KH-560改性SiO2绝缘薄膜的制备及性能研究

摘要

软磁合金是新一代质子/重离子同步加速器加速器的核心材料,在其表面涂覆绝缘涂层可有效降低高频涡流损耗.同时,高温热处理(～600°C)可有效减少软磁合金冷压成形产生的缺陷和位错而引起的内部残余应力.因此,软磁合金用绝缘涂层还需满足耐高温要求.SiO2涂层是最常见的无机涂层材料,具有良好的绝缘性能和耐高温性能.本工作在植酸催化TEOS+MTES制备硅溶胶的基础上,加入硅烷偶联剂KH-560进一步提高硅溶胶的成膜性能,系统研究了KH-560对SiO2涂层结构与性能的影响,并系统分析了KH-560提高SiO2涂层性能的机理.研究表明,添加适量的KH-560可有效提高薄膜的稳定性和成膜性.特别是当KH-560添加量为0.04 mol时,SiO2涂层质量最好,SiO2-0.04 KH涂层表现出最佳的耐腐蚀性和电绝缘性.在100 V时,SiO2-0.04 KH涂层的方块电阻仍保持2.95×1011?/□.综上,本研究利用植酸催化和KH-560改性协同作用制备出高质量的SiO2涂层,涂层具有良好的耐高温和优异的绝缘性能.