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电阻仪探针位置的校正方法及方块电阻的测量方法

摘要

本发明提供一种电阻仪探针位置的校正方法及方块电阻的测量方法。其中,所述电阻仪探针位置的校正方法包括:获取一待测晶圆的缺陷图,根据缺陷图标定出待测晶圆上的多个标准测量位置,并获得各个标准测量位置的坐标值。采用电阻仪测量待测晶圆的方块电阻。再获取待测晶圆在方块电阻测量后的缺陷图,以获得各个实际测量位置的坐标值。比对各个标准测量位置与对应的实际测量位置之间的偏差,并根据获取的偏差校正所述电阻仪的探针位置。因此,本发明通过获取坐标的方式,实现探针位置偏差测量的可视化,且测量精度更高,便于精准调整所述电阻仪的位置,以实现提高获取的方块电阻的精确度。同时,本发明利用机台已有设备即可实现,成本低,操作简单。

著录项

  • 公开/公告号CN112927948A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-06-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华虹宏力半导体制造有限公司;

    申请/专利号CN202110088408.9

  • 发明设计人 梁海林;丁同国;孙洪福;

    申请日2021-01-22

  • 分类号H01G11/46(20130101);H01L21/66(20060101);

  • 代理机构31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人曹廷廷

  • 地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

  • 入库时间 2023-06-19 11:17:41

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-10-27

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01G11/46 专利申请号:2021100884089 申请公布日:20210608

    发明专利申请公布后的驳回

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