具有高方块电阻的改进的多晶硅电阻器

摘要

本申请公开了具有高方块电阻的改进的多晶硅电阻器。一种集成电路(100)包括形成在半导体衬底(102)的表面处的电介质隔离结构(108)和形成在电介质隔离结构上的多晶硅电阻器主体(118B)。多晶硅电阻器主体包括具有N型掺杂剂浓度的N型掺杂剂、具有氮浓度的氮和具有碳浓度的碳。电阻器主体的方块电阻大于5kΩ/□。