ITO

摘要： 15吋电加热屏蔽玻璃可解决机载、舰载显控台低温启动和电磁兼容问题。采用ITO导电玻璃和金属网格膜分别作为面发热加热膜和电磁屏蔽材料,通过真空高压热复合工艺和OCA贴合工艺将加热膜、外层防护层以及电磁屏蔽层复合成型,制备了15吋电加热屏蔽玻璃。对15吋电加热屏蔽玻璃的可见光透过率、加热性能、电磁屏蔽效能进行了测试分析,试验结果表明在−40°C环境下,输入电压24 V时,加热15 min后,15吋电加热屏蔽玻璃表面温度可达到33°C。

摘要： 以氧化铟锡(ITO)为敏感材料制备的高温薄膜应变计被广泛应用于航空发动机涡轮叶片等热端部件应变测试。为了探究高温ITO薄膜应变计结构参数对其应变灵敏度系数(GF)的影响,采用正交试验法设计了不同敏感栅长度、不同敏感栅数量的高温ITO薄膜应变计,通过仿真分析以及试验验证的方法系统研究了应变计在25°C、600°C、800°C和900°C的差别。结果表明,应变计GF随敏感栅长度的增加而变大,随敏感栅数量的增加而先增大后减小(最优中间值为6栅),最终获得敏感栅长度5mm、敏感栅数量6栅为最佳结构参数,以最佳结构参数制备的高温ITO薄膜应变计在不同温度下的GF均保持在3.2左右。研究结果对高温ITO薄膜应变计的高温性能优化有一定的指导意义。

摘要： 大尺寸高密度ITO靶材是我国当前的“卡脖子”技术,现有镀膜生产线对ITO靶材的相对密度要求达到99.7%以上,而ITO靶材在烧结初期的致密化过程对高密度ITO靶材的烧结至关重要。本研究着重对ITO靶材烧结初期的致密化过程进行了探讨,分析了喷雾造粒粉体的松装密度、生坯密度、烧结温度等对ITO靶材烧结初期致密化过程的影响。

摘要： 为揭示ITO薄膜膜厚对透光率及色泽感影响规律,本文采用TFCalc光学薄膜设计软件计算了 50～700 nm膜厚的ITO薄膜可见光透光率,平均透光率和人眼最为敏感波长550 nm的透光率与膜厚的关系.采用膜层干涉理论研究了 ITO膜厚和入射角对其透光率和色泽感影响规律和物理机制.研究结果表明:对特定膜厚的ITO薄膜,其可见光随膜厚增加会出现系列透射峰,膜厚越大,对应透射峰也相应增加.ITO薄膜可见光透光率,平均透光率和特定波长550 nm的可见光透光率随膜厚的增加呈锯齿状;随膜厚增加,ITO薄膜的颜色呈现黄绿色、橙色、紫红色、青色、黄绿色周期性的变化.当ITO膜厚为300 nm,入射角从30.增加到60.时,薄膜色泽从暗紫色变为亮紫色.通过本论文的研究,建立了 ITO薄膜和膜厚关系的色卡,这对工业控制及改善ITO薄膜的色泽提供技术支撑.

摘要： 众所周知,功能机向智能手机升级的时代,苹果击垮了昔日的绝对王者——诺基亚。但很多非业内人士不知的是,在这其中起到关键性、决定性的,是一款材料,也就是ITO(氧化铟锡)材料。到今天,角色互换,智能手机站在了当初功能机的立场,面对虎视眈眈的折叠屏手机甚至是全柔性屏手机,材料界已经在开始一场悄无声息的渗透。

摘要： 针对氧化物工艺形成的钝化层通孔柱状不良进行系统研究,发现通孔柱状不良发生的根本原因,并找到了有效改善措施.通过对比两种不同设计的通孔出现的差异推测通孔柱状不良可能与膜层结构相关,对相应的膜层进行去除验证,确定了通孔柱状不良为1 ITO膜层导致.通过扫描电镜发现1 ITO刻蚀后仍然有小颗粒ITO残留,对通孔柱状不良提出合理解释.最后在通孔柱状不良形成机理上,提出了有效改善措施.ITO结晶物无法被刻蚀液刻蚀,残留的ITO结晶物阻挡SiO2刻蚀,从而形成通孔柱状不良.ITO一旦结晶,延长1ITO刻蚀时间也不能改善柱状不良,通过降低ITO厚度可有效减轻通孔柱状不良,但仍然无法消除,通过加大钝化层刻蚀反应气体,可以有效将ITO结晶物反应抽出,彻底消除通孔柱状不良.

摘要： 从ITO到GATT再到WTO的发展历史表明,以规则为基础的多边贸易体制是一个渐进、 循环发展的过程.作为WTO"皇冠上的明珠",WTO争端解决机制依然包含若干权力元素.在国际贸易秩序大变革时代,WTO谈判功能丧失导致司法能动与成员驱动之间的矛盾被放大,权力的运作给规则之治带来前所未有的冲击.在权力斗争和规则重置后,一个以规则为基础的多边贸易体制仍将是大势所趋.

摘要： 综述了目前ITO粉体的制备方法,其中包括液相共沉淀法、溶胶-凝胶法、水(溶剂)热法、喷雾热解法、燃烧法、机械混合法等,并分析比较了各种制备方法的优缺点.

摘要： 目的:对一例祖孙亲缘关系(爷爷与孙女)案例应用常染色体和X染色体STR基因座进行单亲祖孙关系鉴定方法:以ITO法计算二联体祖孙亲缘关系指数,应用家系基因型重建法推断祖母的X染色体STR基因座来辅助判断鉴定结论:通过增加检验常染色体STR基因座的数量,得了较高的累积祖孙亲缘关系指数及第二代(伯父和姑姑)参与鉴定下来获得可靠鉴定结论.

摘要： 本文介绍了透明导电膜的发展和分类,并叙述了透明导电薄膜在平面液晶显示器(LCD)、平板显示器(FPD)、太阳能电池、节能视窗、汽车、飞机等的挡风玻璃、电致发光玻璃、抗静电材料、电子纸等方面的应用及其应用进展。

摘要： 本文介绍了透明导电膜的发展和分类,并叙述了透明导电薄膜在平面液晶显示器(LCD)、平板显示器(FPD)、太阳能电池、节能视窗、汽车、飞机等的挡风玻璃、电致发光玻璃、抗静电材料、电子纸等方面的应用及其应用进展。

摘要： 本文介绍了透明导电膜的发展和分类,并叙述了透明导电薄膜在平面液晶显示器(LCD)、平板显示器(FPD)、太阳能电池、节能视窗、汽车、飞机等的挡风玻璃、电致发光玻璃、抗静电材料、电子纸等方面的应用及其应用进展。

摘要： 伴随电化学学科的发展,薄膜电极制作技术已经与最新的材料制作技术链接.结合薄膜电极在军事、能源、环境保护、催化反应以及生物化学等领域的应用,综述了薄膜电极分类、各种电极的制备技术,特别是ITO电极、纳米晶体管电极和导电高分子薄膜晶体管电极,在电子纸等显示器件方面的应用.认为复合电极是未来的发展方向,分子自组合有序膜技术在薄膜电极加工方面用途广泛.

摘要： 伴随电化学学科的发展,薄膜电极制作技术已经与最新的材料制作技术链接.结合薄膜电极在军事、能源、环境保护、催化反应以及生物化学等领域的应用,综述了薄膜电极分类、各种电极的制备技术,特别是ITO电极、纳米晶体管电极和导电高分子薄膜晶体管电极,在电子纸等显示器件方面的应用.认为复合电极是未来的发展方向,分子自组合有序膜技术在薄膜电极加工方面用途广泛.

摘要： 伴随电化学学科的发展,薄膜电极制作技术已经与最新的材料制作技术链接.结合薄膜电极在军事、能源、环境保护、催化反应以及生物化学等领域的应用,综述了薄膜电极分类、各种电极的制备技术,特别是ITO电极、纳米晶体管电极和导电高分子薄膜晶体管电极,在电子纸等显示器件方面的应用.认为复合电极是未来的发展方向,分子自组合有序膜技术在薄膜电极加工方面用途广泛.

摘要： 伴随电化学学科的发展,薄膜电极制作技术已经与最新的材料制作技术链接.结合薄膜电极在军事、能源、环境保护、催化反应以及生物化学等领域的应用,综述了薄膜电极分类、各种电极的制备技术,特别是ITO电极、纳米晶体管电极和导电高分子薄膜晶体管电极,在电子纸等显示器件方面的应用.认为复合电极是未来的发展方向,分子自组合有序膜技术在薄膜电极加工方面用途广泛.

摘要： 伴随电化学学科的发展,薄膜电极制作技术已经与最新的材料制作技术链接.结合薄膜电极在军事、能源、环境保护、催化反应以及生物化学等领域的应用,综述了薄膜电极分类、各种电极的制备技术,特别是ITO电极、纳米晶体管电极和导电高分子薄膜晶体管电极,在电子纸等显示器件方面的应用.认为复合电极是未来的发展方向,分子自组合有序膜技术在薄膜电极加工方面用途广泛.

摘要： 伴随电化学学科的发展,薄膜电极制作技术已经与最新的材料制作技术链接.结合薄膜电极在军事、能源、环境保护、催化反应以及生物化学等领域的应用,综述了薄膜电极分类、各种电极的制备技术,特别是ITO电极、纳米晶体管电极和导电高分子薄膜晶体管电极,在电子纸等显示器件方面的应用.认为复合电极是未来的发展方向,分子自组合有序膜技术在薄膜电极加工方面用途广泛.

摘要： 用10％、15％、20％三种浓度的磷酸分别对ITO玻璃进行处理,四探针测试表明其面电阻基本不变,原子力显微镜观测到酸处理后的ITO表面形貌更加平坦,紫外-可见光光谱显示出磷酸处理几乎不影响可见光透过率保持不变;以之为基底制备了典型结构(ITO/TPD /Alq/Al)有机发光二极管(OLEDs),并对其光电性能进行了测试,结果表明在经过浓度为15％的磷酸处理过的ITO玻璃上制备的OLEDs表现出最好的光电性能,其发光最大亮度和发光效率分别是未经酸处理的的ITO上器件的近2倍.

摘要： 本发明提供一种ITO膜及用于制造该ITO膜的ITO粉末、ITO粉末的制造方法及ITO膜的制造方法。所述ITO膜具有4.0eV～4.5eV范围的能隙。

摘要： 本发明涉及一种溅射靶，其为包含In、Sn、O和不可避免的杂质的烧结体，其特征在于，含有以原子比计Sn/(In+Sn)为1.8％以上且3.7％以下(其中不包括3.7％)的Sn，烧结体的平均晶粒尺寸为1.0μm～5.0μm的范围，长径为0.1μm～1.0μm的孔隙的面积比率为0.5％以下，形成有氧化铟相和富氧化锡相两相，富氧化锡相的面积率为0.1％～1.0％，并且富氧化锡相的95％以上存在于晶界三重点。本发明可以提供一种溅射靶，其为适合于形成透明导电膜的、即使在低温下也能够得到低电阻的膜的低氧化锡组成的ITO溅射靶，所述溅射靶的粒径小、密度高、强度高、并且可以减少电弧放电或结瘤。

摘要： 本发明涉及一种ITO薄膜的制备方法，其包括如下步骤：S1：衬底清洗；S2：在衬底上采用磁控溅射生长变温缓冲层；S3：在变温缓冲层上采用磁控溅射生长取向生长层；S4：取向生长层到达设定的厚度后，停止生长；变温生长层和取向生长层共同形成ITO薄膜。与现有技术相比，本ITO薄膜及ITO透明导电玻璃的制备方法无需引入异质诱导层，具有工艺简便易控、易于大规模生产的优点，且在获得（004）择优取向ITO薄膜的同时，不会造成化学计量比尤其是氧缺位浓度的变化，ITO薄膜组分均一，ITO透明导电玻璃的透明导电性能优异。

摘要： 本发明提供了一种从ITO靶材磨削废液中回收ITO粉末的方法，属于ITO靶材制造技术领域。本发明将ITO靶材磨削废液进行固液分离，得到含ITO粉末的固体；将所述含ITO粉末的固体进行化学除油，得到ITO粉末和SiC粉末的混合粉末；将所述ITO粉末和SiC粉末的混合粉末在60～80°C的饱和蔗糖水溶液中进行比重分离，再将比重分离后的混合液进行固液分离，得到粗ITO粉末；将所述粗ITO粉末依次进行水洗和干燥，得到ITO粉末。上述方法执行起来十分方便快捷，同时整个过程不需要过于复杂的设备，耗能小，使用的化学药品毒性小，对环境污染小。

摘要： 本发明提供了一种从ITO蒸镀料切割废液中回收ITO粉末的方法，属于ITO蒸镀料制备技术领域。本发明将ITO蒸镀料切割废液进行固液分离，将所得固体依次在柴油和阴离子表面活性剂水溶液中浸泡洗涤后，得到初始粉末；将所述初始粉末进行碱煮，得到混合粉末；将所述混合粉末进行磁选，所述磁选剩余物即为ITO和SiC混合粉末；将所述ITO和SiC混合粉末在60～80°C的饱和蔗糖水溶液中进行比重分离，再将比重分离后的混合液进行固液分离，得到粗ITO粉末；将所述粗ITO粉末依次进行水洗和干燥，得到纯净的ITO粉末。本发明所提供的方法能够回收得到纯净的ITO粉末。

摘要： 本发明提出了一种用于ITO/Ag/ITO复合金属层薄膜的蚀刻液，以重量百分比为100％计算，所述蚀刻液包括磷酸20‑50％、硝酸3‑8％、硫酸1‑3％、醋酸10‑20％、抑制剂0.5‑2％和清洗剂0.1‑1.5％，余量为纯水；所述抑制剂包括无机钾盐和有机膦酸钠盐；所述清洗剂为纤维素交联聚合物，所述纤维素交联聚合物为纤维素与聚羧酸类化合物交联而得。纤维素交联聚羧酸类化合物，含有大量的羧基、羟基以及聚合烯酸，一方面与银离子螯合，使银离子沉淀，可减缓银蚀刻速率，另一方面纤维素交联聚合物与银离子和ITO螯合后，在形成沉淀的同时，还将金属离子从溶液中脱离出来，从而有效去除蚀刻后Ag和ITO残渣。

摘要： 本发明提供一种ITO膜及用于制造该ITO膜的ITO粉末、ITO粉末的制造方法及ITO膜的制造方法。所述ITO膜具有4.0eV～4.5eV范围的能隙。

摘要： 本发明提供一种ITO颗粒，其具有非长方体形状，在颗粒内部晶体取向一致。

摘要： 本发明涉及一种溅射靶，其为包含In、Sn、O和不可避免的杂质的烧结体，其特征在于，含有以原子比计Sn/(In+Sn)为1.8％以上且3.7％以下(其中不包括3.7％)的Sn，烧结体的平均晶粒尺寸为1.0μm～5.0μm的范围，长径为0.1μm～1.0μm的孔隙的面积比率为0.5％以下，形成有氧化铟相和富氧化锡相两相，富氧化锡相的面积率为0.1％～1.0％，并且富氧化锡相的95％以上存在于晶界三重点。本发明可以提供一种溅射靶，其为适合于形成透明导电膜的、即使在低温下也能够得到低电阻的膜的低氧化锡组成的ITO溅射靶，所述溅射靶的粒径小、密度高、强度高、并且可以减少电弧放电或结瘤。

摘要： 本申请涉及一种ITO薄膜粗糙度调试方法和ITO薄膜粗糙度调试系统。所述方法包括：获取待设定粗糙度；基于关联模型获取待设定粗糙度对应的制备工艺参数；关联模型用于表征ITO薄膜的粗糙度与制备工艺参数的对应关系；将制备工艺参数配置入制造设备形成与制备工艺参数对应的制备条件，将涂覆在基板表面的ITO材料制备成具有待设定粗糙度的ITO薄膜，从而将涂覆在基板表面的ITO材料制备成具有待设定粗糙度的ITO薄膜，实现改变ITO薄膜表面粗糙度，有利于提高后续制程中有机材料在ITO薄膜表面的附着性，更加有利于后续制程的制备，最终提高显示面板的信赖性及产品品质良率。