要： 一种铟锡氧化物的溅镀工艺，包括下列步骤：将基板移至反应室内，其中反应室包括设置有铟锡氧化物靶材。然后，将等离子体气体以及反应气体通入反应室内，以便在基板上形成铟锡氧化物层，其中反应气体至少包括氢气，且氢气占反应室内气体总量约为1％～4％。此外，本发明亦提出一种形成铟锡氧化物层的方法。

摘要： 一种多晶形铟锡氧化物薄膜的制造方法，首先，于基材上形成非晶形铟锡氧化物薄膜，接着进行快速热退火处理，以将非晶铟锡氧化物薄膜转换为多晶形铟锡氧化物薄膜。另外，本发明还提出一种多晶形铟锡氧化物电极的制造方法，首先，于薄膜晶体管阵列基材上形成非晶铟锡氧化物薄膜。接着，在此非晶铟锡氧化物薄膜上制作布线图案，以于基材上形成多个非晶铟锡氧化物电极。之后，进行快速热退火处理，以将多个非晶铟锡氧化物电极转换为多晶形铟锡氧化物电极。上述的制造方法可形成较佳平坦度之多晶形铟锡氧化物薄膜，并可缩短处理时间并提高成品率。

摘要： 本实用新型公开了一种感应铟锡氧化物层和使用感应铟锡氧化物层的触控屏，感应铟锡氧化物层包括并排布置且相互连通的多个感应铟锡氧化物子单元，所述每个感应铟锡氧化物子单元均包括并排布置且相互连通的空间电容平衡区和触控感应区。本实用新型能大幅降低触控屏光学折射和干涉现象的产生概率，并且具有更好的触控体验。