透明导电膜

摘要： 一种全固态无机电致变色复合膜系智能玻璃组件及其制备方法公开(公告)号:CN113885265A公开(公告)日:2022.01.04申请(专利权)人:中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司本发明涉及一种全固态无机电致变色复合膜系智能玻璃组件及其制备方法,其特征在于:(1)以两片透明导电膜玻璃为基底,透明导电膜玻璃为ITO或FTO镀膜玻璃。

摘要： 丝素蛋白具有优异的生物相容性,可用于生物医学、组织工程等领域.为了探索丝素蛋白在不同交叉领域的应用,本工作首先合成了高长径比的纳米银线,将其旋涂在玻璃基底上,然后流延、浇注再生丝素蛋白溶液,经过干燥后得到具有优异的方块电阻和良好的透光率的柔性导电膜.为了探索该柔性导电膜在光电领域的应用,以纳米银线-丝素蛋白膜代替传统的ITO-玻璃基底制备了简单的有机太阳能电池.结果发现,纳米银线形成了充分接触的网格,并且被丝素蛋白牢牢地包覆,膜的结构没有因为纳米银线的引入而被破坏.纳米银线-丝素蛋白膜在550 nm处的透光率随着纳米银线溶液旋涂次数的增加由最高的97％降低至81％.膜的方块电阻随着纳米银线溶液旋涂次数的增加由最高的33.6Ω/sq降低至6.0Ω/sq.有机太阳能电池的光电转换效率为4.78％,开路电压为0.67 V,短路电流为15.22 mA/cm2.

摘要： ITO膜常用于卫星表面电位控制,但其易碎、折叠后电阻增大,导致卫星表面存在充电隐患.为解决此问题,试验研究碳纳米管透明导电膜的电阻经过折叠后的变化,并采用低能电子辐照的手段获得碳纳米管膜的充电特性.试验结果显示:碳纳米管膜的体电阻率、充电电位与ITO膜接近,但在相同折叠次数下,碳纳米管膜电阻的变化远小于ITO膜,因此碳纳米管膜在航天器表面充电防护工程应用方面比ITO膜更有优势.

摘要： 近年来,透明导电薄膜在光电器件中得到广泛的应用,是触控显示、有机发光二极管(OLED)、薄膜太阳能电池等器件的重要组成部分.目前氧化铟锡(ITO)作为透明电极在平板显示以及各种电子设备应用中处于垄断地位,但其本身存在陶瓷脆性、弯折易受损、反应温度高及易泛黄等缺点,严重阻碍了电子器件向小型化和柔性方向发展,因此迫切需要一种新的导电材料能够代替ITO,从而应用到柔性设备中.而基于银纳米线(Ag nanowires,AgNWs)的透明导电膜凭借良好的透光度、高导电性、低成本以及柔性可弯折等优点,有望成为ITO导电薄膜最具潜力的替代品.短短几年内,基于AgNWs透明导电膜的制备工艺和器件结构不断得到优化,并吸引越来越多研究者的关注.AgNWs的长径比及其分散液的粘度直接影响透明导电膜的光学和电学性能.对于高长径比的AgNWs,只需较少数量即可搭建出高导电性的AgNWs网络.这样可有效降低使用高长径比AgNWs制得的导电膜的散射,也可大幅提升其透过性.其次,分散液是影响AgNWs导电膜性能的另一个不可忽视的因素,其分散性和粘度直接影响着薄膜的均匀性及薄膜与基底的粘附性,因此获得高性能的分散液是制备AgNWs透明导电膜的关键.此外,由于AgNWs之间的接触电阻非常高,制备的导电膜的方块电阻非常大,这就需要对薄膜进行相应的后处理来降低其方阻.本文重点综述了国内外AgNWs的合成方法,总结了高透明AgNWs导电膜在导电分散液制备、薄膜制备、后处理等工艺上的研究进展,并简述了AgNWs透明导电膜在光电器件中的应用.最后,对AgNWs柔性透明导电膜在未来的发展趋势进行了展望,以期为制备高性能的AgNWs透明导电膜提供参考.

摘要： 提供了一种在透明衬底上原位合成聚(3,4-乙二氧基噻吩)/纳米银杂化透明导电涂层的方法。将含有银盐的氧化涂层的透明基板浸渍在3,4_乙二氧基噻吩(EDOT)溶液中。该氧化剂使EDOT单体在透明衬底上形成聚3,4-乙二氧基噻吩(PEDOT)涂层,同时EDOT单体将银盐本身还原为纳米银,形成纳米银掺杂PEDOT涂层。由此,在透明衬底上制备了PEDOT/纳米银涂层的透明导电膜。

摘要： 纳米晶ZnS薄膜具有带隙宽度大、光学透过率高、介电常数低、化学稳定性好等特点,在透明导电膜、铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池、发光器件、功能玻璃等领域表现出巨大的应用潜力.综述了纳米晶ZnS薄膜常用的制备方法,如磁控溅射法、化学浴沉积法、真空蒸发法和化学气相沉积法,同时还介绍了纳米晶ZnS薄膜的掺杂改性研究及其在相关领域的应用进展.

摘要： 透明导电膜在高透光下同时具有导电性,是光电领域中不可或缺的重要工业基础材料。随着光电子器件逐渐向大尺寸、轻薄、柔性、低成本方向发展,对高性能的柔性及可拉伸透明导电膜的需求增长迅速。

摘要： 透明导电膜广泛应用于光电器件中,其性能影响着器件的整体性能.近年来,研究者们开发了许多基于纳米材料的透明导电膜,其中银纳米线透明导电膜整体性能优异,有可能取代目前应用最多的ITO导电膜.本文通过分析近年来国内外针对银纳米线透明导电膜开展的研究工作,总结了提高银纳米线透明导电膜综合性能的方法,并综述了其在触控显示、太阳能电池、有机发光二极管中的应用.%Transparent conductive films have been widely used in photoelectric devices.In recent years,researchers have developed many transparent conductive films based on nanomaterials.Among them,silver nanowire transparent conductive films have excellent properties,which is the most likely material to replace ITO conductive films.This paper reported recent silver nanowire transparent conductive films,summarized the methods to improve the performance of silver nanowire transparent conductive films,and reviewed their applications in touch screen panels,solar cells,and organic light-emitting diodes.

摘要： 电子器件越来越趋向小型化、便捷式方向发展,而纳米银线基柔性透明导电膜将成为最具有潜力代替传统ITO导电膜的产品,其研究制备工艺越来越多地被报道出来.论文重点从纳米银线原料合成、纳米银导电膜的制备方法及优缺点进行介绍,并简单阐述该领域的最新研究成果及其应用领域.最后,对纳米银线基柔性透明导电膜在未来发展的趋势进行展望.

摘要： FTO透明导电膜具有高导电率、高透射率、较好的化学和热稳定性的特点在太阳能电池行业广泛应用.结合国内外FTO透明导电膜的研究现状,叙述了几种常用制备方法,分析了化学气相沉积法、喷雾热分解法、溶胶凝胶法等制备工艺特点,针对目前的研究,展望FTO透明导电膜的发展前景.

摘要： 本文采用反应电子束蒸发法,在普通玻璃衬底上生长了高迁移率透明导电IWO薄膜,并将这种薄膜用于染料电池.以导电膜FTO为对比组,采用原子力显微镜测试了IWO和FTO在电解质处理前后的形貌,用霍尔测试仪测试了这两种导电膜的方块电阻和热稳定性,采用紫外可见分光光度计测试了它们的透过率,最后在AM1.5的条件下测试了电池的光电性能,测试结果表明:导电膜IWO表面比FTO表面平滑,并且电解质不会对导电膜的形貌产生影响；IWO薄膜的方块电阻会随温度的升高而增大,而FTO则不会；在整个可见光范围内,FTO对光的透过率要略高于IWO；用IWO薄膜组装的染料电池的光电转化效率为2.77%,这一结果说明,染料电池中,高迁移率透明导电膜IWO具有替代目前通用的导电膜FTO的潜力.

摘要： 利用激光脉冲沉积系统在石英晶片上制备了In1.97W0.03O3(IWO)透明导电膜，实验表明该薄膜表现为n型透明导电膜并沿着(222)择优取向具有较好的结晶性，在室温下该膜具有7.85×10-4 cm的电阻率并伴随有1.2×1020 cm-3的载流子浓度和66.3 cm2/V·s的载流子迁移率。在400 nm-2000 nm光波长范围内，IWO膜的平均光透射率大于85%。利用He-Ne激光散射法研究了IWO薄膜的损伤情况，并使用1-on-1法测定了该膜的激光损伤阈值。实验结果表明：在1064nm、15 ns脉冲激光辐照下，IWO薄膜表现为热烧蚀损伤，激光损伤阈值为2.2 J/cm2。对比于相同方法制备的具有相近电阻率的Sn:In2O3(ITO)膜，较低的载流子吸收和等离子共振吸收使得IWO膜的激光损伤阈值为ITO膜的2.4倍。

摘要： 本文研究了银盐法制备透明导电膜的方法.该方法是通过对特制的银盐感光胶片进行曝光和显影加工,在聚酯片基上形成由金属银构成的网格图案,再经化学镀处理,制得透明导电膜.该透明导电膜的透光率可达80％,根据不同用途,其方阻在0.15～500Ω/(□)宽广范围内可调控.该方法可用于制造PDP电视的透明电磁波屏蔽(EMI)膜；也可用于制造触摸屏的导电膜、聚合物和染料敏化太阳能电池的阳极,以替代ITO膜.此外,该方法还可延伸到制作RFID电子标签超高频天线等,具有广泛的应用前景.

摘要： 为获得高质量的透明导电薄膜,本文利用数值模拟计算,对制作在非晶硅,单晶硅(HIT)上的ZAO/Ag/ZAO复合透明导电膜的光学特性进行了优化设计。结果表明,在ZAO层的厚度为40 nm左右时可以得到最低的可见光反射率和最高的透过率。Ag层的加入尽管可以提高导电膜的导电性,但会增大对可见光的反射和吸收,对Ag层需要选择一个折衷厚度,以使对电池性能的改善最大化。在41nm厚的两层ZAO之间插入5nm厚的Ag,仍然可以保证600nm左右的光的透过率大于85%。

摘要： 本文首先介绍了高效率SHJ太阳电池研发平台，指出具备2MW从硅片到电池、封装的研发制作能力，分析了SHJ太阳电池结构和特征，提出了高效SHJ太阳电池关键技术，适宜极薄膜均匀沉积的晶体硅表面结构，这是实现高开路电压的前提和基础；异质界面缺陷态调控是实现高开路电压的关键；高迁移率高透光率TCO膜是实现高电流密度和填充因子的关键。并对两种透明导电膜制备技术，以及RPD制备高品质TCO薄膜及应用进行了研究。

摘要： 纳米银线(AgNWs)由于其优良的导电性、导热性、柔韧性及纳米材料独特的尺寸效应有望替代ITO成为新一代的透明导电膜材料而引起广泛的关注.综述介绍了多元醇法、晶种法、水热法、模板法、湿化学法及其他一些化学制备AgNWs的方法,提出由实验室制备向工业化批量生产的发展方向.

摘要： 透明导电薄膜(Transparent Conducting Oxide)作为一种新型的薄膜材料,具有广阔的应用前景和发展潜力.为了获得优异的透明导电薄膜,各种各样的透明导电薄膜不断涌现.本文综述了透明导电薄膜的发展历史、种类性能、研究及应用状况.重点介绍氧化锌透明导电薄膜的结构、性质、制备方法以及对制备出来的氧化锌透明导电薄膜利用XRD、AFM进行检测和表征,最后展望了氧化锌导电薄膜的发展方向.还要积极开发和提供优良的透明导电膜生产设备，改进工艺，提高产品质量和生产效率，降低成本。透明导电膜在目前玻璃深加工、电致变色玻璃、LED发光玻璃以及液晶显示器中都应用得十分广阔，同时在军工领域也具有广阔的应用前景。

摘要： 本文分析了ITO透明导电膜的机理和基本性能，研究掺杂氧化锡薄膜、掺铝氧化锌(znO：Al)薄膜的电性能和光学性能与掺杂浓度的光学，阐述了几种透明导电薄膜的制备工艺原理和技术方法，展望了透明导电薄膜的产业化应用前景。

摘要： 用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了Mg0.1Zn0.9O:Al薄膜,衬底温度由30°C变化到230°C.X射线衍射结果表明Mg0.1Zn0.9O:Al薄膜为单相六角纤锌矿结构,具有(002)择优取向,衬底温度为180°C时制备薄膜的结晶程度较好.Mg0.1Zn0.9O:Al薄膜的电阻率约为9.0×10-2Ωcm,在可见光范围内平均透过率达到85﹪,制备薄膜的带隙宽度约为3.62eV.

摘要： 本发明提供耐湿热性和耐候性优异的透明导电性膜，以及用于形成透明导电性膜的保存稳定性优异的涂层组合物，以及透明导电性膜的制造方法。本发明的透明导电性膜是在透明基材的一个面所形成的透明导电性膜，其包含：含有聚噻吩系化合物/聚苯乙烯磺酸的导电性高分子、含有硅烷化合物的无机系粘合剂、无机酸以及表面调节剂，以该导电性高分子的含量为基准，以小于30质量％的量包含该无机酸。

摘要： 在由垫片(10)隔开的底电极(5)和顶电极(4)层叠的透明触摸面板的至少一个电极的电极基板(14，15)上设置并构成此电极的透明导电膜中，表面形状中的算术平均粗糙度(Ra)为0.4nm≤Ra≤4.0nm、均方根粗糙度(Rms)为0.6nm≤Rms≤3.0nm。

摘要： 本发明提供一种透明导电膜的制造方法，其经由涂布工序、干燥工序、烧成工序的各工序而形成透明导电膜，其特征在于，所述烧成工序的操作方法如下：将以有机金属化合物为主成分的所述干燥涂膜在露点-10°C以下的含氧气氛下升温至大于或等于至少使所述无机成分结晶化的烧成温度的温度进行烧成，利用热分解或燃烧、或者热分解以及燃烧除去干燥涂膜中所包含的有机成分，由此形成致密地填充有以金属氧化物为主成分的导电性氧化物微粒的导电性氧化物微粒层，本发明还提供一种兼备优异的透明性和高导电性、且膜强度优异的透明导电膜。

摘要： 在本发明的带透明导电膜基板的制造方法中，准备基体，所述基体具有表面及背面，并且具有覆盖所述表面及所述背面中的至少一个面的a‑Si膜；在具有含氢工艺气体的成膜空间中，将所述基体及所述a‑Si膜的温度范围设定为70～220°C，对靶材施加溅射电压进行直流溅射，在所述a‑Si膜上形成透明导电膜。

摘要： 本发明的带透明导电膜的基板的制造方法为以与绝缘性的透明基板相接的方式配置透明导电膜的带透明导电膜的基板的制造方法，至少依次具备：步骤α，在设为希望的减压气氛的热处理空间中，将所述透明基板控制到规定的成膜前温度；步骤β，在设为希望的工艺气体气氛的成膜空间中，对成为所述透明导电膜的母材的靶施加溅射电压并进行溅射，在设为规定的温度的所述透明基板上形成所述透明导电膜；以及步骤γ，在大气气氛中，对形成在所述透明基板上的所述透明导电膜进行后加热处理，所述步骤α中的所述成膜前温度为零度以下。

摘要： 本发明提供通过低成本且简便的透明导电膜的制造方法即涂布法，特别是在低于300°C的低温加热来形成的兼备良好的透明性、高的导电性、且膜强度优良的透明导电膜，以及该透明导电膜的制造方法。所述透明导电膜的制造方法,即：在基板上形成含有有机金属化合物的涂布膜的涂布工序；从上述涂布膜干燥形成干燥涂布膜的干燥工序；对上述干燥涂布膜一边加热一边照射能量线以形成无机膜的加热并照射能量线的工序；根据需要，经由加热还原工序的各工序而形成透明导电膜；上述加热并照射能量线的工序为：将上述干燥涂布膜在露点温度－10°C以下的含氧气氛下一边加热至低于300°C的加热温度一边照射能量线，通过除去干燥涂布膜中所含的有机成分以形成致密地填充有以金属氧化物作为主成分的导电性氧化物微粒的导电性氧化物微粒层。

摘要： 本发明提供透明导电膜及其制造方法，所述透明导电膜使用作为透明导电膜的制造方法的涂布法，且通过低于300°C的低温加热，具有优异的透明性、导电性、膜强度、电阻稳定性。所述透明导电膜的制造方法包含：通过在基板上形成含有有机金属化合物的涂布膜的涂布工序、该涂布膜的干燥工序、由干燥涂布膜形成无机膜的加热能量线照射工序、对该无机膜进行等离子体处理的等离子体处理工序；加热能量线照射工序为在含氧气氛下一边加热至低于300°C一边进行能量线照射来形成无机膜的工序，等离子体处理工序为将该无机膜在非氧化性气体气氛下且在低于300°C的基板温度下进行等离子体处理，促进膜的无机化或者结晶化来形成致密地填充有以金属氧化物作为主要成分的导电性氧化物微粒的导电性氧化物微粒层的工序。

摘要： 在由垫片(10)隔开的底电极(5)和顶电极(4)积层的透明触摸面板的至少一个电极的电极基板(14,15)上设置并构成此电极的透明导电膜中,表面形状中的算术平均粗糙度(Ra)为0.4nm≤Ra≤4.0nm、均方根粗糙度(Rms)为0.6nm≤Rms≤3.0nm。

摘要： 本发明提供一种透明导电膜的制造方法，其经由涂布工序、干燥工序、烧成工序的各工序而形成透明导电膜，其特征在于，所述烧成工序的操作方法如下：将以有机金属化合物为主成分的所述干燥涂膜在露点-10°C以下的含氧气氛下升温至大于或等于至少使所述无机成分结晶化的烧成温度的温度进行烧成，利用热分解或燃烧、或者热分解以及燃烧除去干燥涂膜中所包含的有机成分，由此形成致密地填充有以金属氧化物为主成分的导电性氧化物微粒的导电性氧化物微粒层，本发明还提供一种兼备优异的透明性和高导电性、且膜强度优异的透明导电膜。

摘要： 本发明提供能够得到薄且耐热性优异、可容易地剥离工序膜、具有良好的特性的透明导电膜的透明导电膜用层叠体。该透明导电膜用层叠体是用于形成透明导电膜的透明导电膜用层叠体，其中，所述透明导电膜用层叠体依次具备工序膜和固化树脂层，上述固化树脂层是由含有聚合物成分(A)及固化性单体(B)的固化性树脂组合物的固化物形成的层，固化树脂层的由升温至150°C引起的热变形率的绝对值为1.2％以下，固化树脂层的厚度为20μm以下，工序膜具有任选设置有剥离层的第1表面和未设置剥离层的第2表面，固化树脂层形成在工序膜的第2表面上。