方块电阻

摘要： 为了研究用MOCVD在蓝宝石衬底上制备的AlGaN/GaN异质结的性能,分别在成核温度为580°C和600°C的非故意掺杂GaN模板上制备了Al_(0.30)Ga_(0.70)N/GaN异质结构,并用光学显微镜和HRXRD等测试设备对其进行了表征,结果表明:与580°C的成核温度相比,在成核温度为600°C的非故意掺杂GaN模板上制备的Al_(0.30)Ga_(0.70)N/GaN异质结构的性能较好,其样品表面形貌较佳,GaN外延层的原位监测反射率曲线的振幅更均匀;HRXRD测试结果表明,其(002)面和(102)面的半高宽较小,分别为178、214rad·s^(-1),位错密度处于较低水平(螺型位错密度为6.24×10^(7)cm^(-2),刃型位错密度为4.1×10^(8)cm^(-2))。为进一步改善Al_(0.30)Ga_(0.70)N/GaN异质结构性能,研究了Al N插入层的影响,结果表明:带有Al N插入层的Al_(0.30)Ga_(0.70)N/AlN/GaN异质结构的2DEG面密度增加明显且处于较高水平,为3.014×10^(13)cm^(-2),带有AlN插入层的Al_(0.30)Ga_(0.70)N/AlN/GaN异质结构的平均方块电阻值为277.0Ω,明显低于无AlN插入层的Al_(0.30)Ga_(0.70)N/GaN的平均方块电阻值331.9Ω。以上结果表明,优化成核层温度和引入插入层能提高Al_(0.30)Ga_(0.70)N/GaN异质结构性能。

摘要： 设计了采用薄膜介质层分隔浮置电极与模式控制电极的液晶透镜,浮置电极与模式控制电极处于基板的同一侧,避免了浮置电极与模式控制电极处于基板两侧而需要采用薄型基板的限制。采用Comsol Multiphysics仿真软件仿真研究了浮置电极方块电阻和薄膜介质层厚度对液晶透镜波前误差的影响规律。对于直径2 mm的液晶透镜,当浮置电极方块电阻在150Ω·□^(−1)~300 MΩ·□^(−1)间变化时,液晶透镜波前误差先减小后增大,在40 MΩ·□^(−1)时波前误差达到极小值。当介质层厚度在50~5000 nm间变化时,液晶透镜波前误差最小的浮置电极方块电阻由50 MΩ·□^(−1)减小到2 MΩ·□^(−1),最佳方块电阻参数呈现单调减小规律。取浮置电极方块电阻40 MΩ·□^(−1)和介质层厚度250 nm时,研究了液晶透镜的调焦特性和波前误差特性,当焦距在250 mm至无限远间变化时,589 nm光波长下的波前均方根误差最大值为0.0412μm,小于λ/14,满足Marechal判据的要求。

摘要： 电池组件在高电势差的影响下易发生电势诱导衰减(PID)。开发一种三次通源磷扩散工艺,可在较低方阻(70Ω~75Ω)下获得高效率。可通过调节温度、时间、扩散气体的流量等来获得预期的电池方阻。三次通源扩散工艺的最佳工艺参数为:扩散中心温度为830°C、氧气流量为1700 sccm、扩散氮的流量为2300 sccm、通源时间和再分布时间分别为250 s和700 s。该法制备的电池所形成的组件在(85°C+85%RH+负1000V+96H)条件下峰值功率衰减了0.62%,满足峰值功率变化小于5%的抗PID要求。

摘要： 采用RPD技术进行IWO导电薄膜的制备,研究分析不同WO3掺杂比例对IWO导电薄膜光学特性和电学特性的影响,随着掺杂比例的升高,薄膜缺陷明显增加,分子之间无法完全适配形成共价键,晶格的不完整性加大,薄膜结晶质量变差,同时导致IWO薄膜的方块电阻也随之升高,薄膜的电导率随之降低。在其他工工艺条件恒定条件下。当WO_(3)掺杂比例为1%时,薄膜方块电阻最小为45Ω,电导率为2669.13s/m,导电性能优良,薄膜透光率基本保持在85%以上。

摘要： 低温沉积具有优异光电性能的ITO一直是道难题。本文采用掺杂H_(2)的方式,利用磁控溅射设备室温制备了ITO导电膜,并通过分光光度计、四探针测试仪、台阶仪等对样品进行表征,研究了不同H_(2)掺杂量对薄膜光学、电学、附着力的影响。结果表明,适量的H_(2)掺杂可以在保证较高透过率的基础上,降低薄膜的电阻率,同时,增加膜层的附着力,可以获得透光度75.1%、方块电阻12欧姆、电阻率6.3×10^(-4)Ω·cm的膜层。

摘要： 本文提出了一种高效率、低成本的双面n型PERT(钝化发射极背面全扩散)电池的制备方法,采用常规的BBr3热扩散技术制备p+发射极,采用磷离子注入技术替代常规的POCl3扩散制备n+背场,为了减少工艺步骤和热损耗,将BBr3热扩散与磷离子注入后的热退火两个工艺步骤集成,通过一步高温过程同时完成发射极和背场掺杂,简化了工艺流程.离子注入n-PERT电池具有更高的电池效率,电池效率较扩散电池提升了0.34％,电池平均效率达到21.59％.

摘要： CIGS薄膜太阳能电池的传统背电极中的导电层为了满足电阻要求,必须使用较厚的Mo薄膜作为电子传导层进行电流传输,同时作为电子触头与CIS半导体接触.但较厚的Mo薄膜导致背电极内部应力较大、薄膜制备速度慢且成本高,因此,需开发厚度小、应力小、成本低的新型背电极.新型背电极需要具有较高的电流传输能力,并且经过高温硒化处理后电学性能不变.同时,尽可能地降低薄膜厚度以便节约成本.有鉴于此,本工作提出了采用CuZn合金薄膜代替Mo薄膜作为导电层.X射线衍射仪、扫描电子显微镜及电学性能等测试结果表明,当Brass相CuZn薄膜的膜厚逐渐增加时,结晶特性逐渐变好.并且CuZn薄膜表现出较高的载流子浓度,形成背电极后,电流传输性能依然较好.CuZn薄膜可用于部分替代Mo薄膜,增强背电极导电性能,并减小背电极内部应力,同时节约成本.

摘要： 采用磁控溅射法在普通钠钙浮法玻璃表面先获得厚度为50 nm的AZO(掺铝氧化锌)底层,然后制备出不同Ag层厚度(4、6、8或10 nm)的Ag/AZO双层膜以及不同AZO顶层厚度(10、30、50或70 nm)的AZO/Ag/AZO多层膜,考察了它们的表面形貌、晶体结构、方块电阻、透光率和品质因子.结果表明,Ag层厚度为6 nm时,Ag/AZO双层膜表面Ag粒子分布均匀,致密度较好,晶粒尺寸最大,综合性能最佳.在此双层膜的基础上沉积50 nm厚的AZO顶层可以较好地覆盖Ag层,提高薄膜的致密度,令晶粒尺寸明显增大,得到综合性能最佳的AZO/Ag/AZO多层膜.

摘要： 采用射频磁控溅射技术,以纯钛为靶材,氮气为反应气体,通过改变氮氩流量比与基底温度在304不锈钢及玻璃表面制备了不同的TiN薄膜.利用能谱仪、扫描电镜、台阶仪、四探针仪、划痕仪和纳米压痕仪对制备的所制薄膜的氮钛原子比、表面形貌、沉积速率、方块电阻、膜基结合力和纳米硬度进行表征.结果表明:随着氮氩流量比的增大,TiN的形貌先由四面锥体凸起结构逐渐过渡至柱状晶体堆积结构,然后转变为稀疏的液滴状颗粒结构,直至平整光滑,致密均匀.在氮气和氩气的流量分别为5.0 mL/min和50.0 mL/min的条件下,基底温度25～400°C范围内制备的TiN薄膜的结合力介于135.4 mN与210.2 mN之间.当基底温度为300°C时,薄膜的沉积速率最大,颜色最接近金黄色,氮钛原子比最接近1,结合力和纳米硬度也都最大.

摘要： 软磁合金是新一代质子/重离子同步加速器加速器的核心材料,在其表面涂覆绝缘涂层可有效降低高频涡流损耗.同时,高温热处理(～600°C)可有效减少软磁合金冷压成形产生的缺陷和位错而引起的内部残余应力.因此,软磁合金用绝缘涂层还需满足耐高温要求.SiO2涂层是最常见的无机涂层材料,具有良好的绝缘性能和耐高温性能.本工作在植酸催化TEOS+MTES制备硅溶胶的基础上,加入硅烷偶联剂KH-560进一步提高硅溶胶的成膜性能,系统研究了KH-560对SiO2涂层结构与性能的影响,并系统分析了KH-560提高SiO2涂层性能的机理.研究表明,添加适量的KH-560可有效提高薄膜的稳定性和成膜性.特别是当KH-560添加量为0.04 mol时,SiO2涂层质量最好,SiO2-0.04 KH涂层表现出最佳的耐腐蚀性和电绝缘性.在100 V时,SiO2-0.04 KH涂层的方块电阻仍保持2.95×1011?/□.综上,本研究利用植酸催化和KH-560改性协同作用制备出高质量的SiO2涂层,涂层具有良好的耐高温和优异的绝缘性能.

摘要： 文章主要介绍了pH对通过化学镀镍-磷法制作埋嵌电阻时镍-磷合金层方块电阻的影响.在温度相同的条件下,当镀液的pH不同时,探究了两种基材表面上镍-磷合金层方块电阻与反应时间的关系,并分析了适合用于制作埋嵌电阻的镍-磷合金层方块电阻值,以及最佳的化学镀镍-磷反应pH值.从实验结果可知,当反应时间相同时,随着pH的减小两种基材表面上镍-磷合金层的方块电阻将会逐渐大;适合用于埋嵌电阻制作的化学镀镍-磷反应pH为3.4～3.7,反应时间为3min～8min,方块电阻为15Ω/□～200Ω/□.

摘要： 设计一种用宽电极测试薄层方块电阻的方法,给出原理分析和实验结果,该方法可以作为对四探针方块电阻测试仪进行校对的原始方法,也可以开发为一个大学物理专业设计性实验.

摘要： 采用常压烧结方法制备高致密度低电阻率的W-Ti 共掺杂ZnO 陶瓷靶材（WTZO）并研究了其相关特性；通过研究烧结温度（~800°C-1350°C）对WTZO 靶材微观结构和电学特性的影响，优化获得了最佳烧结曲线。所有实验靶材经烧结后为ZnO 纤锌矿结构，同时伴有微量ZnWO4 和Zn2TiO4 相生成；随着烧结温度升高，靶材的相对致密度呈现先增长后稳定的趋势，其最大值达到94.3%，而方块电阻呈现递减趋势，其最小值为12.18Ω/□。

摘要： 采用磁控溅射技术,制备了Co掺杂ZnO薄膜,然后将样品分别在O2和N2气氛下,以不同的温度进行退火处理；用X射线衍射图分析薄膜的结构,采用四探针法测量薄膜的方块电阻,利用振动样品磁强计测量薄膜的磁性能。结果表明,样品在退火温度较低(<300°C)的时候,电阻稍有下降；当温度升高到400°C时,电阻大幅度上升,而且O2气氛下退火的比N2气氛下退火的升高幅度大得多。同一温度下,样品在O2气氛下退火的最大磁化强度比在N2气氛下退火的要低；同一退火气氛下,样品的最人磁化强度随退火温度的升高而降低。我们认为,这是由于不同气氛和温度下退火时,薄膜中氧空位浓度发生变化,从而导致其电磁性能的差异。

摘要： 将直流磁控溅射法在低温下制备的ITO薄膜,分别置于氧气、氨气和氧气中退火和相应的等离子体处理,在相对低的激下得到晶体结构性能、光学性能和电学性能优异的ITO薄膜.当处理温度为150°C时,三种气氛下ITO(IndiumTinOxide)薄膜的结构均开始由非晶转变为晶态,相应的电学和光学性能都有所提高;当处理温度为350°C时,ITO薄膜的衍射曲线与In2O3的PDF卡相似,可见光透过率都超过80﹪,其中氨气为88.5﹪(波长为600nm,含玻璃);薄膜表面的针刺很少,表面平整度(RMS)均小于2.08nm.其中,在氨气条件下电学性能变化最大,ITO薄膜方块电阻由348.7Ω/□降到66.8Ω/□,相应的电阻率为4.1×10-3Ω·cm和7.9×10-4Ω·cm.该方法对ITO薄膜的广阔应用前景具有很好的实际应用价值。

摘要： 采用溶胶凝胶法制备透明导电膜,并考察了Sb的掺杂量、热处理温度对薄膜方块电阻以及对薄膜透光率的影响.在SnO2掺杂1.0﹪(wt)Sb能显著提高薄膜的电导性,制得的透明导电膜表面电阻率最低为ρ=16×10-3Ω·cm,且薄膜的连续性、致密性好,透光率达到90﹪以上.

摘要： 本文用电子束蒸发方法制备了掺Fe、Ni的Ge-Sb-Se-Fe(Ni)薄膜.Hall效应测得薄膜均为p型半导体.对薄膜的研究表明Ge-Sb-Se中不同过渡金属元素掺杂因失电子能力差异而形成了不同的网络结构,高电负性过渡金属元素掺杂倾向于形成较少缺陷态的网络结构;A1的热扩散共掺杂使载流子浓度提高,且其浓度的提高可以抵消杂质散射引起的迁移率下降,降低薄膜的方块电阻。

摘要： ITO薄膜由于具有良好的光电特性而广泛应用于液晶显示器中，尤其在扭曲向列(TN)型显示模式中更为重要．本文利用直流磁控溅射技术在不同成膜温度，氧氩比和热处理条件下进行了ITO膜的沉积，并使用多功能检查仪和薄膜应力计分别对ITO的面电阻，透过率以及表面应力进行了测量。通过比较实验结果，得到ITO薄膜沉积的最优工艺条件：工作气压为0.5Pa，沉积温度为120°C/120°C，氧氩比为0.55%，Oven温度为230°C，时间为20Min。

摘要： ITO薄膜由于具有良好的光电特性而广泛应用于液晶显示器中，尤其在扭曲向列(TN)型显示模式中更为重要．本文利用直流磁控溅射技术在不同成膜温度，氧氩比和热处理条件下进行了ITO膜的沉积，并使用多功能检查仪和薄膜应力计分别对ITO的面电阻，透过率以及表面应力进行了测量。通过比较实验结果，得到ITO薄膜沉积的最优工艺条件：工作气压为0.5Pa，沉积温度为120°C/120°C，氧氩比为0.55%，Oven温度为230°C，时间为20Min。

摘要： ITO薄膜由于具有良好的光电特性而广泛应用于液晶显示器中，尤其在扭曲向列(TN)型显示模式中更为重要．本文利用直流磁控溅射技术在不同成膜温度，氧氩比和热处理条件下进行了ITO膜的沉积，并使用多功能检查仪和薄膜应力计分别对ITO的面电阻，透过率以及表面应力进行了测量。通过比较实验结果，得到ITO薄膜沉积的最优工艺条件：工作气压为0.5Pa，沉积温度为120°C/120°C，氧氩比为0.55%，Oven温度为230°C，时间为20Min。

摘要： 本发明提供了一种方块电阻测量方法以及方块电阻测量装置。根据本发明的一种方块电阻测量方法包括：在方块电阻的四边中分别连接第一测试点、第二测试点、第三测试点以及第四测试点；依次设定多个参考电流值；针对所有参考电流值，通过将参考电流值设置为强制电流值来计算方块电阻值，并且记录所计算的方块电阻值；根据所记录的所有方块电阻值判断适合作为强制电流值的参考电流值，并将所述参考电流值设置为最终的强制电流值。

摘要： 本发明涉及一种薄层材料方块电阻和连接点接触电阻测试方法，包括：在薄层材料的表面安装至少四个电极；对所述电极之间的电阻进行测量；根据理论模型，从测量的所述电极之间的电阻、和所述电极之间的距离计算所述薄层材料的方块电阻和电极接触电阻。本方法的主要特点是简单方便，是一种薄层材料方块电阻和电极接触电阻的无损检测方法，对电极分布没有严格要求。

摘要： 本发明公开了一种体积电阻与方块电阻转换校准装置及其校准方法，体积电阻与方块电阻转换校准装置，它包括电流源、电压采集设备、RS232输出接口和用来插接待测校准模组的RS232输入接口，RS232输出接口的第一1号针脚、第一2号针脚、第一3号针脚和第一4号针脚和RS232输入接口的第二1号针脚、第二2号针脚、第二3号针脚和第二4号针脚分别通过接线回路对应连接；所述的电流源的一极连接在第一1号针脚和第二1号针脚的接线回路中，其另一极连接在第一4号针脚和第二4号针脚的接线回路中；所述的电压采集设备的一极连接在第一2号针脚第二2号针脚的接线回路中；其另一极连接在第一3号针脚和第二3号针脚的接线回路中。本发明能够实现对校准模组的校准，从而保证太阳能晶体硅电池扩散后方块电阻测量的准确性和溯源性。

摘要： 本发明提供了一种方块电阻测量方法以及方块电阻测量装置。根据本发明的一种方块电阻测量方法包括：在方块电阻的四边中分别连接第一测试点、第二测试点、第三测试点以及第四测试点；依次设定多个参考电流值；针对所有参考电流值，通过将参考电流值设置为强制电流值来计算方块电阻值，并且记录所计算的方块电阻值；根据所记录的所有方块电阻值判断适合作为强制电流值的参考电流值，并将所述参考电流值设置为最终的强制电流值。

摘要： 本申请公开了具有高方块电阻的改进的多晶硅电阻器。一种集成电路(100)包括形成在半导体衬底(102)的表面处的电介质隔离结构(108)和形成在电介质隔离结构上的多晶硅电阻器主体(118B)。多晶硅电阻器主体包括具有N型掺杂剂浓度的N型掺杂剂、具有氮浓度的氮和具有碳浓度的碳。电阻器主体的方块电阻大于5kΩ/□。

摘要： 本发明提供一种电阻仪探针位置的校正方法及方块电阻的测量方法。其中，所述电阻仪探针位置的校正方法包括：获取一待测晶圆的缺陷图，根据缺陷图标定出待测晶圆上的多个标准测量位置，并获得各个标准测量位置的坐标值。采用电阻仪测量待测晶圆的方块电阻。再获取待测晶圆在方块电阻测量后的缺陷图，以获得各个实际测量位置的坐标值。比对各个标准测量位置与对应的实际测量位置之间的偏差，并根据获取的偏差校正所述电阻仪的探针位置。因此，本发明通过获取坐标的方式，实现探针位置偏差测量的可视化，且测量精度更高，便于精准调整所述电阻仪的位置，以实现提高获取的方块电阻的精确度。同时，本发明利用机台已有设备即可实现，成本低，操作简单。

摘要： 本发明涉及一种薄层材料方块电阻和连接点接触电阻测试方法，包括：在薄层材料的表面安装至少四个电极；对所述电极之间的电阻进行测量；根据理论模型，从测量的所述电极之间的电阻、和所述电极之间的距离计算所述薄层材料的方块电阻和电极接触电阻。本方法的主要特点是简单方便，是一种薄层材料方块电阻和电极接触电阻的无损检测方法，对电极分布没有严格要求。

摘要： 本发明公开了一种体积电阻与方块电阻转换校准装置及其校准方法，体积电阻与方块电阻转换校准装置，它包括电流源、电压采集设备、RS232输出接口和用来插接待测校准模组的RS232输入接口，RS232输出接口的第一1号针脚、第一2号针脚、第一3号针脚和第一4号针脚和RS232输入接口的第二1号针脚、第二2号针脚、第二3号针脚和第二4号针脚分别通过接线回路对应连接；所述的电流源的一极连接在第一1号针脚和第二1号针脚的接线回路中，其另一极连接在第一4号针脚和第二4号针脚的接线回路中；所述的电压采集设备的一极连接在第一2号针脚第二2号针脚的接线回路中；其另一极连接在第一3号针脚和第二3号针脚的接线回路中。本发明能够实现对校准模组的校准，从而保证太阳能晶体硅电池扩散后方块电阻测量的准确性和溯源性。

摘要： 本发明的技术方案提供了一种温度可调控四探针方块电阻及电阻率的测试方法，所述测试方法包括以下步骤：将温度可调控四探针方块电阻测试系统的线路连接完毕，主机接上电源并预热5至10分钟；根据需要在主机面板上选择合适的电流档位，并选择测量样品的电阻率或者方块电阻；将待测样品放置在四探针测试平台的基座上，将热电偶与温度测试仪连接好，并使热电偶与待测样品表面接触，然后压下四探针；启动电炉丝加热装置，调节加热速率，使用热电偶与温度测试仪测量样品的温度；查询参数C，然后输入C的值；调节完毕后，继续查看温度测试仪，当温度达到要求时，记录下显示器中的数据，即为样品在该温度下的电阻率或者方块电阻。

摘要： 本公开涉及一种方块电阻测量点原位的晶圆厚度测量装置。该测量装置包括固定基座；载片台，可移动地连接于固定基座，以承载待测硅片；测量机构，具有测量探头；升降机构，连接于所述固定基座，所述测量机构可移动地连接于所述升降机构，以能够沿竖直方向移动，并使得所述测量机构靠近或者远离所述载片台；高度检测机构，用于检测所述测量探头触碰至基体时的当前高度信息，所述基体为所述载片台或放置于所述载片台上的硅片；控制器，分别通信连接于所述测量机构和所述高度检测机构。由此，解决现有技术中的测量设备难以兼顾测量效率和适用范围的问题。